Контрольная работа по предмету: «Физические основы электроники». Вариант № 19 (29)
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1
Дано: транзистор КТ603А, Е =75 В, I =250 мкА, I =150 мкА,
R =1500 Ом.
На графике выходных статических характеристик (рисунок 1.1) строим нагрузочную линию описываемою уравнением:
I =(E -U )/ R .
При U =0, I =E /R =75/1500=50 мА.
При I =0, E =U =75 В
Задача No2
Находим h-параметры в рабочей точке, которая определена в задаче No1. На входных характеристиках задаемся приращением тока базы ΔI = 50=100 мкА относительно рабочей точки I =250 мкА
Задача No3
Дано: f=100 МГц, |H|=3,0 τ =60 пс.
Определяем предельную частоту для схемы с общим эмиттером:
f ≈ ≈ ≈2,83 Мгц
определяем предельную частоту для схемы с общей базой:
f = f *(h +1)=2,83*(106+1)=302,81 МГц
Граничная частота f = f *h =1,22*45≈300 МГц
Задача No4
Полевой транзистор КП103К, напряжение сток-исток U =7 B, U =4 В. По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано: транзистор КТ603А, Е =75 В, I =250 мкА, I =150 мкА,
R =1500 Ом.
На графике выходных статических характеристик (рисунок 1.1) строим нагрузочную линию описываемою уравнением:
I =(E -U )/ R .
При U =0, I =E /R =75/1500=50 мА.
При I =0, E =U =75 В
Задача No2
Находим h-параметры в рабочей точке, которая определена в задаче No1. На входных характеристиках задаемся приращением тока базы ΔI = 50=100 мкА относительно рабочей точки I =250 мкА
Задача No3
Дано: f=100 МГц, |H|=3,0 τ =60 пс.
Определяем предельную частоту для схемы с общим эмиттером:
f ≈ ≈ ≈2,83 Мгц
определяем предельную частоту для схемы с общей базой:
f = f *(h +1)=2,83*(106+1)=302,81 МГц
Граничная частота f = f *h =1,22*45≈300 МГц
Задача No4
Полевой транзистор КП103К, напряжение сток-исток U =7 B, U =4 В. По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дополнительная информация
Оценка - отлично!
Похожие материалы
Контрольная работа по предмету физические основы электроники. Вариант 01
te86
: 17 мая 2013
Задание 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления
60 руб.
Контрольная работа по предмету: Физические основы электроники. Вариант № 10
2pqp
: 7 декабря 2012
Задача 1.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Задача 2.
Используя характеристики заданного Б.Т. определить h- параметры в рабочей точки задачи 1.
Задача №3.
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента пер
50 руб.
Контрольная работа по предмету: Физические основы электроники. Вариант № 0 и 5
merzavec
: 9 января 2013
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". Содержит 4 задачи. Задачи 1,2,3 по варианту No5 и задача 4 по варианту No0.
Задача 1:
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.......
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.....
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2),
110 руб.
Расчетно-графическая работа по физическим основам электроники Вариант 19
sasush
: 17 февраля 2016
Вариант 19
1. По входным характеристикам полевого транзистора КП302Д Ucи0 = 14 В; Uзи0 = -8 В построить передаточную характеристику. Определить дифференциальные параметры и построить их зависимости от напряжения на затворе.
2. Используя характеристики заданного БТ КТ815А Uкэ = 4 В определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости параметров от тока базы.
200 руб.
Расчетно-графическая работа по физическим основам электроники Вариант 19
sasush
: 17 февраля 2016
Вариант 19
1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д303 и резистора 0,4 Ом (рис 1) На ВАХ диода (рис.3) построить нагрузочную прямую при Е = 1,2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т= 200 С.
2. Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I= 0,5*Imax, другая на обратной U=0,5*Umax) определить дифференциальное сопротивление и сопротивление по постоянному току. Сравнить, сделать выводы. Т=20о С.
3. Для тех же значений тока и напряжения определить дифференц
349 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Другие работы
Комплекс подрібнення сипких матеріалів продуктивністю 1.5...7 т/год.
OstVER
: 16 сентября 2011
Зміст
Вступ
1 Аналіз сучасного стану питання
1.1 Класифікація й аналіз машин для подрібнення кам’яних матеріалів
1.2 Конструкцii та визначення основних параметрів машин для помелу матерiалiв
2 Технічний опис
2.1. Призначення виробу
3. Конструкторські розрахунки
4 Розрахунки на міцність деталей привода дезінтегратора
4.1 Розрахунок вала
4.2 Перевірка міцності вала на згин i кручення (складний опір)
4.3 Перевірка вала на витривалість
4.4 Розрахунок підшипників коч
652 руб.
Ответы на вопросы вступительных испытаний при приеме на обучение по направлению подготовки 21.04.01 – «Нефтегазовое дело» (по программе магистратуры 21.04.01.02 – «Строительство нефтяных и газовых скважин в сложных горно-геологических условиях»
Donbass773
: 7 августа 2018
Программа и правила проведения вступительных испытаний
(комплексный экзамен и собеседование) при приеме на обучение по направлению подготовки 21.04.01 – «Нефтегазовое дело»
(по программе магистратуры 21.04.01.02 – «Строительство нефтяных и газовых скважин в сложных горно-геологических условиях»)
Кафедра, обеспечивающая преподавание программы – "Бурение нефтяных и газовых скважин".
1. Какие свойства пластов являются коллекторскими?
2. Какой основной параметр режима бурения влияет на работу гид
500 руб.
Компьютерное моделирование (Мелентьев). Билет №2
IT-STUDHELP
: 9 февраля 2022
Экзаменационный билет № 2
Факультет АЭС Семестр 5
Дисциплина Компьютерное моделирование
1. Преобразование частоты дискретизации. Интерполяция и децимация. Оценка количества отсчетов прореживающего КИХ фильтра при однокаскадной реализации дециматора. Получение произвольного (нецелого) коэффициента преобразования.
2. Типовая структура кадра. Назначение полей.
3. Дано созвездие модуляции QPSK, запишите три пары значений синфазной и квадратурной составляющей комплексной огибающей если на в
550 руб.
Задание №8. вариант №1. Стойка и двутавр
vermux1
: 8 декабря 2017
Боголюбов С.. К. Индивидуальные задания по курсу черчения. Готовые чертежи.
Задание 8 вариант 1 стойка и двутавр
Выполнить изображения контуров деталей с построением уклонов, приняв для стойки 1:6, а для двутавра 12%. Нанести размеры, обозначить уклон.
Выполнен в компасе 3D V13 чертеж стойка и двутавр на формате А3.
Помогу с другими вариантами.Пишите в Л/С.
40 руб.