Разработка интегрального устройства. Вариант 00
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Курсовая
-
Добавлен:
27.01.2013
-
Размер:
268 KB
-
Покупок:
9
-
Добавил:
ДО Сибгути
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
778F5CD4-BC38-4BD5-8E05-3B443D5A7A5F.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
4.2.Разработка топологии…………….…………………………………..13
4.3.Этапы изготовления устройства в виде гибридной
интегральной микросхемы……...………………………………..………14
Заключение……………………………………………………...………………..15
Список используемой литературы……………………………………………...16
Техническое задание
1. Напряжение источника питания Uп = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 10.
3. Входное сопротивление Rвх = 10 Мом.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 2 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 15 Гц.
7. Верхняя рабочая частота fв = 20 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн = 1дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн = 1дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – симметричный
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
4.2.Разработка топологии…………….…………………………………..13
4.3.Этапы изготовления устройства в виде гибридной
интегральной микросхемы……...………………………………..………14
Заключение……………………………………………………...………………..15
Список используемой литературы……………………………………………...16
Техническое задание
1. Напряжение источника питания Uп = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 10.
3. Входное сопротивление Rвх = 10 Мом.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 2 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 15 Гц.
7. Верхняя рабочая частота fв = 20 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн = 1дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн = 1дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – симметричный
Дополнительная информация
Оценка - "Отлично"
Похожие материалы
Разработка интегрального устройства
KPanda
: 5 декабря 2019
Вариант №2
Техническое задание:
1. Напряжение источника питания Uп = +9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 6.
3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 1 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 50 Гц
7. Верхняя рабочая частота fв = 10 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=2 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, ти
KPanda
: 5 декабря 2019
1000 руб.
Электроника. Разработка интегрального устройства
7059520
: 10 марта 2015
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
7059520
: 10 марта 2015
50 руб.
Курсовая работа Разработка интегрального устройства
Виктория30
: 30 ноября 2022
Содержание
Техническое задание ................................................................................................3
Введение ...................................................................................................................4
1 Разработка структурной и принципиальной схем устройства............................5
2 Расчет элементов принципиальной схемы...........................................................8
2.1 Расчет выходного каскада VT2 .........................
Виктория30
: 30 ноября 2022
250 руб.
"Разработка интегрального устройства". Вариант №45
b1nom
: 14 января 2018
1. Напряжение источника питания Uп = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 8.
3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 10 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 100 Гц
7. Верхняя рабочая частота fв = 6,3 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=3 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – несимметричный.
Т
b1nom
: 14 января 2018
700 руб.
Разработка интегрального устройства. Вариант №26
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 26.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 5
СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение……………………………
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
1200 руб.
Разработка интегрального устройства. Вариант №2
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 02.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 3
СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение………………………………
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
1200 руб.
Курсовая работа. Разработка интегрального устройства
xtrail
: 17 марта 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
xtrail
: 17 марта 2013
250 руб.
Курсовая Разработка интегрального устройства. Вариант №37
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 37.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 4
стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение……………………………………………………………………….....3
1.Разработка структу
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
1200 руб.
Другие работы
Контрольная работа. Деформация раскоса портала. Портальный кран.
DiKey
: 4 февраля 2020
Контрольная работа. Деформация раскоса портала. Портальный кран.
Целью данной контрольной работы является изучение причин возникно-вения дефектов металлоконструкций портальных кранов и борьбы с ними.
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1 АВТОМАТИЗАЦИЯ СБОРОЧНЫХ ОПЕРАЦИЙ С ПРИМЕНЕНИЕМ РОБОТОВ
1.1 Общие положения
1.2 Организация контроля состояния металлоконструкции портальных кранов
1.3 Дефекты металлоконструкций и методы, применяемые для обнаружения
1.4 Методические указания по составлению карты осмотра мета
DiKey
: 4 февраля 2020
250 руб.
Гидравлика и гидропривод ПГУПС 2016 Задача 3 Вариант 0
Z24
: 5 января 2026
Круглый горизонтальный резервуар (рис.3.1), имеющий диаметр D и длину L, заполнен жидкостью, плотность которой ρ. Манометр, установленный на уровне верхней образующей, показывает избыточное давление р.
Требуется определить:
1. Горизонтальную силу гидростатического давления Px, действующую на круглый торец резервуара.
2. Расстояние e, на которое отстоит линия действия горизонтальной силы от оси резервуара.
3. Вертикальную силу Pz, действующую на верхнюю половину резервуара.
Z24
: 5 января 2026
150 руб.
Развитие сети 110 кВ промышленного района
1000000
: 31 декабря 2025
В проекте разработаны вопросы развития сети 110 кВ промышленного района. В ходе выполнения дипломной работы определили потребности района в активной и реактивной мощностях, исследовали их баланс, предварительно определили не потребности в компенсирующих устройствах, выбрали оптимальную схему электроснабжения промышленного района; ее номинальное напряжения, выбрали типы воздушных линий электропередачи и трансформаторов, произвели технико – экономический расчет сетей. На основе технико-экономическ
1000000
: 31 декабря 2025
700 руб.
Этические аргументы "за" и "против" смертной казни
Slolka
: 15 ноября 2013
Содержание
1. История
1.2 Смертная казнь в современном мире
2. Виды смертной казни
2.1 Практикуемые в современном мире виды смертной казни
2.2 Исторические виды смертной казни
3. Смертная казнь должна умереть
4. Казнить, нельзя помиловать
5. Смертная казнь в различных странах
5.1 Великобритания
5.2 Франция
5.3 Германия
5.4 Западноевропейские страны
5.5 Россия
5.6 Белоруссия
5.7 Центральная Европа
5.8 США
5.9 Ближний Восток и Азия
6. Отношение мировых религий к смертной казни
6.1 В Библии
6.2
Slolka
: 15 ноября 2013
10 руб.
