ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. Вариант №7
-
Категории:
СибГУТИ, Физические основы электроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
17.03.2015
-
Размер:
516 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
Lanisto
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
контрольная работа вар 07.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА.
Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
2.Найти: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
3. Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
4.По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
2.Найти: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
3. Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
4.По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Дополнительная информация
Зачтена. 2015 год. СибГУТИ
Похожие материалы
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
erboollat
: 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
300 руб.
Физические основы электроники
Фрося
: 25 февраля 2020
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА;
амплитудное значение переменной
составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
Фрося
: 25 февраля 2020
1000 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
Фрося
: 25 февраля 2020
900 руб.
Физические основы электроники
kombatowoz
: 7 декабря 2019
2 вариант 1,2,3 лабораторные работы
1,2,3 лабораторные работы,2019 год
1 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА.
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3
kombatowoz
: 7 декабря 2019
200 руб.
Другие работы
Теплотехника Задача 3.131 Вариант 66
Z24
: 23 июля 2026
Произвести расчет термодинамических параметров газовой смеси, совершающей изобарное расширение до объема V2, если известны начальная температура t1, начальное давление р1 и масса смеси m.
Определить: газовую постоянную и кажущуюся молекулярную массу, начальный объем V1, основные параметры в конечном состоянии, изменение внутренней энергии, энтальпии, энтропии, теплоту и работу расширения в процессе 1-2.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблицах 1, 2.
При определении моляр
Z24
: 23 июля 2026
350 руб.
Влияние стилей семейного воспитания на формирование дисгармонизаций характера подростков
Lokard
: 18 октября 2013
Введение
Проблема влияния семейного воспитания на дисгармонизацию характера подростков весьма актуальна в наши дни. Учителя в школах отмечают, что подростков с дисгармонизацией характера с каждым годом становится все больше, с ними трудно работать, и, зачастую, учителя и родители просто не знают, как справиться с их поведением. Единственное педагогическое воздействие, которое временно спасает, - это наказание или выговор, после чего дети на какое-то время становятся сдержаннее, и их поведение н
Lokard
: 18 октября 2013
10 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Цифровые системы передачи. Билет 7
Roma967
: 19 декабря 2022
Экзаменационный билет по курсу ЦСП.
Билет № 7
1. Тактовая синхронизация в ЦСП.
2. Функции заголовков в СЦИ.
Roma967
: 19 декабря 2022
400 руб.
Экзамен по дисциплине: Менеджмент. Билет №15
СибирскийГУТИ
: 24 апреля 2014
Задача № 1.
На примере одной из компаний, предоставляющий услуги доступа в интернет выполнить исследование сильных и слабых сторон организации, а также возможностей и угроз. Решение задачи должно включать:
а. описание ситуации на рынке,
б. расчеты на основе методики SWOT-анализа,
с. Выводы по результатам расчетов.
Выводы:
Задача № 2.
Вы – менеджер по производству фирмы, выпускающей холодильники. Недавно вы узнали, что конкурирующая фирма придала своим холодильникам новое свойство, которое отсут
СибирскийГУТИ
: 24 апреля 2014
150 руб.
