Контрольная работа "Расчет сопротивлений схемы предварительного каскада усиления на биполярном транзисторе с эмиттерной стабилизацией " 7 вариант
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Дано:
1. Тип транзистора – КТ312Б (n-p-n);
2. h21max/ h21min = 100/25;
3. Iкб0max/T = 30/85 мкА/ ° С;
4. Тс max = 44° С;
5. Еп = 18 В;
6. Rвх сл = 600 Ом;
7. Um вх сл = 80 мВ;
8. Im вх сл = 4 мА;
9. Rпс = 0,4 ° С/мВт.
Выполнить расчет сопротивлений схемы предварительного каскада усиления на биполярном транзисторе с эмиттерной стабилизацией (рисунок 2, с.12, или 3, с.15) с исходными данными, указанными в таблице 1.
Текст пояснительной записки должен включать:
1. Схему рассчитываемого усилителя.
2. Выбор режима работы транзистора.
3. Расчет цепей питания по постоянному току (сопротивлений схемы).
4. Построение нагрузочной прямой по постоянному току (с обоснованием процесса построения).
5. Определение входного сопротивления усилительного каскада по переменному току.
6. Расчет максимального изменения тока коллектора Δiк0 при нагревании транзистора от 25С до Тс мах и изменении коэффициента усиления от h21э min до h21э max.
1. Тип транзистора – КТ312Б (n-p-n);
2. h21max/ h21min = 100/25;
3. Iкб0max/T = 30/85 мкА/ ° С;
4. Тс max = 44° С;
5. Еп = 18 В;
6. Rвх сл = 600 Ом;
7. Um вх сл = 80 мВ;
8. Im вх сл = 4 мА;
9. Rпс = 0,4 ° С/мВт.
Выполнить расчет сопротивлений схемы предварительного каскада усиления на биполярном транзисторе с эмиттерной стабилизацией (рисунок 2, с.12, или 3, с.15) с исходными данными, указанными в таблице 1.
Текст пояснительной записки должен включать:
1. Схему рассчитываемого усилителя.
2. Выбор режима работы транзистора.
3. Расчет цепей питания по постоянному току (сопротивлений схемы).
4. Построение нагрузочной прямой по постоянному току (с обоснованием процесса построения).
5. Определение входного сопротивления усилительного каскада по переменному току.
6. Расчет максимального изменения тока коллектора Δiк0 при нагревании транзистора от 25С до Тс мах и изменении коэффициента усиления от h21э min до h21э max.
Дополнительная информация
Год сдачи 2012
Проверил Архипов С.Н.
Работа зачтена
Проверил Архипов С.Н.
Работа зачтена
Другие работы
Дипломная работа (Выпускная квалификационная работа бакалавра). Веб-приложение для управления проектами.
RedSunrise
: 10 февраля 2018
АННОТАЦИЯ
Выпускной квалификационной работы студента
по теме «Управление проектами»
Объём работы – 97 страниц (45 страниц до приложений), на которых размещены 27 рисунков и 21 таблица. При написании работы использовалось 6 источников.
Ключевыеслова: PHP, SQL, HTML, CSS, JavaScript, phpMyAdmin, OpenServer, Brackets
1000 руб.
Лидерство.б (ответы на тест Синергия МОИ МТИ МосАП)
alehaivanov
: 11 октября 2023
Лидерство / Командная работа и лидерство
Результат 93….100 из 100.
Лидерство.б
1. Тема 1. Введение в теоретические основы лидерства
2. Тема 2. Я – лидер или идентификация лидера
3. Тема 3. Предпринимательский селф-менеджмент
4. Тема 4. Умение вести за собой или первый среди равных
5. Тема 5. Управляй другими или формирование команды в бизнесе
6. Тема 6. Управление лидерами, или Коучинг
7. Дополнительные материалы
… – это феномен воздействия или влияния индивида на мнения, оценки, отношения и
155 руб.
Сопротивление материалов Задача 6.12 Вариант 531
Z24
: 28 сентября 2025
Тема «Поперечный изгиб»
Произвести расчет на прочность консольной балки (рис. 9). Материал балки – сталь с допускаемым напряжением при изгибе [σи]=200 МПа.
Требуется:
1) построить эпюры поперечных сил и изгибающих моментов;
2) определить размеры поперечного сечения балки: для круглого сечения — диаметр; для прямоугольного – значения сторон, считая, что отношение высоты сечения к его ширине равно двум.
250 руб.
Курсовая работа по Электронике. Разработка интегральных схем
andreyka1486
: 16 июня 2011
СибГУТИ 04вариант
Содержание
Техническое задание
Введение
1. Разработка структурной схемы.
2. Разработка принципиальной схемы.
3. Разработка интегральной микросхемы.
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов.
3.2. Разработка топологии.
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.
Заключение.
Список литературы.
Техническое задание
№ Варианта – 04
Uпит=-12В
Кu=7
Rвх=4,7Мом
Rн=2кОм
Uном=2В
Fн=300Гц
Fв=3,4Кгц
Мн=2дБ
Мв=2дБ
Тип входа н
150 руб.