Все разделы / Микроэлектроника
1000
Электромагнит 02.46.00.00 Устройство применяется в качестве пускового электромагнита в лентопротяжном механизме накопителя информации на магнитной ленте ЭВМ Минск-22. В корпусе 8 электромагнита нахо...
Подробнее... Скачано: 3 Сейчас качают: 1
Электромагнит 02.46.00.00 ЧЕРТЕЖ
Тип: Практические занятия и отчетыЭлектромагнит 02.46.00.00 Устройство применяется в качестве пускового электромагнита в лентопротяжном механизме накопителя информации на магнитной ленте ЭВМ Минск-22. В корпусе 8 электромагнита нахо...
Подробнее... Скачано: 3 Сейчас качают: 1
1000
Тормоз электромагнитный 02.31.00.00 Электромагнитный тормоз применяется в накопителе на магнитной ленте ЭВМ Минск 32 для затормаживании привода касеты при прекращении движения магнитной ленты. Тормо...
Подробнее... Скачано: 2 Сейчас качают: 1
Тормоз электромагнитный 02.31.00.00 ЧЕРТЕЖ
Тип: ЧертежиТормоз электромагнитный 02.31.00.00 Электромагнитный тормоз применяется в накопителе на магнитной ленте ЭВМ Минск 32 для затормаживании привода касеты при прекращении движения магнитной ленты. Тормо...
Подробнее... Скачано: 2 Сейчас качают: 1
1200
Электромагнит 02.38.00.00 Электромагнит предназначен для работы в накопители информации на магнитном барабане, входящем в состав электронно-вычислительной машины. Он состоит из корпуса 9, сердечника ...
Подробнее... Скачано: 2
Электромагнит 02.38.00.00 ЧЕРТЕЖ
Тип: ЧертежиЭлектромагнит 02.38.00.00 Электромагнит предназначен для работы в накопители информации на магнитном барабане, входящем в состав электронно-вычислительной машины. Он состоит из корпуса 9, сердечника ...
Подробнее... Скачано: 2
1200
Ролик прижимной 02.30.00.00 Ролик находится в лентопротяжном механизме накопителя на магнитной ленте ЭВМ Минск 22 и используется при записи информации на магнитную ленту, обеспечивая перемещение лен...
Подробнее... Скачано: 1
Ролик прижимной 02.30.00.00 ЧЕРТЕЖ
Тип: ЧертежиРолик прижимной 02.30.00.00 Ролик находится в лентопротяжном механизме накопителя на магнитной ленте ЭВМ Минск 22 и используется при записи информации на магнитную ленту, обеспечивая перемещение лен...
Подробнее... Скачано: 1
1000
Электромагнит 02.46.00.00 Устройство применяется в качестве пускового электромагнита в лентопротяжном механизме накопителя информации на магнитной ленте ЭВМ Минск-22. В корпусе 8 электромагнита нахо...
Подробнее... Скачано: 3 Сейчас качают: 1
Электромагнит 02.46.00.00 ЧЕРТЕЖ
Тип: Практические занятия и отчетыЭлектромагнит 02.46.00.00 Устройство применяется в качестве пускового электромагнита в лентопротяжном механизме накопителя информации на магнитной ленте ЭВМ Минск-22. В корпусе 8 электромагнита нахо...
Подробнее... Скачано: 3 Сейчас качают: 1
400
Целью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее... Скачано: 11
Разработка топологии интегральной схемы LM317
Тип: Работа КурсоваяЦелью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее... Скачано: 11
400
Целью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее... Скачано: 6
Разработка топологии интегральной схемы 142EH10
Тип: Работа КурсоваяЦелью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее... Скачано: 6
400
Целью курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и обобщение теоретических ...
Подробнее... Скачано: 5
Разработка топологии интегральной схемы LM2931
Тип: Работа КурсоваяЦелью курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и обобщение теоретических ...
Подробнее... Скачано: 5
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
400
Целью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее... Скачано: 5
Разработка топологии интегральной схемы uA78L00
Тип: РаботаЦелью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее... Скачано: 5
400
Целью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее... Скачано: 4
Разработка топологии интегральной схемы uA78xx
Тип: Работа КурсоваяЦелью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее... Скачано: 4
50
2.1. Цель работы 2.1.1. Изучить влияние элементов схемы усилителей на режим работы транзисторов. 2.1.2. Научиться производить расчет усилителей с использованием характеристик транзистора. 2.2. Содер...
Подробнее... Скачано: 3
Расчетное задание № 2. Изучение транзисторных усилителей
Тип: Работа Расчетная2.1. Цель работы 2.1.1. Изучить влияние элементов схемы усилителей на режим работы транзисторов. 2.1.2. Научиться производить расчет усилителей с использованием характеристик транзистора. 2.2. Содер...
Подробнее... Скачано: 3
300
Задачи по разделу «Статистика электронов и дырок в полу-проводниках» курса «Микрооптоэлектроника» 1.1. Найти, чему равна собственная концентрация свободных носителей заряда в кремнии (Si), германии (...
