Физика. Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
-
Категории:
СибГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
20.03.2015
-
Размер:
166 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
zhekaersh
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
8A0007AB-ABDC-42A7-AFFB-A95317B784DF.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
4. Задание
Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
Построить график зависимости lns от 1/ Т.
На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
4. Задание
Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
Построить график зависимости lns от 1/ Т.
На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (3 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.05.2012
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (3 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.05.2012
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Другие работы
Переключатель П.21.00.00
bublegum
: 15 августа 2021
П.21.00.00 Переключатель
Переключатель применяется для блокировки различных механизмов, станков и используется как контактный датчик положения различных деталей механизмов.
При нажатии на шток 2 поступательное движение механизма передается на держатель 3. На держателе 3 установлены две контактные пластины 5, которые с помощью пружины 11 прижимаются к контакту 6. Держатель 3, сжимая пружину 10, доходит до упора 4. В результате одна цепь разрывается, а другая замыкается.
Переключатель П.21.00.00
bublegum
: 15 августа 2021
700 руб.
Виробнича зона на 210 автомобiлiв ПАЗ-3205
proekt-sto
: 6 мая 2023
Зміст
Завдання курсової роботи
1. Вибір і коректування вихідних нормативів технічного обслуговування і ремонту 4
2. План обслуговування і виробнича програма з технічного обслуговування і ремонту рухомого складу 6
3. Річний об'єм виробництва і штати автотранспортного підприємства 8
4. Розрахунок кількості виробничих постів, вибір і обґрунтування методів організації виробництва на постах 12
5. Розрахунок і підбір основного технологічного обладнання 15
6. Склад приміщень
proekt-sto
: 6 мая 2023
50 руб.
Экзамен по предмету Методы оптимальных решений. Билет №6
nastenakosenkovmailru
: 2 ноября 2015
1.В цехе предприятия имеются 5 универсальных станков, которые могут выполнять четыре вида работ. Производительность каждого станка при выполнении каждой работы задается матрицей С. Найти наиболее рациональное распределение работ между станками, максимизирующее суммарную производительность станков, если каждый станок можно загружать только одной работой.
1 14 6 3
1 11 6 4
3 9 2 9
4 9 3 5
11 10 1 3
2.Решить графически игру, заданную платежной матрицей:
2 4 0 3 5
6 3 8 4 2
nastenakosenkovmailru
: 2 ноября 2015
159 руб.
Проектування технології виготовлення швидкістного валу (вал-шестерні) цилиндричного горизонтального редуктора
GnobYTEL
: 6 октября 2012
ЗМІСТ
ВСТУП
1 КОНСТРУКОРСЬКА ЧАСТИНА
1.1 Кінематичний розрахунок приводу
1.1.1 Вибір електродвигуна
1.1.2 Визначення обертаючих моментів на валах
та кінематичні розрахунки
1.2 Розрахунок зубчастої передачі
1.2.1 Вибір матеріалу деталі
1.2.2 Визначення допустимих контактнийх напружень
та напружень згину
1.2.3 Розрахунок міжосьової відстані
1.2.4 Розрахунок па
GnobYTEL
: 6 октября 2012
450 руб.
