Схемотехника телекоммуникационных устройств Лабораторная работа №1. Вариант №5

Схемотехника телекоммуникационных устройств Лабораторная No1 Вариант 5, зачтена на отлично, год сдачи 2012.
1 Цель работы

Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).

2 Подготовка к работе

2.1. Изучить следующие вопросы курса:
- цепи питания и схемы смещения транзисторных каскадов усиления;
- свойства и особенности каскадов предварительного усиления;
- назначение элементов принципиальной схемы резисторного каскада;
- амплитудно-частотные характеристики (АЧХ) резисторного каскада;
- переходные характеристики резисторного каскада;
- эквивалентные схемы и линейные искажения в резисторном каскаде; расчетные соотношения для резисторного каскада.
2.2. Изучить особенности работы с программой Electronics workbench и принципиальную схему усилителя (рисунок 11).
2.3. Для заданной схемы, в соответствии с исходными данными, указанными в таблице 1, рассчитать следующие параметры усилителя:
- коэффициент усиления по напряжению, сквозной коэффициент усиления каскада.
- коэффициент частотных искажений каскада на частоте 100 Гц, обусловленной влиянием емкости в цепи эмиттера Сэ (С5) и разделительных конденсаторов Ср вх (С1) и Ср вых (С2). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. При этом учесть, что выходное сопротивление транзистора значительно больше сопротивления в цепи коллектора R4.
- коэффициент частотных искажений Мв на частоте 100 кГц, обусловленной динамической емкостью Сбэ дин транзистора и емкостью нагрузки Сн (С3). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами.
- время установления переднего фронта прямоугольного импульса малой длительности (tи = 5мкс). При этом считать, что переходные искажения в области малых времен определяется выходной цепью каскада:
tуст = 2,2СнRэв вых,     (2.1)
где Rэв вых – эквивалентное сопротивление выходной цепи каскада, рассчитанное для диапазона верхних частот.
- относительный спад плоской вершины прямоугольного импульса большой длительности (tи = 5000мкс) вследствие влияния разделительных емкостей.

Исходные данные для предварительного расчета: транзистор типа KT3102А с параметрами: h21э=185, Сбэ дин=1,8нФ, fh21э=1,5МГц, rбб = 50 Ом; напряжение источника питания Eп=15В, ток покоя транзистора iк0=18,6мА.
Варианты значений выходной разделительной емкости (С2) и емкости нагрузки С4, указанные в таблице 1, выбираются по последней цифре пароля.

Таблица 1 – Варианты значений емкостей

Сдано 2012