Лекции по дисциплине:"Физические основы электроники"
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Общие сведения об электронных приборах.
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника.
Метод расчета концентраций.
Условие электрической нейтральности.
Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках.
Положение уровня Ферми в полупроводниках.
Распределение носителей заряда по энергии.
Неравновесное состояние полупроводника.
Неравновесная и избыточная концентрации носителей заряда.
Плотность тока в полупроводнике.
Уравнение непрерывности.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Потенциальный барьер.
Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме.
Частотные свойства p-n-перехода.
Импульсные свойства р-n-перехода.
Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы.
Разновидности полупроводниковых диодов.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Туннельные и обращенные диоды.
Технологии производства полупроводниковых диодов.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Общие сведения.
Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе.
Эффект Эрли.
Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла).
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде.
Графоаналитическое рассмотрение при большом сигнале.
Биполярный транзистор в квазистатическом режиме как линейный четырехполюсник.
Нелинейная и линейная динамические модели.
Биполярного транзистора.
Нелинейная динамическая модель биполярного транзистора.
Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора.
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора).
Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор.
Симметричные тиристоры (симисторы).
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника.
Метод расчета концентраций.
Условие электрической нейтральности.
Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках.
Положение уровня Ферми в полупроводниках.
Распределение носителей заряда по энергии.
Неравновесное состояние полупроводника.
Неравновесная и избыточная концентрации носителей заряда.
Плотность тока в полупроводнике.
Уравнение непрерывности.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Потенциальный барьер.
Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме.
Частотные свойства p-n-перехода.
Импульсные свойства р-n-перехода.
Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы.
Разновидности полупроводниковых диодов.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Туннельные и обращенные диоды.
Технологии производства полупроводниковых диодов.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Общие сведения.
Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе.
Эффект Эрли.
Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла).
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде.
Графоаналитическое рассмотрение при большом сигнале.
Биполярный транзистор в квазистатическом режиме как линейный четырехполюсник.
Нелинейная и линейная динамические модели.
Биполярного транзистора.
Нелинейная динамическая модель биполярного транзистора.
Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора.
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора).
Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор.
Симметричные тиристоры (симисторы).
Похожие материалы
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
100 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
300 руб.
Физические основы электроники
Фрося
: 25 февраля 2020
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА;
амплитудное значение переменной
составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
1000 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
900 руб.
Физические основы электроники
kombatowoz
: 7 декабря 2019
2 вариант 1,2,3 лабораторные работы
1,2,3 лабораторные работы,2019 год
1 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА.
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3
200 руб.
Другие работы
Социология и право. Контрольная работа, вариант 7
АйгульП
: 2 февраля 2026
Задание:
1. Сделать обзор трех исследовательских компаний, представив его в форме аналитической статьи.
2. Определить правовые нормы и нарушения в мультипликации или игровом кино. Представить в форме презентации.
1. Задание по модулю «Социология»: практическое задание «Обзор исследовательских компаний»
Сделать обзор трех исследовательских компаний, представив его в форме аналитической статьи.
1. Выбрать три исследовательские компании, которые занимаются изучением общественного мнения в на
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Психология". Вариант №20.
teacher-sib
: 28 ноября 2016
Реферат
по дисциплине:
"Психология"
20. Психология потребителя
Эссе
по дисциплине:
"Психология"
20. Откуда берутся храбрецы и трусы
200 руб.
Система диагностирования автомобильных кранов с автоматизированной обработкой результатов на примере Калужской области
proekt-sto
: 5 января 2017
ОГЛАВЛЕНИЕ
1. Введение 2
2. Механизация 7
3. Конструкторская часть 14
4. Технологическая часть 30
5. Расчет гидравлической сист
200 руб.
«Методы оптимальных решений» КЕЙС
Максим336
: 21 июня 2020
Задание
Одной из самых скандальных изданий в Европе 2010 года стала книга бывшего берлинского сенатора и одного из директоров Бундесбанка Тило Саррацина «Германия: самоликвидация, или как мы ставим на кон свою страну». На почти пяти сотнях страниц автор пугает немцев скорым крахом страны, которую, считает он, вот-вот захлестнет поток необразованных, агрессивных и фанатичных мигрантов-мусульман.
Еще до того как труд Тило Саррацина появился в продаже, немецкие СМИ и немецкие политики обрушились на
200 руб.