Лекции по дисциплине:"Физические основы электроники"
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Общие сведения об электронных приборах.
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника.
Метод расчета концентраций.
Условие электрической нейтральности.
Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках.
Положение уровня Ферми в полупроводниках.
Распределение носителей заряда по энергии.
Неравновесное состояние полупроводника.
Неравновесная и избыточная концентрации носителей заряда.
Плотность тока в полупроводнике.
Уравнение непрерывности.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Потенциальный барьер.
Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме.
Частотные свойства p-n-перехода.
Импульсные свойства р-n-перехода.
Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы.
Разновидности полупроводниковых диодов.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Туннельные и обращенные диоды.
Технологии производства полупроводниковых диодов.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Общие сведения.
Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе.
Эффект Эрли.
Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла).
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде.
Графоаналитическое рассмотрение при большом сигнале.
Биполярный транзистор в квазистатическом режиме как линейный четырехполюсник.
Нелинейная и линейная динамические модели.
Биполярного транзистора.
Нелинейная динамическая модель биполярного транзистора.
Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора.
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора).
Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор.
Симметричные тиристоры (симисторы).
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника.
Метод расчета концентраций.
Условие электрической нейтральности.
Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках.
Положение уровня Ферми в полупроводниках.
Распределение носителей заряда по энергии.
Неравновесное состояние полупроводника.
Неравновесная и избыточная концентрации носителей заряда.
Плотность тока в полупроводнике.
Уравнение непрерывности.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Потенциальный барьер.
Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме.
Частотные свойства p-n-перехода.
Импульсные свойства р-n-перехода.
Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы.
Разновидности полупроводниковых диодов.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Туннельные и обращенные диоды.
Технологии производства полупроводниковых диодов.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Общие сведения.
Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе.
Эффект Эрли.
Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла).
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде.
Графоаналитическое рассмотрение при большом сигнале.
Биполярный транзистор в квазистатическом режиме как линейный четырехполюсник.
Нелинейная и линейная динамические модели.
Биполярного транзистора.
Нелинейная динамическая модель биполярного транзистора.
Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора.
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора).
Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор.
Симметричные тиристоры (симисторы).
Похожие материалы
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
100 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
300 руб.
Физические основы электроники
Фрося
: 25 февраля 2020
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА;
амплитудное значение переменной
составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
1000 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
900 руб.
Физические основы электроники
kombatowoz
: 7 декабря 2019
2 вариант 1,2,3 лабораторные работы
1,2,3 лабораторные работы,2019 год
1 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА.
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3
200 руб.
Другие работы
Использование ЭВМ .... . Контрольная работа. Вариант №5
ElenaA
: 23 октября 2016
1.Для диода, выбранного из таблицы 1 (Тип диода D237A), определить величину тока, если к нему подключено прямое напряжение, выбранное из таблицы 2(Uпр =0,7В). Скопировать схему исследования с показанием приборов.
Показания амперметра: 27.81(мA)
2.Используя команду Analysis/Parameter Sweep построить вольтамперную характеристику (ВАХ) диода из задания 1 в прямом включении. С помощью визирной линии определить точное значение прямого тока для напряжения из таблицы 2 (Uпр =0,7 В). Скопировать гр
100 руб.
Чертежи-Графическая часть-Дипломная работа-Гидравлический ключ НКТ ГК-1200 Чертеж общего вида, ГК-1200 Схема гидравлическая принципиальная, График зависимости моментасвинчивания от давления нагнетания ГК-1200, ГК-1200 Схема монтажа, Моментомер, РОТОР, Дет
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 7 мая 2016
Гидравлический ключ ГК-1200 предназначен для быстрого, безопасного, точного свинчивания и развинчивания бурильных, насосно-компрессорных труб с наружными диаметрами 50 мм (1,99"), 60 мм (23/8"), 73 мм (27/8"), 89 мм (31/2"), 95 мм (33/4"), 108 мм (41/4"), 114 мм (41/2"). Климатическое исполнение "У", категория размещения I ГОСТ 15150 [2].
Гидроключ (рисунок 1.1) подвешивается на вышке или мачте на канате и подводится к НКТ. Энергия потока рабочей жидкости, направленная через
1294 руб.
Анализ эффективности применения технологий водоизоляционных работ в продуктивных пластах Южно-Ягунского месторождения
DoctorKto
: 10 сентября 2011
УГНТУ. ГР-
98. Диплом содержит полностью готовую записку+плакаты.
- краткая геолого-промысловая характеристика месторождения;
- свойства нефтеносных пород и насыщающих пласт флюидов;
- анализ динамики и состояния разработки месторождения;
- анализ эффективности проведения водоизоляционных работ в продуктивных пластах;
- статистическая обработка результатов ремонтно-изоляционных работ;
- рекомендации по повышению эффективности проведения данного вида ремонтов скважин;
- состояние охраны труда
450 руб.
Контрольная работа. Основы техники связи
marvredina
: 17 апреля 2016
Начертить осциллограмму полного ТВ сигнала, соответствующего развертке 70-ой (15∙4=70) строки изображения, показанного на рисунке 1.1. На осциллограмме указать длительность строки, длительность прямого хода развертки, гасящего импульса строк, синхронизирующего импульса строк, а так же численные значения уровне белого, серого, черного, гашения и синхронизирующих импульсов. Осциллограмма должна быть построена под изображением.
и.т.д.
50 руб.