Физика. Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 8A0007AB-ABDC-42A7-AFFB-A95317B784DF.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы

Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.

4. Задание

Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
Построить график зависимости lns от 1/ Т.
На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.

5. Контрольные вопросы

Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (3 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.05.2012
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.

Работа зачтена.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Проект участка по ремонту двигателей легковых автомобилей ВАЗ в условиях ОАО Новосибирск Лада
Для решения поставленной цели в работе решины следующие задачи: - проведен анализ деятельности предприятия; - обоснована необходимость для реализации проекта; - разработан план мероприятий по внедрению проекта. - разработано конструкторское приспособления для сборки разборки ДВС. - экономически обоснован целесообразность внедрения проекта. Графическая часть состоит из 8 листов формата А1
User элай : 14 января 2016
1500 руб.
Проект участка по ремонту двигателей легковых автомобилей ВАЗ в условиях ОАО Новосибирск Лада
Название не отражает содержание работы
Задача №1. Рассмотрим дискретную однородную цепь Маркова, для которой дана диаграмма переходов: Требуется: 1. Выписать матрицу переходов цепи Маркова; 2. Найти вектор стационарного распределения вероятностей 3. Найти среднее время возвращения в каждое состояние. Задача №2. Рассмотрим процесс размножения и гибели с интенсивностями рождения и гибели: соответствующими системе M/M/1, без очереди. Требуется: 1. Построить диаграмму интенсивностей переходов. 2. Определить - стационарные вероятно
User chita261 : 8 марта 2015
100 руб.
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Основы оптической связи (часть 2-я). Вариант №24(04)
ИЗУЧЕНИЕ ПРИНЦИПОВ КОДИРОВАНИЯ ДЛЯ КОГЕРЕНТНЫХ СЕТЕЙ 1. Цель работы: Целью работы является изучение принципов формирования оптических сигналов в когерентных оптических сетях Порядок выполнения работы 1. Лабораторная работа запускается файлом «Project1.exe» 2. Изучите пункты меню «Введение», «Цель работы», «Теория». В пункте «Теория» изучите все разделы верхней строки меню: Принципы кодирования для когерентных сетей, Оценка спектральной эффективности формирования оптических сигналов, Характеристи
User rospezden : 15 марта 2024
300 руб.
Микропроцессоры и цифровая обработка сигналов. Лабораторная работа № 1. Знакомство с интегрированной средой программирования KEIL-C. Вариант 16 (2018)
Лабораторная работа № 1 по дисциплине «Микропроцессоры и цифровая обработка сигналов» Знакомство с интегрированной средой программирования KEIL-C Вариант 16 1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ. 1.1. Изучить интегрированную среду программирования keil-C. 1.2. Получить навыки работы с текстовым редактором этой среды программирования. 1.3. Получить навыки работы с программными проектами. 1.4. Научиться транслировать программы. 1.5. Изучить работу отладчика программ в интегрированной среде программирования keil C.
User rmn77 : 10 марта 2018
50 руб.
Микропроцессоры и цифровая обработка сигналов. Лабораторная работа № 1. Знакомство с интегрированной средой программирования KEIL-C. Вариант 16 (2018)
up Наверх