Физические основы электроники. Лабораторные работы №1, 2, 3.

Лр No1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении
2.Исследование вольтамперной характеристики диода при обратном включении
3.Исследование стабилитрона Д814А
4.Исследование однополупериодного выпрямителя
ЛР No2 "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1.Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Тип исследуемого транзистора – n-p-n
2.Экспериментальные данные
2.1.Исследование БТ для схемы с ОБ
2.1.1 Снятие входных характеристик транзистора: IЭ= f(UЭБ) при UКБ=0 и UКБ=8 В.
2.2.1. Снятие входных характеристик IБ=f(UБЭ): при UКЭ=0 и при UКЭ=8 В.
2.2.2. Снятие семейства из 6 выходных характеристик IК=f(UКЭ) при токах базы, указанных в таблице 2.4, включая IБ=0. Особое внимание обращаем на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. UКЭ=0 - 1 В, а так же не превосходим мощность рассеивания на коллекторе (UКЭ∙IК=РК<РК max=150 мВт).
2.2.Исследование работы усилителя.
ЛР No3 " ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Экспериментальные данные
2.1. Снятие передаточной характеристики IC=F(U3И).
2.2. Снятие выходных характеристик транзистора при четырех значениях напряжения на затворе UЗИ, в том числе при UЗИ 1=0, UЗИ 2=0,2×UЗИО, UЗИ 3=0,4×UЗИО и UЗИ 4=0,6×UЗИО.
2.3. Исследование схемы усилителя при различных напряжениях Есм

2013 г.
Оценка - зачет