Контрольная работа по предмету: Физические основы электроники. Вариант № 10
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Задача 2.
Используя характеристики заданного Б.Т. определить h- параметры в рабочей точки задачи 1.
Задача №3.
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |Н21| / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача №4.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Задача 2.
Используя характеристики заданного Б.Т. определить h- параметры в рабочей точки задачи 1.
Задача №3.
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |Н21| / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача №4.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дополнительная информация
Зачтено Савиных.
Похожие материалы
Контрольная работа. Физические основы электроники. Вариант №10
nasiknice
: 2 декабря 2020
Задания в скриншотах
450 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники вариант 10
Ameniya
: 25 августа 2017
Вариант задания к задачам №1; 2; 3 - 0; Вариант задания к задаче №4 - 1
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 10
Учеба "Под ключ"
: 30 июля 2026
Контрольная работа по курсу ФОЭ
«Определение параметров и выбор полупроводниковых диодов»
Цель работы
a) Научиться рассчитывать параметры диодов.
b) Научиться пользоваться справочной литературой по полупроводниковым диодам.
c) Научиться производить выбор диодов для конкретных радиоэлектронных устройств.
Таблица А1 – Исходные данные для заданий 1,2,3
Вариант: 10
Тип диода VD: ГД402А
R,Ом: 7,5
U,В: 0,9
Задание 1
Цепь состоит из последовательно включенного диода VD и резистора R
1300 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №10
Учеба "Под ключ"
: 3 февраля 2018
Задача 1.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
600 руб.
Контрольная работа по предмету физические основы электроники. Вариант 01
te86
: 17 мая 2013
Задание 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления
60 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №10.
ДО Сибгути
: 24 марта 2016
1 Постановка задачи
Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1.
Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц H К, пс
0 КТ605А 15 200 750 375 20 3,0 210
На рисунке 1 представлены статические характеристики биполярного транзистора КТ605А.
Рисунок 1 - Статические характеристики биполярного транзистора КТ605А
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эми
100 руб.
Контрольная работа по предмету: «Физические основы электроники». Вариант № 19 (29)
xtrail
: 3 мая 2013
Задача No1
Дано: транзистор КТ603А, Е =75 В, I =250 мкА, I =150 мкА,
R =1500 Ом.
На графике выходных статических характеристик (рисунок 1.1) строим нагрузочную линию описываемою уравнением:
I =(E -U )/ R .
При U =0, I =E /R =75/1500=50 мА.
При I =0, E =U =75 В
Задача No2
Находим h-параметры в рабочей точке, которая определена в задаче No1. На входных характеристиках задаемся приращением тока базы ΔI = 50=100 мкА относительно рабочей точки I =250 мкА
Задача No3
Дано: f=100
450 руб.
Контрольная работа по предмету: Физические основы электроники. Вариант № 0 и 5
merzavec
: 9 января 2013
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". Содержит 4 задачи. Задачи 1,2,3 по варианту No5 и задача 4 по варианту No0.
Задача 1:
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.......
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.....
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2),
110 руб.
Другие работы
Информатика. Реферат. 1-й семестр. 17-й вариант
zagovor
: 30 ноября 2016
Введение…………………………………………………………………………..3
1. Что такое СОВ………………………………………………………………….4
2. Общие сведения………………………………………………………………...5
3. Классификация систем обнаружения вторжений…………………………….7
4. Обнаружение сигнатур………………………………………………………..11
5. Обнаружение аномалий………………………………………………………12
5.1. Методы Data Mining………………………………………………….…..13
5.2. Методы технологии мобильных агентов……………………………….15
5.3. Методы построения иммунных систем………………………………...19
6. Языки описания атак……………………………………………………...….21
7. М
30 руб.
Основные источники геополитики
ivlevaolja
: 26 января 2012
Задание 1. Основные источники геополитики. Сущность основных геополитических эпох
Выдержка: Геополитика как область знания возникла на стыке трёх научных подходов: цивилизационной концепции исторического процесса, военно-стратегических исследований и теорий географического детерминизма.
Основоположником цивилизационного подхода к истории считается Н. Я. Данилевский, автор книги «Россия и Европа» (1868 г.). Согласно его теории...
Геополитика как область знания возникла на стыке трёх научных под
170 руб.
Теория организации (7-й семестр. Тест)
mahaha
: 28 апреля 2016
Межрегиональный учебный центр переподготовки специалистов СибГУТИ
Бланк
ответов по дисциплине “Теория организаций”
Фамилия, имя, отчество:
Гр. ЭДТ-04 Дата заполнения 12.05.2014 г.
100 руб.
Кинематика и динамика жидкости ТОГУ Задача 7
Z24
: 22 октября 2025
Вода движется в прямоугольном лотке шириной b = 25 см при температуре t = 10ºC. Определить: а) при каком максимальном расход сохранится ламинарный режим, если глубина потока h = 9 см; б) при какой глубине потока произойдет смена режима движения, если расход Q = 0,5 л/с.
160 руб.