Зачет по дисциплине: Физические основы электроники
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
ВАРИАНТ 6
Содержание:
1. Отличия ВАХ диодов из германия и кремния стр. 3-6
2. Устройство и принцип работы ПТ с управляющим p-n переходом. Схемы включения. Характеристики. стр. 6-10
Содержание:
1. Отличия ВАХ диодов из германия и кремния стр. 3-6
2. Устройство и принцип работы ПТ с управляющим p-n переходом. Схемы включения. Характеристики. стр. 6-10
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата оценки: 06.05.2014
Рецензия:
зачет по ФОЭ Вами получен.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата оценки: 06.05.2014
Рецензия:
зачет по ФОЭ Вами получен.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Зачет по дисциплине «Физические основы электроники»
Лесник
: 4 июля 2010
Зачет
по предмету
«Физические основы электроники»
Билет № 9
1. Выпрямительные ПП диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Уравнения коллекторных токов для схем включения ОБ и ОЭ.
Коэффициенты передачи тока, их соотношения.
Выпрямительный диод предназначен для преобразования переменного напряжения в постоянное. Идеальный выпрямитель должен при одной полярности ток пропускать, при другой полярности не пропускать. Свойства полупроводникового диода близки к свойствам идеаль
50 руб.
Зачет по дисциплине: "Физические основы электроники". Билет №4
wowan1190
: 3 декабря 2013
1.Прямое и обратное включение p-n перехода. Физические процессы. Потенциальные диаграммы. Толщина p-n перехода.
2. Рабочая область выходных характеристик БТ. Влияние температуры на рабочую область характеристик.
70 руб.
Зачет по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №4
Amor
: 19 октября 2013
Билет № 4
1. Прямое и обратное включение p-n перехода. Физические процессы. Потенциальные диаграммы. Толщина p-n перехода.
2. Рабочая область выходных характеристик БТ. Влияние температуры на рабочую область характеристик.
230 руб.
Зачет по дисциплине "Физические основы электроники". Вариант № 15
kisa7
: 20 июля 2012
Вариант 15
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область.
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
100 руб.
Другие работы
Управление человеческими ресурсами. Реферат. Вариант №2
igoreniaomsk
: 5 марта 2014
Содержание
Введение………………………………………………………………………….. 3
Европейская модель управления персоналом…………………………………..5
Японская модель управления персоналом………………………………………8
Американская модель
управления персоналом…………………………………..……………………..11
Сравнительный анализ политики управления персоналом
в европейских странах и в России …………………………………………….14
Заключение………………………………………………………………………26
Список использованной литературы…………………………………………...28
150 руб.
Сущность и значение политических институтов в современных условиях
alfFRED
: 19 января 2014
Введение
Политические изменения с позиции институтов представляют собой трансформацию институциональных структур, которые приспосабливаются к изменениям социальной среды. Экономический и последующий за ним социальный кризис создадут предпосылки для институциональных изменений, которые должны будут способствовать модернизации политической системы страны.
Институциональные изменения являются сознательным действием тех или иных социальных групп. Особенность российских политических институтов заключ
10 руб.
Специальные главы математического анализа. Контрольная работа №2. Вариант №5
XsEt
: 27 ноября 2013
1. Вычертить область плоскости по данным условиям
2. Найти все особые точки функции, определить их характер (для полюсов указать порядок) и вычислить вычеты в них.
3. При помощи вычетов вычислить данный интеграл по контуру.
50 руб.
Теплотехника Задача 3.55
Z24
: 19 января 2026
Определить газовую постоянную и плотность газовой смеси, а также парциальные давления отдельных компонентов, если смесь состоит из 14% СО2, 73% N2, 6% О2 и 7% Н2О по объему. Абсолютное давление смеси равно р = 0,2 МПа, а температура t = 300ºС.
150 руб.