Подробнее... Скачано: 2
Задачи по разделу «Статистика электронов и дырок в полу-проводниках» курса «Микрооптоэлектроника»
Тип: ЗадачиЗадачи по разделу «Статистика электронов и дырок в полу-проводниках» курса «Микрооптоэлектроника» 1.1. Найти, чему равна собственная концентрация свободных носителей заряда в кремнии (Si), германии (...
Подробнее... Скачано: 2
300
Лабораторная работа 6 вариант. Исходные данные. Расчеты. Графики. Выводы. В данной работе исследуются конденсаторы из следующих материалов: 1  Неорганическое стекло; 2  Слюда; 3 ᠓...
Подробнее...
Исследование свойств конденсаторных материалов
Тип: Работа ЛабораторнаяЛабораторная работа 6 вариант. Исходные данные. Расчеты. Графики. Выводы. В данной работе исследуются конденсаторы из следующих материалов: 1  Неорганическое стекло; 2  Слюда; 3 ᠓...
Подробнее...
400
Целью курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и обобщение теоретических ...
Подробнее... Скачано: 2
Разработка топологии интегральной схемы MC79Lxx
Тип: Работа КурсоваяЦелью курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и обобщение теоретических ...
Подробнее... Скачано: 2
400
Целью курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и обобщение теоретических ...
Подробнее... Скачано: 2
Разработка топологии интегральной схемы ua78xx (обновленный вариант)
Тип: Работа КурсоваяЦелью курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и обобщение теоретических ...
Подробнее... Скачано: 2
60
Контрольная работа № 1 Вариант 3 Оценка параметров коллекторного слоя диффузионной структуры (пометоду тройной диффузии). Толщина слоя - 6 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (n-тип) 1017см...
Подробнее... Скачано: 2
Контрольная работа. Оценка параметров коллекторного слоя диффузионной структуры
Тип: Работа КонтрольнаяКонтрольная работа № 1 Вариант 3 Оценка параметров коллекторного слоя диффузионной структуры (пометоду тройной диффузии). Толщина слоя - 6 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (n-тип) 1017см...
Подробнее... Скачано: 2
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
400
Целью данного курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоре...
Подробнее... Скачано: 2
Разработка топологии интегральной схемы 153УД1
Тип: Работа КурсоваяЦелью данного курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоре...
Подробнее... Скачано: 2
400
Целью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее... Скачано: 2
Разработка топологии интегральной схемы LP2950
Тип: Работа КурсоваяЦелью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее... Скачано: 2
400
Основное отличие от предыдущих работ: полностью переработана принципиальная электрическая схема, топология и отчет. Работа сдавалась в 2018 году. Новосибирский Государственный Технический Университет...
Подробнее... Скачано: 1
Разработка топологии интегральной схемы 142ЕН10
Тип: Работа КурсоваяОсновное отличие от предыдущих работ: полностью переработана принципиальная электрическая схема, топология и отчет. Работа сдавалась в 2018 году. Новосибирский Государственный Технический Университет...
Подробнее... Скачано: 1
400
Основное отличие от предыдущих работ: полностью переработана принципиальная электрическая схема, топология и отчет. Работа сдавалась в 2018 году. Новосибирский Государственный Технический Университет...
Подробнее... Скачано: 1
Разработка топологии интегральной схемы 142ЕН1-2
Тип: Работа КурсоваяОсновное отличие от предыдущих работ: полностью переработана принципиальная электрическая схема, топология и отчет. Работа сдавалась в 2018 году. Новосибирский Государственный Технический Университет...
Подробнее... Скачано: 1
300
Вывод: выполнив данную работу на примере образца 1 (фоторезистор на основе сульфида кадмия (CdS), я пришел к выводу, что при увеличении длины волны сопротивление уменьшается и увеличивается фотопрово...
Подробнее... Скачано: 1
Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов
Тип: Работа ЛабораторнаяВывод: выполнив данную работу на примере образца 1 (фоторезистор на основе сульфида кадмия (CdS), я пришел к выводу, что при увеличении длины волны сопротивление уменьшается и увеличивается фотопрово...
Подробнее... Скачано: 1
400
Целью данной работы является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и обобщение теоретических знан...
Подробнее... Скачано: 1
Разработка топологии интегральной схемы µA79G
Тип: Работа КурсоваяЦелью данной работы является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а также закрепление, углубление и обобщение теоретических знан...
Подробнее... Скачано: 1
300
Вывод: выполнив данную работу на примере образца 1 (фоторезистор на основе сульфида кадмия (CdS), я пришел к выводу, что при увеличении длины волны сопротивление уменьшается и увеличивается фотопрово...
Подробнее... Скачано: 1
Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов
Тип: Работа ЛабораторнаяВывод: выполнив данную работу на примере образца 1 (фоторезистор на основе сульфида кадмия (CdS), я пришел к выводу, что при увеличении длины волны сопротивление уменьшается и увеличивается фотопрово...
