Физика. Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
4. Задание
Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
Построить график зависимости lns от 1/ Т.
На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
4. Задание
Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
Построить график зависимости lns от 1/ Т.
На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (3 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.05.2012
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (3 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.05.2012
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Другие работы
Привилегии и иммунитеты дипломатических представительств и их персонала
DocentMark
: 9 сентября 2013
Содержание
Введение
Глава 1. Теоретическое обоснование дипломатических привилегий и иммунитетов
1.1 Понятие дипломатических привилегий и иммунитетов
1.2 Теория экстерриториальности
1.3 Теория представительского характера посла
1.4 Теория дипломатических функций
Глава 2. Дипломатические привилегии и иммунитеты в свете положений Венской Конвенции о дипломатических сношениях 1961г.
2.1 Привилегии и иммунитеты дипломатических представительств
2.2 Личные привилегии и иммунитеты
Глава 3. П
Весняна обрядовість і її виховне значення
evelin
: 27 ноября 2012
План
1. Вступ.
2. Веснянки та народні забави.
3. Свято сорока мучеників.
4. День Олексія.
5. Благовіщення.
6. Вербна неділя.
7. Страсна тиждень.
8. Великдень.
9. Радуниця – великоднє поминання померлих.
10. Свято Юрія.
11. Весняний Микола.
12. Висновки.
13. Список використаних джерел.
Слов’янські народи мають величезну духовну та культурну спадщину, яка складається зі звичаїв, традицій, фольклор
10 руб.
Инженерная графика. Задание №45. Вариант №25. Детали №1,2,3,4
Чертежи
: 26 марта 2020
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения.
Задание 45. Вариант 25. Задачи 1-4.
Тема: Проекционные виды.
Построить третью проекцию модели по двум заданным. Нанести размеры.
В состав работы входят 12 файлов:
– 4 3D модели деталей;
- 4 ассоциативных чертежа в трёх видах, а так же изометрия и диметрия с действительными коэффициентами (по одному для каждой 3D модели);
– 4 обычных чертежа в трёх видах, а так же изометрия с коэффициентом 1 и ди
150 руб.
ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОНАЯ РАБОТА БАКАЛАВРА. Проектирование информационной системы для сервиса видеонаблюдения
const30
: 13 марта 2018
Работа посвящена теме разработки проекта системы видеонаблюдения. В своей работе автор проанализировал рынок видеонаблюдения, выделил
ключевые тенденции развития рынка услуг видеонаблюдения, определил основные требования к видеонаблюдению, продемонстрировал актуальность и
наличие спроса на услуги видеонаблюдения. Автором было дано определение понятию «система видеонаблюдения», проведён сравнительный анализ инструментов и технологий проектирования
системы видеонаблюдения, осуществлён выбор облачн
1340 руб.