Контрольная работа устройства оптоэлектроники. Вариант № 3
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Контрольная
-
Добавлен:
07.05.2013
-
Размер:
222 KB
-
Покупок:
24
-
Добавил:
dus121
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
053FDB48-6B99-46AD-845E-80FBEA103E35.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
вариант 3 Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность,
Ширина запрещенной зоны
0 Ge 0,2 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных и . Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи №4
№ варианта Тип светодиода Напряжение питания , В
Номинал ограничительного сопротивления , Ом
0 АЛ102В 5 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
вариант 3 Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность,
Ширина запрещенной зоны
0 Ge 0,2 0,6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных и . Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи №4
№ варианта Тип светодиода Напряжение питания , В
Номинал ограничительного сопротивления , Ом
0 АЛ102В 5 510
Дополнительная информация
2013
Похожие материалы
Контрольная работа «Устройства оптоэлектроники». ВАРИАНТ №5
ANNA
: 18 февраля 2019
Задача 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод-транзистор
Задача 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Тип ПП материала CdS
Квантовая эффективность, η 0,4
Ширина запрещенной зоны ∆W, эВ 2,5
Задача 3
Изобразить принципиальную схему вк
ANNA
: 18 февраля 2019
120 руб.
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники, вариант №07
Алексей1222
: 12 февраля 2018
11. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы. Фототранзистор.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр
Тип ПП материала – Ge;
Квантовая эффективность,y-0,2;
Ширина запрещенной зоны ∆W,эВ – 0,6
3
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора.
Алексей1222
: 12 февраля 2018
50 руб.
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники. Вариант №4
Philius
: 30 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 04.
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 6 задачи соответствует предпоследней цифре шифра.
Philius
: 30 июня 2017
200 руб.
Контрольная работа. "Устройство оптоэлектроники." Вариант №2
svh
: 1 октября 2016
Задача 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Исходные данные
Тип фотоприемника – фотодиод с барьером Шоттки
Задача 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип материала – Ge;
Квантовая эффективность = 0,2;
Ширина запрещенной зоны W = 0,6 эВ.
svh
: 1 октября 2016
220 руб.
Контрольная работа. Устройства оптоэлектроники. Вариант №7
yana1988
: 17 ноября 2014
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант № 7 – Фототранзистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувстви-тельность фотоприемника. Изобразить вид спектральной характеристики и указать на ней . Данные берем из таблицы 1.
Таблица 1
Вариант Тип ПП мат.Квантовая эф. Шир. запрещенной зоны
0 Ge 0,2 0,6
Задача №
yana1988
: 17 ноября 2014
60 руб.
Контрольная работа. Устройство оптоэлектроники. Вариант № 5
albanec174
: 9 апреля 2013
Задача № 1 фотодиод-транзистор
Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. Ge 0,2 0,6
Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индика
albanec174
: 9 апреля 2013
100 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектронике. Вариант № 3
ramzes14
: 10 февраля 2013
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
вариант 3 Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квант
ramzes14
: 10 февраля 2013
100 руб.
Контрольная работа №1. Устройства оптоэлектроники. Вариант №3
alyonka249
: 11 августа 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и с
alyonka249
: 11 августа 2016
35 руб.
Другие работы
Коммутационное гнездо деталирование
coolns
: 19 февраля 2019
3. Коммутационное гнездо
Коммутационное гнездо сборочный чертеж
Коммутационное гнездо спецификация
Коммутационное гнездо 3д модель
Коммутационное гнездо деталировка
Коммутационное гнездо деталирование
Применяется в электронных приборах и средствах связи.
В состав гнезда входят:
сборочные единицы - контактные пружины (верхняя и нижняя);
детали - основание, прокладка, четыре изоляционыные пластины из них три одинаковые, две контактные пластины, две трубки;
Выполнить:
1.Чертеж сборочной единицы
coolns
: 19 февраля 2019
300 руб.
Массивно-параллельные суперкомпьютеры серии Cry T3 и кластерные системы класса BEOWULF
Elfa254
: 4 октября 2013
Реферат
Курсовой проект содержит 38 страниц машинописного текста, 11 литературных источников, 12 рисунков.
Ключевые слова: суперкомпьютер, архитектура, процессор, кластер, интерфейс, технология, операнд, компиляция, команда, оптимизация, переменная, данные, регистр, операция, итерационность, конвейерность, электронно-вычислительная машина.
В данном курсовом проекте рассматриваются многопроцессорные вычислительные системы Cry T3D(E) и Беовульф-кластеры рабочих станций, а также в все сопутствую
Elfa254
: 4 октября 2013
11 руб.
AЭС Германии как фактор экономической стабильности и энергетической безопасности Европы
evelin
: 7 ноября 2013
В первой половине 50-х гг. Западную Европу охватил энергетический кризис. Он был вызван не столько исчерпанием энергоресурсов, сколько технологическими изменениями в промышленности и транспорте.
По расчетам экспертов, в 1955 г. спрос на энергоносители с учетом тенденции к его росту можно было бы удовлетворять в течение 340 лет за счет каменного угля из европейских источников, но вскоре, опять же в результате технологических изменений, возрос спрос на нефтепродукты и газ. Но поскольку основная ч
evelin
: 7 ноября 2013
5 руб.
Крымская война 1853-1856
evelin
: 24 июля 2015
Предмет: история.
Планы сторон.
Причины Крымской войны.
Безнадежная борьба нации.
Героическая оборона Севастополя.
Падение Севастополя.
Мирный договор.
Значение Крымской войны.
evelin
: 24 июля 2015
30 руб.
