Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 1-й вариант
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника физическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
23.02.2013
-
Размер:
1 MB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
Помощь студентам СибГУТИ ДО
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
F9593B4E-7010-46DF-A4E3-4F49844D86FA.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
ЗАДАЧА 1
Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой при UКЭ=0 соответствует точке IК=EК/RН. Абсцисса при IК=0 соответствует точке UКЭ=ЕК. Соединение этих координат и является построением нагрузочной линии.
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
0 КТ603А 50 1000 200 150 100 2,0 100
Задача 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
ЗАДАЧА 4
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8
Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой при UКЭ=0 соответствует точке IК=EК/RН. Абсцисса при IК=0 соответствует точке UКЭ=ЕК. Соединение этих координат и является построением нагрузочной линии.
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
0 КТ603А 50 1000 200 150 100 2,0 100
Задача 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
ЗАДАЧА 4
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8
Дополнительная информация
Новосибирск,2010 год,зачтено
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 10-й вариант
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
andreyan
: 13 декабря 2017
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
sergeyw78
: 23 мая 2013
ЗАДАЧА №1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
ЗАДАЧА №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
sergeyw78
: 23 мая 2013
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
RomIN
: 1 июля 2010
СибГути 04 вариант
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) ра
RomIN
: 1 июля 2010
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". 3-й семестр. вариант №21
Serebro09
: 16 марта 2015
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 4
Исходные данные для задачи берем
Serebro09
: 16 марта 2015
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники.3-й семестр. Вариант №19
58197
: 22 сентября 2013
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
58197
: 22 сентября 2013
75 руб.
Другие работы
Опора - Вариант 11. Задание 60
.Инженер.
: 22 июля 2025
С.К. Боголюбов. Индивидуальные задания по курсу черчения. Задание 60. Вариант 11. Опора.
По двум данным проекциям построить третью проекцию с применением разрезов, указанных в схеме, изометрическую проекцию учебной модели с вырезом передней четверти.
В состав работы входит:
Чертеж;
3D модель.
Выполнено в программе Компас + чертеж в PDF.
.Инженер.
: 22 июля 2025
150 руб.
Геополитические идеи в современной американской геополитике
alfFRED
: 12 января 2014
Содержание
Введение……………………………………………………………………….3
1.Развитие идей атлантизма………………………………………………...5
2.Течения геополитической мысли Запада……………………………….8
Заключение ………………………………………………………………….13
Список литературы ………………………………………………………...16
Введение
С того момента, как континенты стали взаимодействовать в политическом отношении, Евразия становится центром мирового могущества. Однако последнее десятилетие ХХ века было отмечено огромным сдвигом в мировых делах. В течение всего лишь одного столетия А
alfFRED
: 12 января 2014
10 руб.
Опора валковой дробилки МЧ00.68.00.00. Деталировка
bublegum
: 15 марта 2021
Валковая дробилка применяется в литейном производстве для размельчения комьев отработанной формовочной земли.
Валы валковой дробилки опираются на подшипники двух опор. На чертеже изображена одна из опор дробилки. Станина поз. 1 имеет направляющий выступ, который входит в паз корпуса поз. 4, для предупреждения перекоса подшипника. Если в формовочную смесь попадает инородный предмет, то корпус подшипника с валом (на чертеже не показан) и насаженным на него валком (на чертеже показан тонкой линией)
bublegum
: 15 марта 2021
600 руб.
Специальные главы математики. Контрольная работа. Вариант 09. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 21 мая 2016
Задача 1
0. Скалярное поле Ф задано в цилиндрической системе координат функцией Ф=5 rcos(ф)- 3zsin(ф).
Вычислить векторное поле grad(ф).
Задача 2
9. Найти решение первой внутренней граничной задачи для уравнения Гельмгольца в двумерной цилиндрической области R1≤r≤R2;0≤ф<2п при граничных условиях: u(R1,ф) = 0; u(R2,ф) = 0.
TheMrAlexey
: 21 мая 2016
50 руб.
