Исследование полупроводникового диода

Цена:
5 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 142FCCD3-BC85-4C56-9220-0008810E5C41.zip [ 10 KB ]
material.view.file_icon bestref-7818.doc [ 39 KB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы
Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики.
Ход работы:
1. Подключить шнур питания к сети.
2. Тумблером "СЕТЬ" включить стенд - при этом загорается лампочка сигнализации.
3. Тумблер В - 1 поставить в положение 1.
Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 1.
4. Тумблер В - 1 поставить в положение 2.
Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 2.

Похожие материалы

Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель: 1. Изучить характерные свойства электро-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а так же по обработке и оформлению полученных результатов. 2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
СибГУТИ Электропривод Работа Лабораторная
User Юлия118 : 23 октября 2020
300 руб.
Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
ДО СИБГУТИ Физика Практические занятия и отчеты
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User beke : 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Отчет по лабораторной работе №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход выполнения работы Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом напра
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User RomIN : 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.

Другие работы

Экзамен по дисциплине: Социальные и этические вопросы информационных технологий.
Определения приватности и причины возникновения проблем информационной и коммуникативной приватности.
Информационные технологии и системы СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 15 декабря 2017
95 руб.
Гидравлика БГИТУ Задача 1.2 Вариант 89
На поршень одного из сообщающихся сосудов, наполненных водой, действует сила Р1. Какую силу Р2 нужно приложить ко второму поршню, чтобы уровень воды под ним был на h выше уровня воды под первым поршнем? Диаметр первого поршня d1, второго d2 (рисунок 2).
Задачи Гидравлика
User Z24 : 8 декабря 2025
150 руб.
Гидравлика БГИТУ Задача 1.2 Вариант 89
Виды инвестиционных рисков
Виды инвестиционных рисков многообразны. Автор книги «Инвестиционный менеджмент», Бланк, классифицирует по следующим основным признакам: 1. По сферам проявления: 2.1. Экономический. К нему относится риск, связанный с изменением экономических факторов. Так как инвестиционная деятельность осуществляется в экономической сфере, то она в наибольшей степени подвержена экономическому риску. 2.2. Политический. К нему относятся различные виды возникающих административных ограничений инвестиционной деятел
Работа Экономика
User Slolka : 25 декабря 2013
10 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: «Производственный менеджмент». Билет №1
1. Основы построения сетевой модели 2. Организационно-производственная структура МТС 3. Задача 1.1 Выбрать наилучший вариант организации связи между двумя пунктами. Исходные данные: 1. Протяженность трассы – 500 км. 2. Необходимое число каналов – 1900. 3. Нормативы затрат Вариант Тип оборудования kуд, руб/кан-км Зуд, руб/кан-км I К-1920, КМ-4 86,9 8,7 II ИКМ-1920, ОК 90,4 8,2 4. Доходы с одного канала – 28 тыс. руб. в год
СибГУТИ Менеджмент в телекоммуникациях Работа Экзаменационная
User te86 : 11 ноября 2013
250 руб.
up Наверх