Контрольная работа по физическим основам электроники. вариант 01, сибгути
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
ЗАДАЧА 1(С 1ПО 3-ВАРИАНТ 1)
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
ЗАДАЧА 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
ЗАДАЧА 4 Вариант 0
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано: полевой транзистор типа КП 903 А, UСИ 0= 18В, UЗИ 0=8В.
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
ЗАДАЧА 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
ЗАДАЧА 4 Вариант 0
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано: полевой транзистор типа КП 903 А, UСИ 0= 18В, UЗИ 0=8В.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 26.11.2014
Рецензия:Уважаемый.....Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 26.11.2014
Рецензия:Уважаемый.....Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Контрольная работа №1. Физические основы электроники. Вариант №01
DarkInq
: 21 апреля 2014
1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры
2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1
30 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники
Богарт
: 5 апреля 2017
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
50 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
Aronitue9
: 3 сентября 2011
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на част
50 руб.
Контрольная работа "Физические основы электроники". Вариант 01.
corner
: 18 ноября 2011
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3. Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |H21|/h21=F(f) для различных с
100 руб.
Контрольная работа по предмету физические основы электроники. Вариант 01
te86
: 17 мая 2013
Задание 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления
60 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники вариант 10
Ameniya
: 25 августа 2017
Вариант задания к задачам №1; 2; 3 - 0; Вариант задания к задаче №4 - 1
50 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники. Вариант № 5
albanec174
: 13 декабря 2012
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистор, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
1) построить линию нагрузки;
2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
3) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI ,
80 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники. Вариант №25
natin83
: 4 марта 2012
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистор, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
1) построить линию нагрузки;
2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
3) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по
200 руб.
Другие работы
Проект модернизации автомобильного крана КС-4572
Рики-Тики-Та
: 21 января 2012
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. КОНСТРУКТОРСКАЯ ЧАСТЬ
1.1. Описание базового крана и обоснование его модернизации
1.2. Расчет телескопической стрелы
1.3. Расчет механизма подъема стрелы
1.4. Расчет механизма подъема груза
1.5. Расчет гидропривода механизма подъема груза
1.5.1. Исходные данные для расчета
1.5.2. Выбор рабочей жидкости
1.5.3. Расчет мощности и подачи насоса
1.5.4. Определение типоразмера насоса
1.5.5. Выбор типоразмера направляющей, регулирующей
гидроаппаратуры и фи
55 руб.
Семантика и структура рассказов об Олеге и Ольге в «Повести временных лет»
evelin
: 22 февраля 2014
В исследованиях последних лет, посвященных «Повести временных лет» (далее – ПВЛ), в противоположность доминировавшему в отечественной медиевистике со времен А. А. Шахматова текстологическому подходу (исходящему из понимания ПВЛ как свода, компиляции различных, прежде всего летописных, текстов), высказывается мнение, что ПВЛ – целостное произведения, обладающее единой структурой и содержащее инвариантные мотивы и образы[i].
В. Я. Петрухин даже склонен рассматривать композицию повествования началь
5 руб.
Оптические средства сопряжения. 02-й вариант
kombatowoz
: 13 декабря 2021
Контрольные вопросы к разделу 1
1. Что называют оптическими физическими средствами сопряжения?
2. Устройство и назначение модуля SFP.
3. Конструктивные отличия модулей SFP от XFP, CFP и их характеристик.
4. Указать диапазоны волны оптического спектра, которые генерируются и детектируются в модулях SFP, XFP, CFP.
5. Назвать возможные расстояния оптической передачи, которые могут поддерживать модули SFP, XFP, CFP при использовании одномодовых волокон G.652.
6. Назвать типы лазеров и фотодетекторо
100 руб.
Микропроцессорная техника в системах связи. Лабораторная работа №1, вариант №17
tatacava1982
: 9 июня 2021
Содержание
1 Цель работы 3
2 Исходные данные 3
3 Принципиальная схема одного бита параллельного порта 3
4 Эквивалентная схема подключения светодиода к параллельному порту 3
5 Принципиальная схема и внешний вид микроконтроллера с используемой в работе периферией 4
6 Зажечь светодиоды 5
6.1 Скрипт программы 5
6.2 Листинг программы 5
6.3 Содержимое HEX- файла 6
6.4 Скриншот лабораторного стенда 6
7 Высветить число на двухразрядном семисегментном индикаторе 7
7.1 Скрипт программы 7
7.2 Листинг прогр
400 руб.