Лекции по дисциплине:"Физические основы электроники"

Цена:
54 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon XXX.DOC
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Общие сведения об электронных приборах.
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника.
Метод расчета концентраций.
Условие электрической нейтральности.
Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках.
Положение уровня Ферми в полупроводниках.
Распределение носителей заряда по энергии.
Неравновесное состояние полупроводника.
Неравновесная и избыточная концентрации носителей заряда.
Плотность тока в полупроводнике.
Уравнение непрерывности.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Потенциальный барьер.
Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме.
Частотные свойства p-n-перехода.
Импульсные свойства р-n-перехода.
Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы.
Разновидности полупроводниковых диодов.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Туннельные и обращенные диоды.
Технологии производства полупроводниковых диодов.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Общие сведения.
Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе.
Эффект Эрли.
Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла).
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде.
Графоаналитическое рассмотрение при большом сигнале.
Биполярный транзистор в квазистатическом режиме как линейный четырехполюсник.
Нелинейная и линейная динамические модели.
Биполярного транзистора.
Нелинейная динамическая модель биполярного транзистора.
Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора.
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора).
Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор.
Симметричные тиристоры (симисторы).
Физические основы электроники
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность 2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
User erboollat : 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером. 2. Отчет о работе ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ. На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
User erboollat : 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Отчет по работе: СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ. Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
User erboollat : 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
User erboollat : 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
Контрольная работа По дисциплине: Физические основы электроники Выполнил: Титова Ю.В. Группа: Т-61в Вариант: №01 Проверил: Савиных Валерий Леонидович Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020
300 руб.
« Физические основы электроники »
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы электроники » . 1. Содержание задач комплексного задания Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) : а) записать исходные данные: марка транзистора ________ тип транзистора ___________ напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В; активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом; постоянн
User Фрося : 25 февраля 2020
900 руб.
Физические основы электроники
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) : а) записать исходные данные: марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В; активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом; постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА; амплитудное значение переменной составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
User Фрося : 25 февраля 2020
1000 руб.
Физические основы электроники
2 вариант 1,2,3 лабораторные работы 1,2,3 лабораторные работы,2019 год 1 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 3
User kombatowoz : 7 декабря 2019
200 руб.
Контрольная работа Математические основы моделирования сетей связи. Вариант №15.
Задано 10 населённых пунктов, связанных сетью. Расстояние между пунктами указано в километрах. Требуется: Задача № 1. Определить номера населённых пунктов, размещение телефонных станций в которых будет оптимальным по удалённости от самого дальнего пункта. Задача № 2. Найти минисуммное решение задачи размещения 5-и телефонных станций из предложенных вариантов (1; 3; 4;6;8), (2;5;7;9;10), (3;5;6;8;10), (1; 2; 5;7;9 (таблица 1). Задача № 3. Определить, по каким кабельным линиям работник станции 2 P
User teacher-sib : 30 августа 2023
1000 руб.
Контрольная работа Математические основы моделирования сетей связи. Вариант №15. promo
Маркетинг в страховании и его специфика
Введение………………………………………………………………..3 Глава 1. Понятие и сущность маркетинга …………………………...4 Стратегия и тактика маркетинга………………………………..4 Маркетинговые исследования…………………………………..8 Стимул, мотив и поведение страхователя, как особое направление маркетингового исследования………………….11 Сегментация страхового рынка ……………………………….14 Глава 2. Услуги страховой компании и их продвижение на рынок…………………………………………………………………..16 2.1. Конкуренция и конкурентоспособность страховой компании………………………………………………………………16
User Slolka : 21 ноября 2013
10 руб.
Звонница Софийского собора XV - XVII вв.
Звонница Софийского собора занимает видное место как в ансамбле Новгородского кремля, так и в силуэте всего города. Возвышаясь из-за кремлевских стен над Волховом, она вместе с Софийским собором создает один из незабываемых архитектурных образов. Звонница дошла до нас в значительно измененном виде. Исследования, проведенные в послевоенные годы, помогли нам представить облик этого памятникам различные периоды его истории. Первые сведения о звоннице Софийского собора относятся к 1437 году. Летопис
User Lokard : 26 августа 2013
15 руб.
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. Губкина Гидродинамика Задача 15 Вариант 5
При условии задачи 12 и известной силе F определите высоту z0 . Проверьте, имеет ли место явление кавитации в сечении 2-2. Расход задан в задаче 14. Задача 12 Поршень диаметром D, двигаясь равномерно, всасывает жидкость из открытого бака с атмосферным давлением рат на поверхности жидкости. Высота всасывания равна z0. Всасывающая труба — длина l, диаметр d, стальная, новая, сварная. Гидравлические сопротивления показаны на рисунке. Температура жидкости t°C. Атмосферное давление равно 100 кП
User Z24 : 7 декабря 2025
200 руб.
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. Губкина Гидродинамика Задача 15 Вариант 5
up Наверх