Контрольная работа по ФОЭ. Вариант № 9

Цена:
160 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon к 3 задаче.xls
material.view.file_icon Задача 1+2+3+4.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Excel
  • Microsoft Word

Описание

ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
ЗАДАЧА 4
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.

Дополнительная информация

Отлично
Работа без ошибок, присутствуют все характеристики, графики и таблицы.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1
Приложены файлы для построения графиков ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗА
User ДО Сибгути : 26 января 2013
40 руб.
promo
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №0
4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1. Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1 Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1. Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частотыН21/ h21=F(f) для различных схем
User ДО Сибгути : 26 января 2013
100 руб.
promo
Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
Специальность ФТОС Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: Тип полупроводника n-тип Ge Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см Подвижность электронов μn = 1800 см2/(В*с) Подвижностьм дырок μр = 140 см2/(В*с) Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3 Концентрация основных носителей тока nn = ? Концентрация неосновных носителей тока pn = ? 1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3 Энергия
User azatmar : 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 4-й вариант
4 задачи. 1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант доц. Савиных В. Л. Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой
User Aronitue9 : 8 марта 2012
20 руб.
Контрольная работа. ФОЭ
Задача No 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА. Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявит
User IT : 12 марта 2015
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. специальность ФТОС. вариант 7
Задача 1 Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: Тип полупроводника n-тип InP Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см Подвижность электронов μn = 4600 см2/(В*с) Подвижностьм дырок μр = 150 см2/(В*с) Концентрация собственных носителей тока ni = 3*108 см-3 Концентрация основных носителей тока nn = ? Концентрация неосновных носителей тока pn = ? Эффективная плотность уровня NC = 2,6*1018 см-3 Энергия примесных уров
User azatmar : 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Контрольная работа по ФОЭ, Вариант №19, Ускоренное обучение 2 курс
Контрольная работа по ФОЭ, Вариант №19 Вопрос 1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д303 и регистра 0,4 Ома.На ВАХ диода построить нагрузочную прямую Uвх=1,2 В. Определить ток, падения напряжения на диоде и нагрузке Т=20С Вопрос 2. Для двух точек( одна на прямой ветви ВАХ при Iпр=2,5 А, другая на обратной Uобр=100 В) определить сопротивление по постоянному току Т=60С. Вопрос 3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если Uст=47 В, Iст min =5 мА, Rн=47
User Twinki : 13 октября 2016
300 руб.
Контрольная работа по ФОЭ, Вариант №19, Ускоренное обучение 2 курс
Экзамен по дисциплине: Основы надежности средств связи. Билет №5
Экзаменационная работа по дисциплине: Основы надежности средств связи -------------------------------------------------- Вопросы: 1. Перечислите показатели структурной надежности сети связи. 2. Укажите методы повышения надежности технических средств.
User IT-STUDHELP : 8 ноября 2022
200 руб.
promo
Зачетная работа по дисциплине: Системы сигнализации и коммутации в беспроводных сетях. Билет №19
Билет № 19 1. Технология SIP-телефонии. Архитектура SIP-сети. Основные компоненты 2. Технологии ОКС-7. Назначение, виды информации, передаваемые по сети ОКС-7. 3. Изобразить в виде диаграммы основные процедуры реализации услуг IP- телефонии для Вашего маршрута в сети, изображенной на рисунке
User Roma967 : 8 июля 2023
800 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Системы сигнализации и коммутации в беспроводных сетях. Билет №19 promo
Проектирование конструкций металлорежущих инструментов. Шевер дисковый
Введение 4 1 Шевер дисковый 5 1.1 Проектный расчет 5 1.2. Технические требования на изготовление шевера 11 1.3 Термическая обработка 12 1.4 Расход инструментального материала 12 2 Фреза резьбовая 13 2.1 Исходные данные 13 2.2 Проектный расчет 13 2.3 Технические требования на изготовление фрезы 15 3 Комбинированный инструмент под сквозное отверстие. 16 3.1. Проектный расчет зенкера 17 3.2 Схема расчета полей допусков и диаметров развертки 18 3.3 Технические требования на изготовление и контрол
User GnobYTEL : 20 мая 2012
44 руб.
Проектирование конструкций металлорежущих инструментов. Шевер дисковый
Отчет о преддипломной практике на ООО "СХП Куркино"
СОДЕРЖАНИЕ Введение.........................................................................................5 Основная часть (описание этапов практики)............................................6 1. Ознакомление со структурой и направлениями деятельности предпри-ятия..............................................................................6 2. Изучение структуры и функций финансовой службы предприятия..........7 3. Изучение организации расчетов с поставщиками и покупателями, управление д
User Aronitue9 : 20 августа 2012
20 руб.
up Наверх