Контрольная работа №7 по дисциплине: Физические основы электроники
-
Категории:
******* Не известно, Электроника, Работа Контрольная
-
Добавлен:
05.12.2013
-
Размер:
413 KB
-
Покупок:
3
-
Добавил:
pepol
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
контрольная физ.ос.эл..doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1: Исходные данные для
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы ....
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима ...
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора ....
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить .....
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1....
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы ....
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима ...
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора ....
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить .....
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1....
Дополнительная информация
05.12.13 сибгути,зачет,
Похожие материалы
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
erboollat
: 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
300 руб.
Физические основы электроники
Фрося
: 25 февраля 2020
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА;
амплитудное значение переменной
составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
Фрося
: 25 февраля 2020
1000 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
Фрося
: 25 февраля 2020
900 руб.
Физические основы электроники
kombatowoz
: 7 декабря 2019
2 вариант 1,2,3 лабораторные работы
1,2,3 лабораторные работы,2019 год
1 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА.
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3
kombatowoz
: 7 декабря 2019
200 руб.
Другие работы
Опора. Вариант №16
lepris
: 20 февраля 2022
Опора Вариант 16
1. Построить трехмерную модель Опоры, выполнив
сквозные вырезы по нанесенной разметке.
2. По модели создать и оформить трехпроекционный ассоциативный чертеж и дополнить его аксонометрией.
Чертеж и 3д модель (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22 и выше версиях компаса.
Просьба по всем вопросам писать в Л/С. Отвечу и помогу.
lepris
: 20 февраля 2022
80 руб.
Совершенствование службы технического сервиса в ОАО «Старошайговагропромснаб» Старошайговского района»
proekt-sto
: 27 апреля 2025
Повышение надежности и качества при создании машин новых поколе-ний не может полностью исключить износа техники, а, следовательно, она по-прежнему будет нуждаться в ремонтно-техническом сервисе. Современное состояние технического обслуживания и ремонта в АПК дорого обходится обществу: их несвоевременность, невысокий уровень, отсутствие запасных частей, смазочных материалов приводит к преждевременному износу и досрочному списанию дорогостоящих машин. Озабоченность простоями, несмотря на обновлени
proekt-sto
: 27 апреля 2025
500 руб.
Лабораторные работы №1-4 по Вычислительная техника и Информационные технологии
SybNet
: 22 сентября 2012
Лабораторные работы №1-4 Вычислительная техника и Информационные технологии
Дистанционное обучение СибГУТИ
Лаб №1: Исследование логических схем на элементах «И–НЕ»
Лаб №2: Исследование комбинационных цифровых устройств.
Лаб №3: Исследование триггеров.
Лаб №4:Исследование двоичных счетчиков.
SybNet
: 22 сентября 2012
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: устройство оптоэлектроники. Вариант №3
snrudenko
: 31 января 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Варианты и типы фотоприемников: Фотодиод с гетероструктурой.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Данные фотоприемников:
тип ПП материала – Ge;
квантовая эффективность η=0,2;
ширина запрещенной зоны ΔW=
snrudenko
: 31 января 2017
100 руб.
