Все разделы / Микроэлектроника

Отбор

Способ получения:
Тип:
Учебное заведение:
Сортировка:

Если не получится найти. Мы можем помочь сделать!
 
(400 )

Разработка топологии интегральной схемы LM317
Целью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее...     Скачано: 9
(400 )

Разработка топологии интегральной схемы 142EH10
Целью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее...
(400 )

Разработка топологии интегральной схемы uA78L00
Целью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее...
(400 )

Разработка топологии интегральной схемы uA78xx
Целью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее...
(400 )

Разработка топологии интегральной схемы LM2931
Целью курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и обобщение теоретических ...
Подробнее...
(400 )

Разработка топологии интегральной схемы MC79Lxx
Целью курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и обобщение теоретических ...
Подробнее...
(60 )

Контрольная работа. Оценка параметров коллекторного слоя диффузионной структуры
Контрольная работа № 1 Вариант 3 Оценка параметров коллекторного слоя диффузионной структуры (пометоду тройной диффузии). Толщина слоя - 6 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (n-тип) 1017см...
Подробнее...

Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! 

От 350 руб. за реферат, низкие цены. Просто заполни форму и всё.

Спеши, предложение ограничено !

(400 )

Разработка топологии интегральной схемы 153УД1
Целью данного курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоре...
Подробнее...
(400 )

Разработка топологии интегральной схемы LP2950
Целью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее...
(400 )

Разработка топологии интегральной схемы ua78xx (обновленный вариант)
Целью курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и обобщение теоретических ...
Подробнее...
(400 )

Разработка топологии интегральной схемы µA79G
Целью данной работы является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и обобщение теоретических знан...
Подробнее...
(200 )

Микроэкономика. Билет №5. «Роль государства в рыночной экономике»
Введение………………………………………………………………………...3 1. Сущность и функции государства в экономике…………………..……...4 1.1. Теории государства: классическая и современная………………....4 1.2. Функции современного госуда...
Подробнее...
(400 )

Разработка топологии интегральной схемы (КР)142ЕН1/2
Целью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее...
(400 )

Разработка топологии интегральной схемы 175УВ4
Целью данного курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоре...
Подробнее...
Сдай работу играючи!

Рекомендуем вам также биржу исполнителей. Здесь выполнят вашу работу без посредников.
Рассчитайте предварительную цену за свой заказ.
(300 )

Исследование свойств конденсаторных материалов
Лабораторная работа 6 вариант. Исходные данные. Расчеты. Графики. Выводы. В данной работе исследуются конденсаторы из следующих материалов: 1  Неорганическое стекло; 2  Слюда; 3 &#6163...
Подробнее...
(300 )

Исследование электрических свойств полупроводниковых материалов
Вывод:Построенный график даёт понятие о температурной зависимости различных областей проводимости полупроводников. У Ge наблюдается яркий переход от области истощения примесей к области собственной эл...
Подробнее...
(300 )

Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов
Вывод: выполнив данную работу на примере образца 1 (фоторезистор на основе сульфида кадмия (CdS), я пришел к выводу, что при увеличении длины волны сопротивление уменьшается и увеличивается фотопрово...
Подробнее...
(200 )

Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА № 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант № 24 11 13 33 41 60 2.10 Вопрос № 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра а...
Подробнее...
(200 )

Курсовая работа Оценка эффективности фотокатодов для вакуумных электронно-оптических преобразователей
Оценка эффективности фотокатодов для вакуумных электронно-оптических преобразователей Содержание Введение…………………………………………………………………………..4 Обзор фотоэлектронных приборов……………………………………………....4 I. Расче...
Подробнее...
(400 )

Гибридная интегральная схема радиомикрофона
Курсовой проект (ну украинском языке). На основании электрической принципиальной схемы (техническое задание) разработана гибридная интегральная схема радиомикрофона. Содержание: 1.Обгрунтування технол...
Подробнее...
(150 )

Курсовая работа по теме: «Определение оптимального режима работы биполярного транзистора
Курсовая работа по теме: «Определение оптимального режима работы биполярного транзистора _______________» Таблица П.2 Справочные данные транзисторов Цель работы : Изучить режим работы биполярного тр...
Подробнее...
Сдай работу играючи!

Рекомендуем вам также биржу исполнителей. Здесь выполнят вашу работу без посредников.
Рассчитайте предварительную цену за свой заказ.
(70 )

Контрольные вопросы по микроэлектронике
1.4 Контрольные вопросы 1. Объясните выпрямляющие действия р-n перехода 2. Сравните ВАХ p-n перехода реального полупроводникового диода 3. Чем различаются характеристики германиевых и кремневых диодов...
Подробнее...
(50 )

Расчетное задание № 2. Изучение транзисторных усилителей
2.1. Цель работы 2.1.1. Изучить влияние элементов схемы усилителей на режим работы транзисторов. 2.1.2. Научиться производить расчет усилителей с использованием характеристик транзистора. 2.2. Содер...
Подробнее...
(100 )

Курсовая работа по микроэлектронике. Вариант №2
Цель работы : Изучить режим работы биполярного транзистора КТ817В в схеме с общим эмиттером. Определить оптимальный режим по постоянному току при усилении гармонического сигнала.
Подробнее...

  Cодержание / Микроэлектроника

Вход в аккаунт:

Войти

Забыли ваш пароль?

Вы еще не зарегистрированы?

Создать новый Аккаунт


Способы оплаты:
Yandex деньги WebMoney Сбербанк или любой другой банк SMS оплата ПРИВАТ 24 qiwi PayPal Крипто-валюты

И еще более 50 способов оплаты...
Гарантии возврата денег

Как скачать и покупать?

Как скачивать и покупать в картинках

Здесь находится аттестат нашего WM идентификатора 782443000980
Проверить аттестат


Сайт помощи студентам, без посредников!