Подробнее... Скачано: 1
70
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА № 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант № 24 11 13 33 41 60 2.10 Вопрос № 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра а...
Подробнее... Скачано: 1
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Тип: Билеты экзаменационныеКОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА № 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант № 24 11 13 33 41 60 2.10 Вопрос № 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра а...
Подробнее... Скачано: 1
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
200
Введение………………………………………………………………………...3 1. Сущность и функции государства в экономике…………………..……...4 1.1. Теории государства: классическая и современная………………....4 1.2. Функции современного госуда...
Подробнее... Скачано: 1
Микроэкономика. Билет №5. «Роль государства в рыночной экономике»
Тип: Работа КурсоваяВведение………………………………………………………………………...3 1. Сущность и функции государства в экономике…………………..……...4 1.1. Теории государства: классическая и современная………………....4 1.2. Функции современного госуда...
Подробнее... Скачано: 1
400
Целью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее... Скачано: 1
Разработка топологии интегральной схемы (КР)142ЕН1/2
Тип: Работа КурсоваяЦелью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее... Скачано: 1
400
Целью данного курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоре...
Подробнее... Скачано: 1
Разработка топологии интегральной схемы 175УВ4
Тип: Работа КурсоваяЦелью данного курсового проекта является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоре...
Подробнее... Скачано: 1
300
Систематизация и закрепление знаний по основным разделам изучаемого курса путем самостоятельного решения комплексной задачи проектирования управляемого выпрямителя с двигателем постоянного тока в каче...
Подробнее...
Проектирование управляемого выпрямителя с двигателем постоянного тока в качестве нагрузки по заданным техническим условиям
Тип: Работа КурсоваяСистематизация и закрепление знаний по основным разделам изучаемого курса путем самостоятельного решения комплексной задачи проектирования управляемого выпрямителя с двигателем постоянного тока в каче...
Подробнее...
400
Целью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее... Скачано: 6
Разработка топологии интегральной схемы 142EH10
Тип: Работа КурсоваяЦелью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знани...
Подробнее... Скачано: 6
300
Лабораторная работа 6 вариант. Исходные данные. Расчеты. Графики. Выводы. В данной работе исследуются конденсаторы из следующих материалов: 1  Неорганическое стекло; 2  Слюда; 3 ᠓...
Подробнее...
Исследование свойств конденсаторных материалов
Тип: Работа ЛабораторнаяЛабораторная работа 6 вариант. Исходные данные. Расчеты. Графики. Выводы. В данной работе исследуются конденсаторы из следующих материалов: 1  Неорганическое стекло; 2  Слюда; 3 ᠓...
Подробнее...
300
Вывод:Построенный график даёт понятие о температурной зависимости различных областей проводимости полупроводников. У Ge наблюдается яркий переход от области истощения примесей к области собственной эл...
Подробнее...
Исследование электрических свойств полупроводниковых материалов
Тип: Работа ЛабораторнаяВывод:Построенный график даёт понятие о температурной зависимости различных областей проводимости полупроводников. У Ge наблюдается яркий переход от области истощения примесей к области собственной эл...
Подробнее...
200
Оценка эффективности фотокатодов для вакуумных электронно-оптических преобразователей Содержание Введение…………………………………………………………………………..4 Обзор фотоэлектронных приборов……………………………………………....4 I. Расче...
Подробнее...
Курсовая работа Оценка эффективности фотокатодов для вакуумных электронно-оптических преобразователей
Тип: Работа КурсоваяОценка эффективности фотокатодов для вакуумных электронно-оптических преобразователей Содержание Введение…………………………………………………………………………..4 Обзор фотоэлектронных приборов……………………………………………....4 I. Расче...
Подробнее...
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
400
Курсовой проект (ну украинском языке). На основании электрической принципиальной схемы (техническое задание) разработана гибридная интегральная схема радиомикрофона. Содержание: 1.Обгрунтування технол...
Подробнее...
Гибридная интегральная схема радиомикрофона
Тип: Работа КурсоваяКурсовой проект (ну украинском языке). На основании электрической принципиальной схемы (техническое задание) разработана гибридная интегральная схема радиомикрофона. Содержание: 1.Обгрунтування технол...
Подробнее...
150
Курсовая работа по теме: «Определение оптимального режима работы биполярного транзистора _______________» Таблица П.2 Справочные данные транзисторов Цель работы : Изучить режим работы биполярного тр...
Подробнее...
Курсовая работа по теме: «Определение оптимального режима работы биполярного транзистора
Тип: Работа КурсоваяКурсовая работа по теме: «Определение оптимального режима работы биполярного транзистора _______________» Таблица П.2 Справочные данные транзисторов Цель работы : Изучить режим работы биполярного тр...
Подробнее...
Cодержание / Микроэлектроника
Вход в аккаунт: