Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 1-й вариант
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника физическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
23.02.2013
-
Размер:
1 MB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
Помощь студентам СибГУТИ ДО
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
F9593B4E-7010-46DF-A4E3-4F49844D86FA.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
ЗАДАЧА 1
Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой при UКЭ=0 соответствует точке IК=EК/RН. Абсцисса при IК=0 соответствует точке UКЭ=ЕК. Соединение этих координат и является построением нагрузочной линии.
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
0 КТ603А 50 1000 200 150 100 2,0 100
Задача 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
ЗАДАЧА 4
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8
Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой при UКЭ=0 соответствует точке IК=EК/RН. Абсцисса при IК=0 соответствует точке UКЭ=ЕК. Соединение этих координат и является построением нагрузочной линии.
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
0 КТ603А 50 1000 200 150 100 2,0 100
Задача 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
ЗАДАЧА 4
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8
Дополнительная информация
Новосибирск,2010 год,зачтено
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 10-й вариант
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
andreyan
: 13 декабря 2017
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
sergeyw78
: 23 мая 2013
ЗАДАЧА №1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
ЗАДАЧА №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
sergeyw78
: 23 мая 2013
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
RomIN
: 1 июля 2010
СибГути 04 вариант
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) ра
RomIN
: 1 июля 2010
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 3-й семестр. вариант №21
Serebro09
: 16 марта 2015
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 4
Исходные данные для задачи берем
Serebro09
: 16 марта 2015
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники.3-й семестр. Вариант №19
58197
: 22 сентября 2013
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
58197
: 22 сентября 2013
75 руб.
Другие работы
Форма государственного устройства Японии в историческом и правовом аспектах
evelin
: 11 января 2014
План
Введение
Глава 1. Эволюция формы правления в Японии
1.1 Конституционный строй в период правления династии Тэнно (конец 19 в.). Конституция 1889г.
1.2 Конституционные реформы под давлением США. Конституция 1947г.
Глава 2. Форма государства Япония
2.1 Форма правления в Японии
2.2 Территориальное устройство и государственный режим Японии
Глава 3. Конституционные основы организации государственной власти в Японии
3.1 Глава государства
3.2 Законодательная власть
3.3 Исполнительная власть
3.4 Суд
evelin
: 11 января 2014
15 руб.
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 3 Вариант 87
Z24
: 15 декабря 2025
Сухой газ массой 1 кг совершает ряд последовательных термодинамических процессов (1-2; 2-3; 3-4).
Определить:
— давление, удельный объем и температуру газа в каждой точке (1, 2, 3, 4);
— для каждого процесса определить:
1) изменение внутренней энергии;
2) изменение энтальпии;
3) теплоту процесса;
4) термодинамическую работу расширения;
5) потенциальную работу;
— суммарное количество подведенной и отведенной теплоты и работы;
— построить в р-υ — координатах графическ
Z24
: 15 декабря 2025
240 руб.
Гидравлика Пермская ГСХА Задача 104 Вариант 2
Z24
: 6 ноября 2025
Центробежный насос поднимает воду на высоту Hг по всасывающей и нагнетательной магистралям. Размеры магистралей, в том числе диаметры и длины указаны в таблице исходных данных. Требуется:
Определить подачу насоса QН и мощность на валу N при частоте вращения рабочего колеса n = 900 мин-1.
Определить мощность, потребляемую насосом, при уменьшении его подачи на 25% дросселированием задвижкой.
Пересчитать главные параметры насоса: подачу, напор и мощность при изменении частоты вращения рабочего
Z24
: 6 ноября 2025
250 руб.
Тепломассообмен КГУ Курган 2020 Задача 2 Вариант 38
Z24
: 12 января 2026
Определить потери теплоты в единицу времени с 1 м длины горизонтально расположенной цилиндрической трубы, охлаждаемой свободным потоком воздуха, если температура стенки трубы tc, температура воздуха в помещении tв, а диаметр трубы d. Степень черноты трубы εс = 0,9.
Z24
: 12 января 2026
200 руб.
