Контрольная работа. ФОЭ
-
Категории:
******* Не известно, Электроника, Работа Контрольная
-
Добавлен:
12.03.2015
-
Размер:
1010 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
IT
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
A8375A5A-4584-4C66-92D6-E2F6903749D2.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА.
Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI, напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~, мощность, рассеиваемую в коллекторе PK0, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия .
Задача No 2
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА.
Найти: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача No 3
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА. Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи токаН21Э=2,75 и постоянная времени цепи коллектора К= 70 пс.
Найти: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача No4.
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.
Найти: 1.Построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока.
2.Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА.
Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI, напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~, мощность, рассеиваемую в коллекторе PK0, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия .
Задача No 2
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА.
Найти: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача No 3
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА. Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи токаН21Э=2,75 и постоянная времени цепи коллектора К= 70 пс.
Найти: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача No4.
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.
Найти: 1.Построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока.
2.Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Похожие материалы
Контрольная работа. ФОЭ. Вариант №1
sxesxe
: 16 октября 2016
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
Для данного транзистора на частоте f =100
sxesxe
: 16 октября 2016
100 руб.
Контрольная работа ФОЭ. Вариант 02.
Антон133
: 3 апреля 2016
1. Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) р
Антон133
: 3 апреля 2016
200 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант № 9
xtrail
: 20 марта 2013
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
xtrail
: 20 марта 2013
160 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Приложены файлы для построения графиков
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗА
ДО Сибгути
: 26 января 2013
40 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №0
ДО Сибгути
: 26 января 2013
4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант
Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1.
Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частотыН21/ h21=F(f) для различных схем
ДО Сибгути
: 26 января 2013
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
azatmar
: 22 января 2012
Специальность ФТОС
Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами:
Тип полупроводника n-тип Ge
Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см
Подвижность электронов μn = 1800 см2/(В*с)
Подвижностьм дырок μр = 140 см2/(В*с)
Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3
Концентрация основных носителей тока nn = ?
Концентрация неосновных носителей тока pn = ?
1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3
Энергия
azatmar
: 22 января 2012
250 руб.
ФОЭ. 3семестр. Контрольная работа. Вариант №14
58197
: 26 марта 2013
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Вариант: No14
Задача 1.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока к
58197
: 26 марта 2013
45 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 4-й вариант
Aronitue9
: 8 марта 2012
4 задачи.
1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант
доц. Савиных В. Л.
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой
Aronitue9
: 8 марта 2012
20 руб.
Другие работы
Разработка проекта обогатительной фабрики для переработки титаноциркониевых руд Итмановской россыпи Лукояновского месторождения с обоснованием выбора технологии и оборудования
DoctorKto
: 1 ноября 2012
В работе выполнен анализ геологии месторождения и вещественного состава ценного компонента и вмещающих пород на основании которых были выбраны технологические схемы переработки и обогащения, титаноциркониевых руд. Для выбранных технологических схем определены основные показатели и рассчитан водный режим фабрики. Составлена схема цепи аппаратов, выбрано и размещено оборудование и спроектирована обогатительная фабрика с учетом АСУ ТП, электроснабжения, безопасности ведения работ. Выполнены технико
DoctorKto
: 1 ноября 2012
Основы физической и квантовой оптики (ДВ 2.2). Контрольная работа. Вариант № 03. 3 курс 6 семестр. Задача 1 к модулю 1 Оптическое волокно имеет следующие параметры: n1 - абсолютный показатель преломления сердцевины волокна; n2 - абсолютный п
virtualman
: 11 января 2020
Задача 1 к модулю 1
Оптическое волокно имеет следующие параметры:
n1 - абсолютный показатель преломления сердцевины волокна;
n2 - абсолютный показатель преломления оболочки волокна.
Определить:
предельный угол ( ), результат представить в градусах;
числовую апертуру оптического волокна (NA);
апертурный угол (), результат представить в градусах.
Значения n1, n2 приведены в таблицах 1.1 и 1.2., n0 принять равным 1.
Данные из таблицы 1.1 выбираются в
virtualman
: 11 января 2020
287 руб.
Внешнеторговые отношения Вьетнама
Elfa254
: 12 сентября 2013
Содержание
Введение
1. Краткая характеристика государства
2. История развития внешней торговли Вьетнама
3. Современное положение дел
Выводы
Список использованной литературы
Введение
С 1986 Вьетнам осуществляет новую политику всесторонней реформы социальной экономики и многостороннюю внешнюю политику под девизом: «Вьетнам хочет быть другом и надежным партнером стран всего мира». Вьетнам самостоятельно осуществляет интеграцию в мировую экономику, переходя из системы плановой централизованн
Elfa254
: 12 сентября 2013
Гидростатика и гидродинамика ТИУ Задача 1.1 Вариант 20
Z24
: 31 декабря 2026
При гидравлическом испытании участка трубопровода с внутренним диаметром d и длиной l, проводимом с целью обеспечения безопасности технологических процессов и недопущения загрязнения окружающей среды, манометрическое давление жидкости было поднято до значения 55 атм. Пренебрегая деформацией трубопровода и изменением температуры, определить какой объем жидкости вытек из негерметичного трубопровода, если через один час давление в нем упало до 40 атм. Модуль упругости жидкости принять равным 2,0·10
Z24
: 31 декабря 2026
150 руб.
