Контрольная работа по предмету: «Физические основы электроники». Вариант № 19 (29)
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1
Дано: транзистор КТ603А, Е =75 В, I =250 мкА, I =150 мкА,
R =1500 Ом.
На графике выходных статических характеристик (рисунок 1.1) строим нагрузочную линию описываемою уравнением:
I =(E -U )/ R .
При U =0, I =E /R =75/1500=50 мА.
При I =0, E =U =75 В
Задача No2
Находим h-параметры в рабочей точке, которая определена в задаче No1. На входных характеристиках задаемся приращением тока базы ΔI = 50=100 мкА относительно рабочей точки I =250 мкА
Задача No3
Дано: f=100 МГц, |H|=3,0 τ =60 пс.
Определяем предельную частоту для схемы с общим эмиттером:
f ≈ ≈ ≈2,83 Мгц
определяем предельную частоту для схемы с общей базой:
f = f *(h +1)=2,83*(106+1)=302,81 МГц
Граничная частота f = f *h =1,22*45≈300 МГц
Задача No4
Полевой транзистор КП103К, напряжение сток-исток U =7 B, U =4 В. По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано: транзистор КТ603А, Е =75 В, I =250 мкА, I =150 мкА,
R =1500 Ом.
На графике выходных статических характеристик (рисунок 1.1) строим нагрузочную линию описываемою уравнением:
I =(E -U )/ R .
При U =0, I =E /R =75/1500=50 мА.
При I =0, E =U =75 В
Задача No2
Находим h-параметры в рабочей точке, которая определена в задаче No1. На входных характеристиках задаемся приращением тока базы ΔI = 50=100 мкА относительно рабочей точки I =250 мкА
Задача No3
Дано: f=100 МГц, |H|=3,0 τ =60 пс.
Определяем предельную частоту для схемы с общим эмиттером:
f ≈ ≈ ≈2,83 Мгц
определяем предельную частоту для схемы с общей базой:
f = f *(h +1)=2,83*(106+1)=302,81 МГц
Граничная частота f = f *h =1,22*45≈300 МГц
Задача No4
Полевой транзистор КП103К, напряжение сток-исток U =7 B, U =4 В. По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дополнительная информация
Оценка - отлично!
Похожие материалы
Контрольная работа по предмету физические основы электроники. Вариант 01
te86
: 17 мая 2013
Задание 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления
60 руб.
Контрольная работа по предмету: Физические основы электроники. Вариант № 10
2pqp
: 7 декабря 2012
Задача 1.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Задача 2.
Используя характеристики заданного Б.Т. определить h- параметры в рабочей точки задачи 1.
Задача №3.
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента пер
50 руб.
Контрольная работа по предмету: Физические основы электроники. Вариант № 0 и 5
merzavec
: 9 января 2013
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". Содержит 4 задачи. Задачи 1,2,3 по варианту No5 и задача 4 по варианту No0.
Задача 1:
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.......
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.....
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2),
110 руб.
Расчетно-графическая работа по физическим основам электроники Вариант 19
sasush
: 17 февраля 2016
Вариант 19
1. По входным характеристикам полевого транзистора КП302Д Ucи0 = 14 В; Uзи0 = -8 В построить передаточную характеристику. Определить дифференциальные параметры и построить их зависимости от напряжения на затворе.
2. Используя характеристики заданного БТ КТ815А Uкэ = 4 В определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости параметров от тока базы.
200 руб.
Расчетно-графическая работа по физическим основам электроники Вариант 19
sasush
: 17 февраля 2016
Вариант 19
1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д303 и резистора 0,4 Ом (рис 1) На ВАХ диода (рис.3) построить нагрузочную прямую при Е = 1,2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т= 200 С.
2. Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I= 0,5*Imax, другая на обратной U=0,5*Umax) определить дифференциальное сопротивление и сопротивление по постоянному току. Сравнить, сделать выводы. Т=20о С.
3. Для тех же значений тока и напряжения определить дифференц
349 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Другие работы
Кризис психологической науки на рубеже XIX-XX веков, его причины и следствия
alfFRED
: 18 октября 2013
Итак, самая общая задача "Введения" - заложить фундамент ваших психологических знаний.
Скажу несколько слов об особенностях психологии как науки.
В системе наук психологии должно быть отведено совершенно особое место, и вот по каким причинам.
Во-первых, это наука о самом сложном, что пока известно человечеству. Ведь психика - это "свойство высокоорганизованной материи". Если же иметь в виду психику человека, то к словам "высокоорганизованная материя" нужно прибавить слово "самая": ведь мозг.
10 руб.
Теплотехника ТОГУ-ЦДОТ 2008 Задача 2 Вариант 76
Z24
: 21 января 2026
1 кг водяного пара с начальным давлением р1 и степенью сухости х1 изотермически расширяется; при этом к нему подводится теплота q. Определить, пользуясь hs — диаграммой, параметры конечного состояния пара, работу расширения, изменение внутренней энергии, энтальпии, энтропии. Решить также задачу, если расширение происходит изобарно. Изобразить процессы в pυ-, Ts- и hs — диаграммах. Исходные данные, необходимые для решения задачи, выбрать из таблицы 27.
Ответить на вопросы: в каком процессе (t=
250 руб.
Микроэкономика. Курсовая работа. Конкуренция и рыночная власть.
dbk
: 7 апреля 2013
1. Введение 3
2. Рынок чистой (совершенной) конкуренции 4
3. Несовершенная конкуренция 5
3.1. Рынок монополистической конкуренции 6
3.2. Рынок олигополистической конкуренции (олигополия) 7
3.3. Рынок чистой монополии 8
4. Недобросовестная конкуренция 11
5. Рыночная власть 12
6. Антимонопольное регулирование 14
7. Заключение 16
8. Список литературы 18
150 руб.
Тепломассообмен ПГТУ 2000 Задача 4 Вариант 91
Z24
: 28 июля 2026
Определить плотность лучистого теплового потока между двумя параллельно расположенными плоскими стенками, имеющими температуру t1 и t2 и степени черноты ε1 и ε2. Как изменится интенсивность теплообмена при установке экрана со степенью черноты εэ.
- Условия теплообмена считать стационарными. Теплопроводностью и конвективным теплообменом в зазоре между пластинами пренебречь.
- В качестве экрана взять тонкий металлический лист.
180 руб.