Контрольная работа по физическим основам электроники. вариант 01, сибгути
-
Категории:
******* Не известно, Физика. Физика математическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
08.12.2014
-
Размер:
928 KB
-
Покупок:
11
-
Добавил:
Yulya0709
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
кр физические основы электроники.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
ЗАДАЧА 1(С 1ПО 3-ВАРИАНТ 1)
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
ЗАДАЧА 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
ЗАДАЧА 4 Вариант 0
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано: полевой транзистор типа КП 903 А, UСИ 0= 18В, UЗИ 0=8В.
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
ЗАДАЧА 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
ЗАДАЧА 4 Вариант 0
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано: полевой транзистор типа КП 903 А, UСИ 0= 18В, UЗИ 0=8В.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 26.11.2014
Рецензия:Уважаемый.....Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 26.11.2014
Рецензия:Уважаемый.....Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Контрольная работа №1. Физические основы электроники. Вариант №01
DarkInq
: 21 апреля 2014
1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры
2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1
DarkInq
: 21 апреля 2014
30 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники
Богарт
: 5 апреля 2017
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
Богарт
: 5 апреля 2017
199 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
Aronitue9
: 3 сентября 2011
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на част
Aronitue9
: 3 сентября 2011
50 руб.
Контрольная работа "Физические основы электроники". Вариант 01.
corner
: 18 ноября 2011
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3. Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |H21|/h21=F(f) для различных с
corner
: 18 ноября 2011
100 руб.
Контрольная работа по предмету физические основы электроники. Вариант 01
te86
: 17 мая 2013
Задание 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления
te86
: 17 мая 2013
60 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники вариант 10
Ameniya
: 25 августа 2017
Вариант задания к задачам №1; 2; 3 - 0; Вариант задания к задаче №4 - 1
Ameniya
: 25 августа 2017
50 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники. Вариант № 5
albanec174
: 13 декабря 2012
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистор, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
1) построить линию нагрузки;
2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
3) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI ,
albanec174
: 13 декабря 2012
80 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники. Вариант №25
natin83
: 4 марта 2012
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистор, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
1) построить линию нагрузки;
2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
3) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по
natin83
: 4 марта 2012
200 руб.
Другие работы
Задание 81. Вариант 11 - Соединение шлицевое
Чертежи по сборнику Боголюбова 2007
: 21 мая 2023
Возможные программы для открытия данных файлов:
WinRAR (для распаковки архива *.zip или *.rar)
КОМПАС 3D не ниже 16 версии для открытия файлов *.cdw, *.m3d, *.a3d
Любая программа для ПДФ файлов.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения, 1989/1994/2007.
Задание 81. Вариант 11 - Соединение шлицевое
Выполнить чертеж каждой детали (1 и 2) в отдельности, нанести обозначения.
В состав выполненной работы входят 6 файлов:
1. Чертеж детали "Вал шлицевой" с размерами и необходимыми сеч
Чертежи по сборнику Боголюбова 2007
: 21 мая 2023
150 руб.
Двухэтажный индивидуальный жилой дом
MagicT
: 20 февраля 2017
Содержание
Введение
1. Общая часть
2. Задание на проектирование
3. Объемно-планировочное решение
4. Конструктивное решение
5. Теплотехнический расчет
6. Библиографический список
Задание на проектирование
Участок под застройку расположен в городе Москва.
Основанием для проектирования служит типовой эскизный проект.
Общая характеристика объекта:
- вид здания – кирпичный жилой дом с подвальным этажом;
- основной материал – керамический кирпич;
- класс капитальности – II класс по капитальности;
- с
MagicT
: 20 февраля 2017
50 руб.
Из истории открытия и использования рыбных ресурсов южной части Тихого океана
alfFRED
: 25 сентября 2013
Шестидесятые – начало семидесятых годов ХХ столетия ознаменовались тем, что многие прибрежные государства стали вводить по собственной инициативе очень широкие так называемые исключительные экономические зоны (ИЭЗ). Например, 200-мильные зоны ввели Никарагуа (1965 г.), Панама (1967 г.), Эквадор и Аргентина (1968 г.); 130-150-мильные зоны ввели Гана (1963 г.), Гвинея (1969 г.), Габон, Мадагаскар (1973 г.). Еще раньше 200-мильные зоны, которые были объявлены территориальными водами, ввели Чили, Пе
alfFRED
: 25 сентября 2013
10 руб.
Палеогеография и методы восстановления условий накопления осадков
alfFRED
: 24 сентября 2013
Палеогеография и методы восстановления условий накопления осадков
1. Палеогеография (от гр. палео… (древний) и география) – наука, изучающая физико-географические обстановки на поверхности Земли в геологическом прошлом.
Палеогеография является:
Частью исторической геологии, которая дает материал для изучения истории развития земной коры и Земли в целом.
Частью общей физической географии, изучающей физико-географические условия прошлого для понимания современной природы Земли.
Методы палеоге
alfFRED
: 24 сентября 2013
10 руб.
