Физические основы электроники. Лабораторные работы №1, 2, 3.
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лр No1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении
2.Исследование вольтамперной характеристики диода при обратном включении
3.Исследование стабилитрона Д814А
4.Исследование однополупериодного выпрямителя
ЛР No2 "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1.Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Тип исследуемого транзистора – n-p-n
2.Экспериментальные данные
2.1.Исследование БТ для схемы с ОБ
2.1.1 Снятие входных характеристик транзистора: IЭ= f(UЭБ) при UКБ=0 и UКБ=8 В.
2.2.1. Снятие входных характеристик IБ=f(UБЭ): при UКЭ=0 и при UКЭ=8 В.
2.2.2. Снятие семейства из 6 выходных характеристик IК=f(UКЭ) при токах базы, указанных в таблице 2.4, включая IБ=0. Особое внимание обращаем на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. UКЭ=0 - 1 В, а так же не превосходим мощность рассеивания на коллекторе (UКЭ∙IК=РК<РК max=150 мВт).
2.2.Исследование работы усилителя.
ЛР No3 " ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Экспериментальные данные
2.1. Снятие передаточной характеристики IC=F(U3И).
2.2. Снятие выходных характеристик транзистора при четырех значениях напряжения на затворе UЗИ, в том числе при UЗИ 1=0, UЗИ 2=0,2×UЗИО, UЗИ 3=0,4×UЗИО и UЗИ 4=0,6×UЗИО.
2.3. Исследование схемы усилителя при различных напряжениях Есм
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении
2.Исследование вольтамперной характеристики диода при обратном включении
3.Исследование стабилитрона Д814А
4.Исследование однополупериодного выпрямителя
ЛР No2 "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1.Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Тип исследуемого транзистора – n-p-n
2.Экспериментальные данные
2.1.Исследование БТ для схемы с ОБ
2.1.1 Снятие входных характеристик транзистора: IЭ= f(UЭБ) при UКБ=0 и UКБ=8 В.
2.2.1. Снятие входных характеристик IБ=f(UБЭ): при UКЭ=0 и при UКЭ=8 В.
2.2.2. Снятие семейства из 6 выходных характеристик IК=f(UКЭ) при токах базы, указанных в таблице 2.4, включая IБ=0. Особое внимание обращаем на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. UКЭ=0 - 1 В, а так же не превосходим мощность рассеивания на коллекторе (UКЭ∙IК=РК<РК max=150 мВт).
2.2.Исследование работы усилителя.
ЛР No3 " ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Экспериментальные данные
2.1. Снятие передаточной характеристики IC=F(U3И).
2.2. Снятие выходных характеристик транзистора при четырех значениях напряжения на затворе UЗИ, в том числе при UЗИ 1=0, UЗИ 2=0,2×UЗИО, UЗИ 3=0,4×UЗИО и UЗИ 4=0,6×UЗИО.
2.3. Исследование схемы усилителя при различных напряжениях Есм
Дополнительная информация
2013 г.
Оценка - зачет
Оценка - зачет
Похожие материалы
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
maromash
: 30 марта 2013
Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
350 руб.
Другие работы
Контрольная работа по схемотехнике: "Расчет многокаскадного усилителя с ООС"
Amor
: 8 октября 2013
Исходные данные
Вход/ООС БТ/ БТ(WC) h21Э/h21Э(WC) ЕК, В UH, B RH, кОм RГ, кОм KU.HOM fНЧ.ОС Гц fВЧ.ОС кГц
БТ-AC KT3102V/ KT315E 340/220 18 3.5 0.35 0.75 0.7 40 100
Структурная схема усилителя одинакова для всех вариантов задания и содержит в себе следующие элементы:
1 - Входной каскад
2 - Промежуточный каскад
3 - Выходной каскад
ОС – цепь обратной связи
200 руб.
Доклад по истории на тему: Русская литература первой половины XIX века
Infanta
: 5 апреля 2026
Доклад по истории на тему: Русская литература первой половины XIX века
Доклад + презентация
200 руб.
Теплотехника Часть 1 Термодинамика Задача 11 Вариант 1
Z24
: 11 октября 2025
Определить параметры состояния 1 кг воздуха в конце адиабатного расширения от давления р1 до р2 = 0,1 МПа.
Определить также работу процесса и изменение внутренней энергии воздуха. Начальная температура газа t1 = 27ºС.
150 руб.
Экзамен по дисциплине: Математический анализ
ДО Сибгути
: 14 февраля 2016
1. Частные производные и полный дифференциал функции многих переменных, их геометрический смысл
2. Вычислить объём тела, ограниченного поверхностями
3. Вычислить градиент скалярного поля в точке . Построить градиент и линию уровня поля, проходящую через точку М.
4. Вычислить поток векторного поля через поверхность G:
5. Применяя формулу Стокса, вычислить циркуляцию векторного поля по замкнутому контуру С, образованному пересечением плоскости с координатными плоскостями.
50 руб.