Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №1
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника физическая, Работа
-
Добавлен:
17.03.2013
-
Размер:
877 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
Andrev111111
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
КР по физическим основам электроники..doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложения 2)
включённого по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя
графоаналитическим методом.
Дано: транзистор KT603A, напряжения питания Ek = 50В, сопротивления нагрузки RH = 1000 Ом,
постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ = 150мкА.
Задача No2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача No3. Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного
коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача No4. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока.
Дано: полевой транзистор типа КП 903 А, UСИ0= 18В, UЗИ0=8В.
включённого по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя
графоаналитическим методом.
Дано: транзистор KT603A, напряжения питания Ek = 50В, сопротивления нагрузки RH = 1000 Ом,
постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ = 150мкА.
Задача No2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача No3. Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного
коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача No4. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока.
Дано: полевой транзистор типа КП 903 А, UСИ0= 18В, UЗИ0=8В.
Дополнительная информация
Работа сдавалась в 2011г.
Оценка: Зачет
Оценка: Зачет
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №1
SibGOODy
: 28 августа 2018
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по
SibGOODy
: 28 августа 2018
700 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №1
Gila
: 17 января 2019
1. Транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
2. Находим h - параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
3.Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэ
Gila
: 17 января 2019
190 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №1
007lena007
: 20 февраля 2017
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
007lena007
: 20 февраля 2017
79 руб.
Контрольная работа. Вариант №1. Физические основы электроники
Teuserer
: 24 декабря 2015
Задача №1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего режима) коэффициенты усиления п
Teuserer
: 24 декабря 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
andreyan
: 13 декабря 2017
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
sergeyw78
: 23 мая 2013
ЗАДАЧА №1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
ЗАДАЧА №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
sergeyw78
: 23 мая 2013
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
300 руб.
Другие работы
Рак желудка
VikkiROY
: 3 февраля 2013
А – вид спереди, без серозной оболочки и со вскрытыми слоями мышечной оболочки; 1 – брюшная часть пищевода; 2 – область входа в желудок; 3 – привратник; 4 – большая кривизна; 5 – малая кривизна, 6 – свод; 7 – тело желудка; 8 – продольный слой мышечной оболочки (почти на всем протяжении желудка снят); 9 – слой кольцевых мышц (в двух местах снят); 10 – слой косых мышц; Б – рентгенограмма желудка при среднем наполнении его контрастной массой, XII – двенадцатое ребро; III – третий поясничный позвоно
VikkiROY
: 3 февраля 2013
Буфер МЧ00.27.00.00
vermux1
: 14 июля 2017
Буфер МЧ00.27.00.00
Буфер используется в автоматических линиях с целью предотвращения поломок деталей при их обработке на металлорежущих станках.
Деталь, поданная на конвейер, устанавливается в осевом направлении под давлением толкателя, который подводит деталь до буфера поз. 9. При ударе буфер упирается в пружину поз. 4, которая, сжимаясь, поглощает удар. С помощью бегунков поз. 6 деталь передается на следующую операцию автоматической линии.
Буфер МЧ00.27.00.00 сборочный чертеж
Буфер МЧ00.27.
vermux1
: 14 июля 2017
170 руб.
Альтернативные методики определения меры экономического неравенства
alfFRED
: 5 ноября 2013
Индекс развития человеческого потенциала - это интегральный (целостный) показатель, рассчитываемый периодически для межстранового сравнения и измерения бедности, грамотности, образованности и долголетия как основных явлений, определяющих человеческий потенциал (людское развитие) исследуемой территории. Он является стандартным инструментом при общем сравнении различных стран.
При подсчёте ИРЧП учитываются 3 вида показателей:
Средняя продолжительность предстоящей жизни при рождении (СППЖР) — оце
alfFRED
: 5 ноября 2013
10 руб.
Основы теории цепей. Вариант 8 и 33, семестр 3
DonTepo
: 12 марта 2012
На входе полосового фильтра действуют периодические прямоугольные радиоимпульсы (рис. 1.1) с параметрами: tи – длительность импульсов, Tи – период следования; Tн – период несущей частоты; Umн – амплитуда несущего колебания, имеющего форму гармонического uн(t) = Umн × coswнt.
Требуется рассчитать двусторонне нагруженный пассивный полосовой LC-фильтр и активный полосовой RC-фильтр для выделения эффективной части спектра радиоимпульсов, лежащей в полосе частот от (fн – 1/tи) до (fн + 1/tи) (главный
DonTepo
: 12 марта 2012
80 руб.
