Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 1-й вариант
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника физическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
23.02.2013
-
Размер:
1 MB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
Помощь студентам СибГУТИ ДО
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
F9593B4E-7010-46DF-A4E3-4F49844D86FA.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
ЗАДАЧА 1
Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой при UКЭ=0 соответствует точке IК=EК/RН. Абсцисса при IК=0 соответствует точке UКЭ=ЕК. Соединение этих координат и является построением нагрузочной линии.
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
0 КТ603А 50 1000 200 150 100 2,0 100
Задача 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
ЗАДАЧА 4
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8
Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой при UКЭ=0 соответствует точке IК=EК/RН. Абсцисса при IК=0 соответствует точке UКЭ=ЕК. Соединение этих координат и является построением нагрузочной линии.
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
0 КТ603А 50 1000 200 150 100 2,0 100
Задача 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
ЗАДАЧА 4
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8
Дополнительная информация
Новосибирск,2010 год,зачтено
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 10-й вариант
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
andreyan
: 13 декабря 2017
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
sergeyw78
: 23 мая 2013
ЗАДАЧА №1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
ЗАДАЧА №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
sergeyw78
: 23 мая 2013
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
RomIN
: 1 июля 2010
СибГути 04 вариант
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) ра
RomIN
: 1 июля 2010
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 3-й семестр. вариант №21
Serebro09
: 16 марта 2015
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 4
Исходные данные для задачи берем
Serebro09
: 16 марта 2015
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники.3-й семестр. Вариант №19
58197
: 22 сентября 2013
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
58197
: 22 сентября 2013
75 руб.
Другие работы
Клапан перепускной МЧ00.01.00.00 3d SOLIDWORKS
bublegum
: 31 марта 2021
Клапан перепускной МЧ00.01.00.00 3d модель
Клапан перепускной МЧ00.01.00.00 3d SOLIDWORKS
Клапан перепускной устанавливается на трубопроводах и служит для перепуска избытка жидкого топлива в запасной бак. Если давление в связи с избытком топлива повышается, то клапан поз.4 поднимается и излишек топлива отводится через отверстие детали поз.1 в сливной бак.
Работу клапана регулируют винтом поз.7, изменяя степень сжатия пружины поз.6. Для предохранения регулирующей системы от возможных повреждений
bublegum
: 31 марта 2021
300 руб.
Курсовая работа по предмету «Имитационное моделирование экономических процессов». Вариант №5.
teacher-sib
: 16 декабря 2016
05. XML и онтологии в имитационном моделировании
Оглавление
Введение 4
1. Особенности применения языка XML 6
1.1 Правила для создания XML-документов 8
1.2 XML и имитационное моделирование 9
1.2.1 Проект NIST 10
1.2.2 Проект Rube 12
1.2.3 Проект OpenSML 15
1.2.4 Язык SRML 17
2. Использование онтологий в имитационном моделировании 19
2.1 Средства представления онтологий 19
2.2 BOM 20
2.3 OWL 20
2.4 Стандарты IDEF 22
Заключение 23
Список использованной литературы 24
teacher-sib
: 16 декабря 2016
400 руб.
Гидравлика Задача 1.29
Z24
: 1 декабря 2025
Определить среднюю толщину отложений в герметичном водоводе внутренним диаметром d=0,5 м и длиной l=3 км. При выпуске воды объемом ΔV=0,08 м³ давление в водоводе падает на Δр=1 МПа. Отложения по диаметру и длине водовода распределены равномерно. Коэффициент объемного сжатия воды βр=5·10-10 1/Па.
Z24
: 1 декабря 2025
120 руб.
Лабораторная работа № 3.6 Измерение частоты и периода электрических сигналов вариант 07
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 13 ноября 2017
Таблица1.1. Значения частоты F1 генератора сигнала при измерении частоты и периода.
Варианты Последняя цифра номера зачетной книжки (пароля) 7
F1, кГц 0,065
Таблица 1.2. Значения частоты F2 генератора сигнала при измерении частоты и периода.
Варианты предпоследняя цифра номера зачетной книжки (пароля) 0
F2 , кГц 95
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 13 ноября 2017
350 руб.
