Физика. Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
4. Задание
Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
Построить график зависимости lns от 1/ Т.
На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
4. Задание
Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
Построить график зависимости lns от 1/ Т.
На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (3 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.05.2012
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (3 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.05.2012
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Другие работы
Проект участка по ремонту двигателей легковых автомобилей ВАЗ в условиях ОАО Новосибирск Лада
элай
: 14 января 2016
Для решения поставленной цели в работе решины следующие задачи:
- проведен анализ деятельности предприятия;
- обоснована необходимость для реализации проекта;
- разработан план мероприятий по внедрению проекта.
- разработано конструкторское приспособления для сборки разборки ДВС.
- экономически обоснован целесообразность внедрения проекта.
Графическая часть состоит из 8 листов формата А1
1500 руб.
Название не отражает содержание работы
chita261
: 8 марта 2015
Задача №1.
Рассмотрим дискретную однородную цепь Маркова, для которой дана диаграмма переходов:
Требуется:
1. Выписать матрицу переходов цепи Маркова;
2. Найти вектор стационарного распределения вероятностей
3. Найти среднее время возвращения в каждое состояние.
Задача №2.
Рассмотрим процесс размножения и гибели с интенсивностями рождения и гибели:
соответствующими системе M/M/1, без очереди.
Требуется:
1. Построить диаграмму интенсивностей переходов.
2. Определить - стационарные вероятно
100 руб.
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Основы оптической связи (часть 2-я). Вариант №24(04)
rospezden
: 15 марта 2024
ИЗУЧЕНИЕ ПРИНЦИПОВ КОДИРОВАНИЯ ДЛЯ КОГЕРЕНТНЫХ СЕТЕЙ
1. Цель работы:
Целью работы является изучение принципов формирования оптических сигналов в
когерентных оптических сетях
Порядок выполнения работы
1. Лабораторная работа запускается файлом «Project1.exe»
2. Изучите пункты меню «Введение», «Цель работы», «Теория». В пункте
«Теория» изучите все разделы верхней строки меню: Принципы кодирования
для когерентных сетей, Оценка спектральной эффективности формирования
оптических сигналов, Характеристи
300 руб.
Микропроцессоры и цифровая обработка сигналов. Лабораторная работа № 1. Знакомство с интегрированной средой программирования KEIL-C. Вариант 16 (2018)
rmn77
: 10 марта 2018
Лабораторная работа № 1
по дисциплине
«Микропроцессоры и цифровая обработка сигналов»
Знакомство с интегрированной средой программирования KEIL-C
Вариант 16
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ.
1.1. Изучить интегрированную среду программирования keil-C.
1.2. Получить навыки работы с текстовым редактором этой среды программирования.
1.3. Получить навыки работы с программными проектами.
1.4. Научиться транслировать программы.
1.5. Изучить работу отладчика программ в интегрированной среде программирования keil C.
50 руб.