Контрольная работа по предмету: «Физические основы электроники». Вариант № 19 (29)
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1
Дано: транзистор КТ603А, Е =75 В, I =250 мкА, I =150 мкА,
R =1500 Ом.
На графике выходных статических характеристик (рисунок 1.1) строим нагрузочную линию описываемою уравнением:
I =(E -U )/ R .
При U =0, I =E /R =75/1500=50 мА.
При I =0, E =U =75 В
Задача No2
Находим h-параметры в рабочей точке, которая определена в задаче No1. На входных характеристиках задаемся приращением тока базы ΔI = 50=100 мкА относительно рабочей точки I =250 мкА
Задача No3
Дано: f=100 МГц, |H|=3,0 τ =60 пс.
Определяем предельную частоту для схемы с общим эмиттером:
f ≈ ≈ ≈2,83 Мгц
определяем предельную частоту для схемы с общей базой:
f = f *(h +1)=2,83*(106+1)=302,81 МГц
Граничная частота f = f *h =1,22*45≈300 МГц
Задача No4
Полевой транзистор КП103К, напряжение сток-исток U =7 B, U =4 В. По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано: транзистор КТ603А, Е =75 В, I =250 мкА, I =150 мкА,
R =1500 Ом.
На графике выходных статических характеристик (рисунок 1.1) строим нагрузочную линию описываемою уравнением:
I =(E -U )/ R .
При U =0, I =E /R =75/1500=50 мА.
При I =0, E =U =75 В
Задача No2
Находим h-параметры в рабочей точке, которая определена в задаче No1. На входных характеристиках задаемся приращением тока базы ΔI = 50=100 мкА относительно рабочей точки I =250 мкА
Задача No3
Дано: f=100 МГц, |H|=3,0 τ =60 пс.
Определяем предельную частоту для схемы с общим эмиттером:
f ≈ ≈ ≈2,83 Мгц
определяем предельную частоту для схемы с общей базой:
f = f *(h +1)=2,83*(106+1)=302,81 МГц
Граничная частота f = f *h =1,22*45≈300 МГц
Задача No4
Полевой транзистор КП103К, напряжение сток-исток U =7 B, U =4 В. По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дополнительная информация
Оценка - отлично!
Похожие материалы
Контрольная работа по предмету физические основы электроники. Вариант 01
te86
: 17 мая 2013
Задание 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления
60 руб.
Контрольная работа по предмету: Физические основы электроники. Вариант № 10
2pqp
: 7 декабря 2012
Задача 1.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Задача 2.
Используя характеристики заданного Б.Т. определить h- параметры в рабочей точки задачи 1.
Задача №3.
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента пер
50 руб.
Контрольная работа по предмету: Физические основы электроники. Вариант № 0 и 5
merzavec
: 9 января 2013
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники". Содержит 4 задачи. Задачи 1,2,3 по варианту No5 и задача 4 по варианту No0.
Задача 1:
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.......
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.....
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2),
110 руб.
Расчетно-графическая работа по физическим основам электроники Вариант 19
sasush
: 17 февраля 2016
Вариант 19
1. По входным характеристикам полевого транзистора КП302Д Ucи0 = 14 В; Uзи0 = -8 В построить передаточную характеристику. Определить дифференциальные параметры и построить их зависимости от напряжения на затворе.
2. Используя характеристики заданного БТ КТ815А Uкэ = 4 В определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости параметров от тока базы.
200 руб.
Расчетно-графическая работа по физическим основам электроники Вариант 19
sasush
: 17 февраля 2016
Вариант 19
1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д303 и резистора 0,4 Ом (рис 1) На ВАХ диода (рис.3) построить нагрузочную прямую при Е = 1,2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т= 200 С.
2. Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I= 0,5*Imax, другая на обратной U=0,5*Umax) определить дифференциальное сопротивление и сопротивление по постоянному току. Сравнить, сделать выводы. Т=20о С.
3. Для тех же значений тока и напряжения определить дифференц
349 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Другие работы
Зоопланктон Чёрного моря
GnobYTEL
: 20 апреля 2012
Содержание
Введение.
Глава 1. Гидрология Чёрного моря.
1.1. Современное состояние Чёрного моря.
1.2. Рельеф дна.
1.3. Берега и реки.
1.4. Прозрачность и цвет.
1.5. Солёность и течения.
1.6. Температурный режим.
1.7. Концентрация растворённого кислорода.
Глава 2.
2.1. Аннотированный список зоопланктёров Чёрного моря.
2.2. Экология зоопланктона Чёрного моря.
2.2.1. Горизонтальное и вертикальное распределение зоопланктона.
2.2.2. Пищевые цепи.
2.2.3. Влияние на зоопланктон вселенцев Mnemiopsis le
20 руб.
Дополнительные главы Мат. анализа. 4-й вариант (2 семестр)
kolganov91
: 3 сентября 2014
1 Вычертить область плоскости по данным условиям:
|z+2i|>3 – точки вне окружности радиуса 3 с центром в точке - 2i
π/4<arg〖z<3π/4〗 – точки внутри угла ограниченного лучами выходящими из начала координат под углами π/4 и 3π/4
Re z≤-2 – левая полуплоскость от прямой Re z=-2
Im z≤3 – нижняя полуплоскость от прямой Im z=3
2. Найти все особые точки функции, определить их характер (для полюсов указать порядок) и вычислить вычеты в них.
3. При помощи вычетов вычислить данный интеграл по контуру.
75 руб.
Долговая политика планирование заимствований, управление структурой заимствований
Lokard
: 6 ноября 2013
Содержание
Введение.
1. Теоретические основы долговой политики.
Сущность государственного долга.
Формы и виды государственного долга.
Понятие и задачи долговой политики.
2. Особенности долговой политики в РФ
2.1 Анализ структуры и динамики внутренних и внешних заимствований РФ
2.2 Проблемы долговой политики и пути их решения
Заключение.
Список использованной литературы
Введение
Политика в области государственных заимствований, управления суверенными долгами для большинства стран явл
15 руб.
190 руб.