Зачет по дисциплине: Физические основы электроники
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
ВАРИАНТ 6
Содержание:
1. Отличия ВАХ диодов из германия и кремния стр. 3-6
2. Устройство и принцип работы ПТ с управляющим p-n переходом. Схемы включения. Характеристики. стр. 6-10
Содержание:
1. Отличия ВАХ диодов из германия и кремния стр. 3-6
2. Устройство и принцип работы ПТ с управляющим p-n переходом. Схемы включения. Характеристики. стр. 6-10
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата оценки: 06.05.2014
Рецензия:
зачет по ФОЭ Вами получен.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата оценки: 06.05.2014
Рецензия:
зачет по ФОЭ Вами получен.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Зачет по дисциплине «Физические основы электроники»
Лесник
: 4 июля 2010
Зачет
по предмету
«Физические основы электроники»
Билет № 9
1. Выпрямительные ПП диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Уравнения коллекторных токов для схем включения ОБ и ОЭ.
Коэффициенты передачи тока, их соотношения.
Выпрямительный диод предназначен для преобразования переменного напряжения в постоянное. Идеальный выпрямитель должен при одной полярности ток пропускать, при другой полярности не пропускать. Свойства полупроводникового диода близки к свойствам идеаль
50 руб.
Зачет по дисциплине: "Физические основы электроники". Билет №4
wowan1190
: 3 декабря 2013
1.Прямое и обратное включение p-n перехода. Физические процессы. Потенциальные диаграммы. Толщина p-n перехода.
2. Рабочая область выходных характеристик БТ. Влияние температуры на рабочую область характеристик.
70 руб.
Зачет по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №4
Amor
: 19 октября 2013
Билет № 4
1. Прямое и обратное включение p-n перехода. Физические процессы. Потенциальные диаграммы. Толщина p-n перехода.
2. Рабочая область выходных характеристик БТ. Влияние температуры на рабочую область характеристик.
230 руб.
Зачет по дисциплине "Физические основы электроники". Вариант № 15
kisa7
: 20 июля 2012
Вариант 15
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область.
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
100 руб.
Другие работы
Разработка технологических процессов технического обслуживания масляной системы ТУ-204
Svetoff
: 4 мая 2018
Содержание.
1. АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО СОСТОЯНИЯ ФС КАК ОБЪЕКТА ТЕХНИЧЕСКОЙ ЭКСПЛУАТАЦИИ…………..………………..………….......................................................4
1.1. Особенности конструкции и принципы работы функциональной системы и ее компонентов…………………………………………………….4
1.2.Характеристика условий эксплуатации………………………………....11
1.3.Типовые отказы и повреждения………………………………………….11
1.4. Признаки внешнего проявления отказов и
500 руб.
Организация проведения технического обслуживания и ремонта машинно-тракторного парка
vanyaka1990
: 10 февраля 2012
В данной курсовой работе произведен расчет и планирование технического обслуживания и ремонта машинно-тракторного парка, состоящего из спец. техники различного назначения в количестве 105 машин. Весь расчет произведен исходя из данных по наработке каждой из машин. В архиве с работой содержится чертеж на формате А1 на котором представлен годовой план-график проведения ТО и Р для каждой из машин вплоть до КР, также в приложениях можно найти месячный план-график проведения ТО-1 , ТО-2 , ТО-3
65 руб.
Вооруженный конфликт в Южной Осетии в августе 2008 года
Lokard
: 10 января 2014
Во многих источниках относительно Южно Осетинского конфликта наблюдается обвинительная позиция к Грузии. Бесспорными участниками, т.е. явными, в данном конфликте, на основе публикаций СМИ, являются Грузия, Южная Осетия., Россия. Но прослеживается тенденция к введению в этот конфликт такого участника как США.
Анализ ресурсов сторон: со стороны Грузии – вооруженные силы Грузии и предположительно участие иностранных инструкторов или наемников. Со стороны Южной Осетии – Вооруженные силы Южной Осетии
20 руб.
Самарканд - столица Великого Тимура
DocentMark
: 27 сентября 2013
Афрасиаб — городище древнего Самарканда, где за многие века накопились 10—15-метровые толщи археологических напластований. Это огромное холмистое плато площадью более двух квадратных километров расположено на окраине современного Самарканда. Само название «Афрасиаб» в науке отождествляется с именем легендарного правителя- • тирана, повелителя среднеазиатских кочевников, который жил более 2000 лет назад. Однако городище это упоминается и в связи с завоеваниями Александра Македонского, значит, был