Лабораторная работа №1. Физические основы электроники. 2-й семестр, Вариант: №2
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа №2
"Исследование статических характеристик
биполярного транзистора"
По дисциплине: Физические основы электроники
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Схема с ОБ
Схема исследования
"Исследование статических характеристик
биполярного транзистора"
По дисциплине: Физические основы электроники
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Схема с ОБ
Схема исследования
Дополнительная информация
Новосибирск, 2011г. Зачет.
Похожие материалы
Лабораторные работы № 1-3. Физические основы электроники, 3-й семестр
SybNet
: 22 сентября 2012
Лабораторные работы №1-3 Физические основы электроники, 3 семестр
Работы без варианта, но выполняются через программу в онлайн.
Дистанционное обучение СибГУТИ
Лаб. №1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (диоды Д7Ж и Д220).
Лаб. №2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора" (транзистор МП37А)
Лаб №3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторные работы №№1-3 . 3-й семестр. Вариант №19
58197
: 22 сентября 2013
ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2
"ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА"
Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики
65 руб.
Лабораторные работы №1, №2, №3 по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр)
ДО Сибгути
: 10 февраля 2016
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с
200 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Другие работы
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 1 Вариант 67
Z24
: 28 декабря 2025
Закрытый резервуар с жидкостью плотностью ρж = 820 кг/м³ снабжен закрытым пьезометром, ртутным дифманометром и механическим манометром. Определить высоту поднятия ртути hрт в дифманометре и пьезометрическую высоту hx в закрытом пьезометре, если известны: показание манометра рм = (0,12 + 0,005·y) МПа и высоты h1 = (2,3 + 0,05·y) м, h2 = (1,3 + 0,05·z) м, h3 = (2,0 + 0,05·y) (рис. 1).
150 руб.
Системный интерфейс Compact PCI и его архитектура Compact PCI модулей центральных процессоров фирмы INOVA
VikkiROY
: 30 сентября 2013
CompactPCI - это стандарт, описывающий современную высокопроизводительную магистрально - модульную систему (конструктив, электрические и логические параметры) для промышленных, телекоммуникационных и графических встраиваемых компьютерных приложений повышенной надёжности. В основе электрических и логических параметров стандарта лежат спецификации самого популярного стандарта "офисных" компьютеров - PCI, механическая основа - Еврокарты формата 3U (100х160 мм) и 6U (233х160 мм).
В отличие от обычн
5 руб.
Теплотехника Задача 13.130
Z24
: 4 февраля 2026
Перегретый пар объемом 2 м³, температурой 500 ºС и удельным объемом 1,2 м³/кг вначале изобарно переходит в состояние с влажностью 19%, а затем изохорно в состояние с влажностью 5%.
Определить изменение внутренней энергии пара, количество передаваемой теплоты и работу для совокупности процессов. Изобразить процессы на i-s, p-υ и T-s диаграммах.
250 руб.
Лямблиоз: сущность, эпидемиология, патофизиология, патогенез
alfFRED
: 7 февраля 2013
Лямблиоз – инвазия лямблиями, протекающая в виде дисфункции кишечника или как бессимптомное паразитоносительство. Источником инвазии является только человек. Заражение происходит через рот при попадании в организм загрязнённых лямблиями пищевых продуктов или воды, а также при занесении лямблий в рот грязными руками и т.п. Воротами инфекции являются верхние отделы тонкой кишки. В настоящее время установлено, что для развития лямблиоза достаточно заглотить несколько (до 10) цист. В организме хозяи