Разработка интегрального устройства. Вариант 00

Категории: СибГУТИ, Электроника, Работа Курсовая
Добавлен: 27.01.2013
Размер: 268 KB
Покупок: 9
Добавил:
ДО Сибгути

Написать сообщение

Все работы пользователя

Цена:

150 руб.

Скачать

Состав работы

778F5CD4-BC38-4BD5-8E05-3B443D5A7A5F.docx [ 268 KB ]

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
4.2.Разработка топологии…………….…………………………………..13
4.3.Этапы изготовления устройства в виде гибридной
интегральной микросхемы……...………………………………..………14
Заключение……………………………………………………...………………..15
Список используемой литературы……………………………………………...16

Техническое задание
1. Напряжение источника питания Uп = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 10.
3. Входное сопротивление Rвх = 10 Мом.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 2 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 15 Гц.
7. Верхняя рабочая частота fв = 20 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн = 1дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн = 1дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – симметричный

Дополнительная информация

Оценка - "Отлично"

Разработка интегрального устройства

Вариант №2 Техническое задание: 1. Напряжение источника питания Uп = +9 В. 2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 6. 3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм. 4. Сопротивление нагрузки Rн = 1 кОм. 5. Номинальное выходное напряжение Uном = 1 В. 6. Нижняя рабочая частота fн = 50 Гц 7. Верхняя рабочая частота fв = 10 кГц. 8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ. 9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=2 дБ. 10. Тип входа – несимметричный, ти

СибГУТИ Электроника Работа Курсовая

KPanda : 5 декабря 2019

1000 руб.

Электроника. Разработка интегрального устройства

СибГУТИ Электроника Работа Курсовая

7059520 : 10 марта 2015

50 руб.

Курсовая работа Разработка интегрального устройства

Содержание Техническое задание ................................................................................................3 Введение ...................................................................................................................4 1 Разработка структурной и принципиальной схем устройства............................5 2 Расчет элементов принципиальной схемы...........................................................8 2.1 Расчет выходного каскада VT2 .........................

СибГУТИ Электроника Работа Курсовая

Виктория30 : 30 ноября 2022

250 руб.

"Разработка интегрального устройства". Вариант №45

1. Напряжение источника питания Uп = +15 В. 2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 8. 3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм. 4. Сопротивление нагрузки Rн = 10 кОм. 5. Номинальное выходное напряжение Uном = 3 В. 6. Нижняя рабочая частота fн = 100 Гц 7. Верхняя рабочая частота fв = 6,3 кГц. 8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ. 9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=3 дБ. 10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – несимметричный. Т

******* Не известно Электроника Работа Курсовая

b1nom : 14 января 2018

700 руб.

Разработка интегрального устройства. Вариант №2

Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 02. Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети. Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна Оценка: 3 СОДЕРЖАНИЕ стр. Техническое задание…………………………………………………………….2 Исходные данные…………………………………………………………..........2 Введение………………………………

СибГТУ Электроника Работа Курсовая

SibgutiKR : 15 апреля 2016

1200 руб.

Разработка интегрального устройства. Вариант №26

Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 26. Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети. Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна Оценка: 5 СОДЕРЖАНИЕ стр. Техническое задание…………………………………………………………….2 Исходные данные…………………………………………………………..........2 Введение……………………………

СибГУТИ Электроника Работа Курсовая

SibgutiKR : 15 апреля 2016

1200 руб.

Курсовая работа. Разработка интегрального устройства

СибГУТИ Электроника Работа Курсовая

xtrail : 17 марта 2013

250 руб.

Курсовая Разработка интегрального устройства. Вариант №37

Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 37. Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети. Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна Оценка: 4 стр. Техническое задание…………………………………………………………….2 Исходные данные…………………………………………………………..........2 Введение……………………………………………………………………….....3 1.Разработка структу

СибГУТИ Электроника Работа Курсовая

SibgutiKR : 15 апреля 2016

1200 руб.

Клапан - ДМЧ.051.000.00 СБ

ДМЧ.051.000.00 СБ - Клапан. В состав работы входит: -3D модели всех деталей; -3D сборка; -3D сборка с разносом компонентов; - Чертежи всех деталей; -Сборочный чертеж; -Спецификация. -Изометрия детали Корпус ДМЧ.051.000.00 СБ - Клапан Сборочный чертеж ДМЧ.051.000.01 - Корпус ДМЧ.051.000.02 - Втулка ДМЧ.051.000.03 - Золотник ДМЧ.051.000.04 - Прокладка ДМЧ.051.000.05 - Втулка ДМЧ.051.000.06 - Стержень ДМЧ.051.000.07 - Колонка ДМЧ.051.000.08 - Пружина ДМЧ.051.000.09 - Седло пружины ДМЧ.051.000.10

Чертежи Инженерная и компьютерная графика

.Инженер. : 16 февраля 2025

600 руб.

Физические основы электроники, Контрольная работа №1, Семестр №2.Вариант 03.

Варианты заданий для последней цифры пароля. Таблица П.А.1 № вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc 3 КТ603А 60 1000 250 150 100 2.25 90 Варианты заданий для предпоследней цифры пароля. Таблица П.А.2 Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В 0 КП 903 А 18 8

СибГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная

Mercuryman : 8 июля 2017

100 руб.

Оценка рыночной и ликвидационной стоимости АЗС

Включает в себя все 3 способа оценки (затратный, доходный и сравнительный). Дипломная работа имеет развернутую локальную смету (10 стр. ) в затратном подходе; Математическую обработку данных (нахождение корреляционной модели, симметрии, анализ хвостовых остатков корреляции, расчет линейной многомерной модели взаимосвязи, корреляционную решетку, Коэффициент Durbin-Watson и т. д. ). Так же присутствует типовой договор на оказание услуг по оценке.

Диплом и связанное с ним Финансы

ostah : 2 марта 2015

111 руб.

Экзаменационная работа по дисциплине: «Направляющие системы электросвязи», Билет № 2 (сдано на ОТЛИЧНО)

1. Эффекты отражения на границе раздела двух диэлектрических сред. 2. Селективные разветвители (мультиплексоры с разделением волн).

Направляющие системы электросвязи Работа Экзаменационная

Александр495 : 17 декабря 2016

100 руб.

Разработка интегрального устройства. Вариант 00

Состав работы

Описание

Дополнительная информация

Похожие материалы

Другие работы

Вход