Контрольная работа. ФОЭ
-
Категории:
******* Не известно, Электроника, Работа Контрольная
-
Добавлен:
12.03.2015
-
Размер:
1010 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
IT
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
A8375A5A-4584-4C66-92D6-E2F6903749D2.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА.
Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI, напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~, мощность, рассеиваемую в коллекторе PK0, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия .
Задача No 2
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА.
Найти: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача No 3
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА. Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи токаН21Э=2,75 и постоянная времени цепи коллектора К= 70 пс.
Найти: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача No4.
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.
Найти: 1.Построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока.
2.Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА.
Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI, напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~, мощность, рассеиваемую в коллекторе PK0, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия .
Задача No 2
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА.
Найти: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача No 3
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА. Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи токаН21Э=2,75 и постоянная времени цепи коллектора К= 70 пс.
Найти: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача No4.
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.
Найти: 1.Построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока.
2.Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Похожие материалы
Контрольная работа. ФОЭ. Вариант №1
sxesxe
: 16 октября 2016
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
Для данного транзистора на частоте f =100
sxesxe
: 16 октября 2016
100 руб.
Контрольная работа ФОЭ. Вариант 02.
Антон133
: 3 апреля 2016
1. Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) р
Антон133
: 3 апреля 2016
200 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант № 9
xtrail
: 20 марта 2013
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
xtrail
: 20 марта 2013
160 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Приложены файлы для построения графиков
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗА
ДО Сибгути
: 26 января 2013
40 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №0
ДО Сибгути
: 26 января 2013
4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант
Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1.
Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частотыН21/ h21=F(f) для различных схем
ДО Сибгути
: 26 января 2013
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
azatmar
: 22 января 2012
Специальность ФТОС
Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами:
Тип полупроводника n-тип Ge
Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см
Подвижность электронов μn = 1800 см2/(В*с)
Подвижностьм дырок μр = 140 см2/(В*с)
Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3
Концентрация основных носителей тока nn = ?
Концентрация неосновных носителей тока pn = ?
1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3
Энергия
azatmar
: 22 января 2012
250 руб.
ФОЭ. 3семестр. Контрольная работа. Вариант №14
58197
: 26 марта 2013
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Вариант: No14
Задача 1.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока к
58197
: 26 марта 2013
45 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 4-й вариант
Aronitue9
: 8 марта 2012
4 задачи.
1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант
доц. Савиных В. Л.
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой
Aronitue9
: 8 марта 2012
20 руб.
Другие работы
Формирование бюджета предприятия
Qiwir
: 13 ноября 2013
Содержание
Введение
1. Общие принципы формирования бюджета предприятия
1.1 Основные составляющие системы бюджетирования предприятия
1.2 Этапы разработки бюджета предприятия
1.3 Процедуры исполнения бюджета предприятия
1.4 Создание центров финансовой ответственности
2. Особенности формирования бюджета предприятия
2.1 Учет рисков при принятии управленческих решений на этапе формирования бюджета
2.2 Распределение ответственности при формировании бюджета
Заключение
Список использованных и
Qiwir
: 13 ноября 2013
10 руб.
Расчет крана мостового грузоподъемностью 5 тонн
elementpio
: 19 августа 2012
1. Введение ______________________________________________________2
2. Аналитический обзор____________________________________________3
3. Исследовательский раздел________________________________________9
4. Конструкторский раздел_________________________________________16
4.1. Расчет механизма подъема груза ______________________________16
4.2. Расчет механизмов передвижения крана________________________25
4.3. Расчет металлоконструкции мостового крана____________________35
4.6
elementpio
: 19 августа 2012
490 руб.
Курсовой по деталям машин. Программы для расчётов курсового проекта. Задание 6.
kyxlik2
: 5 октября 2012
Программа для расчётов курсового проекта по деталям машин на базе EXCEL и AutoCAD.
Для проведения расчета имеется подробная инструкция по расчету и вводу данных.
Методика пользования программами предусматривает поэтапное проведение расчетов"шаг за шагом", при этом на каждом "Листе" необходимо задавать исходные данные, полученные в предыдущих расчетах.
Содержание программ для расчета и последовательность выполнения расчетов
1. Инструк
kyxlik2
: 5 октября 2012
80 руб.
Упрочняющие технологии станкоинструментального производства
DocentMark
: 3 марта 2013
Параметры поверхностного слоя деталей
Классификация параметров поверхностного слоя детали
Принципы обеспечения параметров поверхностного слоя
Поверхностное термическое упрочнение материалов
Классификация методов поверхностного упрочнения
Поверхностная закалка: общие положения, характеристика и свойства источников нагрева
Индукционная поверхностная закалка (ТВЧ)
Особенности структурных превращений при закалке ТВЧ
Оборудование и приспособления для высокочастотной закалки
Газопламенное поверхностно
DocentMark
: 3 марта 2013
10 руб.
