Физика. Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 8A0007AB-ABDC-42A7-AFFB-A95317B784DF.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы

Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.

4. Задание

Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
Построить график зависимости lns от 1/ Т.
На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.

5. Контрольные вопросы

Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (3 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.05.2012
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.

Работа зачтена.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Зачетная работа по дисциплине: "Оптические мультисервисные сети". Билет №9
Билет №9 1 Принципы синхронизации транспортной сети. 2 Функции физического уровня АТМ. Задача Определить число ячеек АТМ (сегментация AAL1), которые необходимы для транспортировки речевого сообщения, преобразованного в ИКМ сигнал (стандарт G.711) длительностью 4 секунды.
User wowan1190 : 2 апреля 2014
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №№1 и 2. Вариант 10.
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа 1 и 2. Вариант 10. «Выбор резистора для зарядных устройств» «Исследование характеристик светодиода» **************************************************************** Помогу с другим вариантом. Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам для ДО, ЗО и ускоренников СибГУТИ. Помогу написать выпускную квалификационную работу. Сессия «под ключ» E-mail: zloy.yozh77@mail.ru ************************************************************
User rmn77 : 3 апреля 2020
400 руб.
Конкурсное производство - процедура ликвидации предприятия
Содержание 1. Общие положения о конкурсном производстве 3 1.1. Цели введения конкурсного производства 3 1.2. Последствия открытия конкурсного производства 4 2. Конкурсный управляющий 6 2.1. Полномочия конкурсного управляющего 7 3. Конкурсная масса 9 3.1. Имущество должника, не включаемое в конкурсную массу 9 4. Удовлетворение требований кредиторов 11 4.1. Очередность удовлетворения требований кредиторов 11 5. Возможность перехода к внешнему управлению 12 6. Завершение конкурсного производства 13
User Lokard : 2 декабря 2013
10 руб.
Коробка передач Камаз 5320 с восстановлением оси блока шестерен заднего хода
Содержание Часть 1 1 Введение…………………………………………………………………………3 2. Техническая характеристика коробки передач 4 3. Технологический процесс разборки, сборки коробки передач 7 4. Контролируемые при дефектации размеры оси блока шестерен 15 5. Причины изменения формы и геометрических параметров оси блока шестерен заднего хода 15 Часть 2 6 Сравнительная оценка существующих способов восстановления деталей и выбор оптимального способа восстановления 18 7 Технология восстановления работоспособности оси бл
User dynamic666 : 30 мая 2011
up Наверх