Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 10-й вариант
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника физическая, Работа
-
Добавлен:
23.02.2013
-
Размер:
665 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
Помощь студентам СибГУТИ ДО
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
831456D4-6F5D-430E-A62F-A48A8E8FA9BD.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h.
№ вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
0 КТ605А 15 200 750 375 20 3,0 210
Задача 2.
Используя характеристики заданного Б.Т. определить h- параметры в рабочей точки задачи 1.
Задача №3.
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |Н21| / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача №4.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Таблица П.1.2 приложения 1.
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
1 КП 103 К 7 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h.
№ вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
0 КТ605А 15 200 750 375 20 3,0 210
Задача 2.
Используя характеристики заданного Б.Т. определить h- параметры в рабочей точки задачи 1.
Задача №3.
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |Н21| / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача №4.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Таблица П.1.2 приложения 1.
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
1 КП 103 К 7 4
Дополнительная информация
Новосибирск,2008,оценка хорошо
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 1-й вариант
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
ЗАДАЧА 1
Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой при UКЭ=0 соответствует точке IК=EК/RН. Абсцисса при IК=0 соответствует точке UКЭ=ЕК. Соединение этих координат и является построением нагрузочной линии.
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
0 КТ603А 50 1000 200
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
andreyan
: 13 декабря 2017
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
sergeyw78
: 23 мая 2013
ЗАДАЧА №1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
ЗАДАЧА №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
sergeyw78
: 23 мая 2013
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
RomIN
: 1 июля 2010
СибГути 04 вариант
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) ра
RomIN
: 1 июля 2010
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 3-й семестр. вариант №21
Serebro09
: 16 марта 2015
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 4
Исходные данные для задачи берем
Serebro09
: 16 марта 2015
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники.3-й семестр. Вариант №19
58197
: 22 сентября 2013
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
58197
: 22 сентября 2013
75 руб.
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине: Персональный менеджмент. Вариант №
IT-STUDHELP
: 26 декабря 2022
Контрольная работа
Задание 1
Цель работы – отразить результаты работы по самоанализу своей деятельности, целеполаганию и формированию плана профессиональной карьеры.
Примерная структура работы включает:
1. Мои профессиональные цели.
2. Ситуация на рынке труда. Обзор требований работодателей к соискателям. Самоанализ.
Задание 2
ЗАДАНИЕ (тип эссе)
Руководствуясь личностным подходом к персональному менеджменту, выполните SWOT-анализ личных и профессиональных качеств себя как потенциального сот
IT-STUDHELP
: 26 декабря 2022
350 руб.
Задания и задачи. Экономика организации розничной торговли.
studypro3
: 30 ноября 2017
Задание 1.
Оцените влияние на товарооборот различных факторов. И проведите анализ полученных данных и сделайте вывод.
Показатели Прошлый год Отчетный год Изменение (+/-) Влияние на товарооборот
Розничный товарооборот в сопоставимых ценах , млн р. 6988 7391
Среднесписочная численность, чел. 60 55
Производительность труда, млн р/чел
Торговая площадь, м2 650 670
Эффективность использования торговой площади, млн р/ м2 (Розничный товарооборот/Торговая площадь)*100
Запасы на начало год
studypro3
: 30 ноября 2017
400 руб.
«Средства коммутации и доставки сообщений в ШЦСС» Экзамен Билет № 5
dimont1984
: 1 февраля 2015
Билет № 5
1. Приведите структуру стека протоколов маршрутизации PNNI.
PNNI состоит из двух независимых частей:
• стек протоколов маршрутизации PNNI;
• стек протоколов сигнализации PNNI....
2. Приведите формат адреса для логического узла в PNNI, который на данном уровне представляет одноранговую группу.
Адресация и идентификация объектов PNNI, участвующих в маршрутизации, основана на использовании адресации конечных систем ATM (AESA) и префиксов, применяемых к ним....
dimont1984
: 1 февраля 2015
Персонифицированный учет в системе государственного пенсионного страхования
DocentMark
: 4 ноября 2012
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1.ИНДИВИДУАЛЬНЫЙ (ПЕРСОНИФИЦИРОВАННЫЙ) УЧЁТ В СИСТЕМЕ ГОСУДАРСТВЕННОГО ПЕСИОННОГО СТРАХОВАНИЯ И НАЗНАЧЕНИЯ ПЕНСИИ
1.1 Понятие, цели, и значение индивидуального (персонифицированного) учета
1.2 Основные принципы индивидуального (персонифицированного) учета
ГЛАВА 2.ОТДЕЛ ИНДИВИДУАЛЬНОГО (ПЕРСОНИФИЦИРОВАННОГО) УЧЁТА
2.1 Учет взносов (налогов) на пенсионное страхование и трудового стажа застрахованных лиц
2.2 Организация работы региональных отделений Пенсионного фонда РФ по актуализац
DocentMark
: 4 ноября 2012
