Контрольная работа устройства оптоэлектроники. Вариант № 3
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
вариант 3 Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность,
Ширина запрещенной зоны
0 Ge 0,2 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных и . Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи №4
№ варианта Тип светодиода Напряжение питания , В
Номинал ограничительного сопротивления , Ом
0 АЛ102В 5 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
вариант 3 Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность,
Ширина запрещенной зоны
0 Ge 0,2 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных и . Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи №4
№ варианта Тип светодиода Напряжение питания , В
Номинал ограничительного сопротивления , Ом
0 АЛ102В 5 510
Дополнительная информация
2013
Похожие материалы
Контрольная работа «Устройства оптоэлектроники». ВАРИАНТ №5
ANNA
: 18 февраля 2019
Задача 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод-транзистор
Задача 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Тип ПП материала CdS
Квантовая эффективность, η 0,4
Ширина запрещенной зоны ∆W, эВ 2,5
Задача 3
Изобразить принципиальную схему вк
120 руб.
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники, вариант №07
Алексей1222
: 12 февраля 2018
11. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы. Фототранзистор.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр
Тип ПП материала – Ge;
Квантовая эффективность,y-0,2;
Ширина запрещенной зоны ∆W,эВ – 0,6
3
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
50 руб.
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники. Вариант №4
Philius
: 30 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 04.
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 6 задачи соответствует предпоследней цифре шифра.
200 руб.
Контрольная работа. "Устройство оптоэлектроники." Вариант №2
svh
: 1 октября 2016
Задача 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные
Тип фотоприемника – фотодиод с барьером Шоттки
Задача 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип материала – Ge;
Квантовая эффективность = 0,2;
Ширина запрещенной зоны W = 0,6 эВ.
220 руб.
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники. Вариант №7
yana1988
: 17 ноября 2014
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант № 7 – Фототранзистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувстви-тельность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней . Данные берем из таблицы 1.
Таблица 1
Вариант Тип ПП мат.Квантовая эф. Шир. запрещенной зоны
0 Ge 0,2 0,6
Задача №
60 руб.
Контрольная работа. Устройство оптоэлектроники. Вариант № 5
albanec174
: 9 апреля 2013
Задача № 1 фотодиод-транзистор
Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Ge 0,2 0,6
Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индика
100 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектронике. Вариант № 3
ramzes14
: 10 февраля 2013
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
вариант 3 Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квант
100 руб.
Контрольная работа №1. Устройства оптоэлектроники. Вариант №3
alyonka249
: 11 августа 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и с
35 руб.
Другие работы
Направляющие системы электросвязи. курсовая работа. вариант №18
kakau
: 25 февраля 2014
Задана трасса Самара- Казань
Исходные данные к расчету параметров передачи ОВ:
длина волны λ=1,55 мкм;
коэффициенты преломления n1=1,48 n2=1,475
Задание и исходные данные ....................................................3
2. Выбор и обоснование трассы магистрали .....................................3
3. Определение числа каналов ....................................................4
4. Расчет параметров оптического волокна .....................................6
5.
50 руб.
Онлайн-Тест по дисциплине: Иностранный язык (английский) (часть 2-я)
IT-STUDHELP
: 8 февраля 2022
Вопрос №1
The … diamond ring was found by the police of the Scotland Yard.
stolen
stealing
Вопрос №2
This country after the revolt can be called an … one.
independence
independent
independently
Вопрос №3
What is the name of the street where more than 39 theatres are situated?
Theatre Street
Broadway
42nd Street
Вопрос №4
Orders can … to meet the needs of a particular client.
to customize
be customized
customize
Вопрос №5
Which continent is called a green one?
America
Australia
500 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Методы и устройства помехоустойчивой радиосвязи. Билет №67
Roma967
: 3 января 2023
Билет №67
1. Для исправления ошибки кратности t требуется кодовое расстояние:
d >= 2t +1
d >= t+1
d >= t-1
6. Математическая модель ДКС не требует описания следующих параметров:
- алфавита входных и выходных сообщений
- скорости передачи элементов алфавита
- переходных вероятностей
- типа помех
8. Кодовое слово без ошибок имеет ……… синдром.
- нулевой
- единичный
10. Синдром ошибки при декодировании кода Хэмминга указывает …… ошибки.
- порядок
- адрес
12. Число запрещенных комбина
600 руб.
Гидравлика АКАДЕМИЯ ГРАЖДАНСКОЙ ЗАЩИТЫ Задача 4 Вариант 75
Z24
: 10 марта 2026
Определить предельную высоту расположения оси центробежного насоса над уровнем воды в водоисточник h, если расход воды из насоса Q, диаметр всасывающей трубы d. Вакуумметрическое давление, создаваемое во всасывающем патрубке рв, потери напора во всасывающей линии 1 м.
150 руб.