Лекции по дисциплине:"Физические основы электроники"
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Общие сведения об электронных приборах.
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника.
Метод расчета концентраций.
Условие электрической нейтральности.
Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках.
Положение уровня Ферми в полупроводниках.
Распределение носителей заряда по энергии.
Неравновесное состояние полупроводника.
Неравновесная и избыточная концентрации носителей заряда.
Плотность тока в полупроводнике.
Уравнение непрерывности.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Потенциальный барьер.
Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме.
Частотные свойства p-n-перехода.
Импульсные свойства р-n-перехода.
Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы.
Разновидности полупроводниковых диодов.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Туннельные и обращенные диоды.
Технологии производства полупроводниковых диодов.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Общие сведения.
Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе.
Эффект Эрли.
Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла).
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде.
Графоаналитическое рассмотрение при большом сигнале.
Биполярный транзистор в квазистатическом режиме как линейный четырехполюсник.
Нелинейная и линейная динамические модели.
Биполярного транзистора.
Нелинейная динамическая модель биполярного транзистора.
Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора.
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора).
Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор.
Симметричные тиристоры (симисторы).
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника.
Метод расчета концентраций.
Условие электрической нейтральности.
Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках.
Положение уровня Ферми в полупроводниках.
Распределение носителей заряда по энергии.
Неравновесное состояние полупроводника.
Неравновесная и избыточная концентрации носителей заряда.
Плотность тока в полупроводнике.
Уравнение непрерывности.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Потенциальный барьер.
Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме.
Частотные свойства p-n-перехода.
Импульсные свойства р-n-перехода.
Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы.
Разновидности полупроводниковых диодов.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Туннельные и обращенные диоды.
Технологии производства полупроводниковых диодов.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Общие сведения.
Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе.
Эффект Эрли.
Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла).
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде.
Графоаналитическое рассмотрение при большом сигнале.
Биполярный транзистор в квазистатическом режиме как линейный четырехполюсник.
Нелинейная и линейная динамические модели.
Биполярного транзистора.
Нелинейная динамическая модель биполярного транзистора.
Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора.
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора).
Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор.
Симметричные тиристоры (симисторы).
Похожие материалы
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
120 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
300 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
900 руб.
Физические основы электроники
Фрося
: 25 февраля 2020
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА;
амплитудное значение переменной
составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
1000 руб.
Физические основы электроники
kombatowoz
: 7 декабря 2019
2 вариант 1,2,3 лабораторные работы
1,2,3 лабораторные работы,2019 год
1 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА.
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3
200 руб.
Другие работы
Контрольная работа Математические основы моделирования сетей связи. Вариант №15.
teacher-sib
: 30 августа 2023
Задано 10 населённых пунктов, связанных сетью. Расстояние между пунктами указано в километрах. Требуется:
Задача № 1. Определить номера населённых пунктов, размещение телефонных станций в которых будет оптимальным по удалённости от самого дальнего пункта.
Задача № 2. Найти минисуммное решение задачи размещения 5-и телефонных станций из предложенных вариантов (1; 3; 4;6;8), (2;5;7;9;10), (3;5;6;8;10), (1; 2; 5;7;9 (таблица 1).
Задача № 3. Определить, по каким кабельным линиям работник станции 2 P
1000 руб.
Маркетинг в страховании и его специфика
Slolka
: 21 ноября 2013
Введение………………………………………………………………..3
Глава 1. Понятие и сущность маркетинга …………………………...4
Стратегия и тактика маркетинга………………………………..4
Маркетинговые исследования…………………………………..8
Стимул, мотив и поведение страхователя, как особое направление маркетингового исследования………………….11
Сегментация страхового рынка ……………………………….14
Глава 2. Услуги страховой компании и их продвижение на рынок…………………………………………………………………..16
2.1. Конкуренция и конкурентоспособность страховой компании………………………………………………………………16
10 руб.
Звонница Софийского собора XV - XVII вв.
Lokard
: 26 августа 2013
Звонница Софийского собора занимает видное место как в ансамбле Новгородского кремля, так и в силуэте всего города. Возвышаясь из-за кремлевских стен над Волховом, она вместе с Софийским собором создает один из незабываемых архитектурных образов.
Звонница дошла до нас в значительно измененном виде.
Исследования, проведенные в послевоенные годы, помогли нам представить облик этого памятникам различные периоды его истории.
Первые сведения о звоннице Софийского собора относятся к 1437 году. Летопис
15 руб.
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. Губкина Гидродинамика Задача 15 Вариант 5
Z24
: 7 декабря 2025
При условии задачи 12 и известной силе F определите высоту z0 . Проверьте, имеет ли место явление кавитации в сечении 2-2. Расход задан в задаче 14.
Задача 12
Поршень диаметром D, двигаясь равномерно, всасывает жидкость из открытого бака с атмосферным давлением рат на поверхности жидкости. Высота всасывания равна z0. Всасывающая труба — длина l, диаметр d, стальная, новая, сварная. Гидравлические сопротивления показаны на рисунке. Температура жидкости t°C. Атмосферное давление равно 100 кП
200 руб.