Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 24.04.2014
Рецензия:
Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 24.04.2014
Рецензия:
Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Лаборатория электронных приборов. Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов".Вариант 03.
merkuchev
: 14 марта 2013
Лаборатория электронных приборов
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Вариант 03.
Собираем схему для снятия вольтамперных характеристик диодов при прямом включении .
С диодом D237G.Приводим таблицы с результатами измерений
Д312
UПР, мВ 0 122.4 213.8 292.1 339 374.7 405.9 434.5
IПР, мА 0 0,1 1 5 10 15 20 25
D237G
UПР, мВ 0 441.5 521.1 585.3 621.1 647.2 669.4 689.4
IПР, мА 0 0,1 1 5 10 15 20 25
Собираем схему для снятия в
100 руб.
Отчет по лабораторной работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 31 января 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2. Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование
100 руб.
Электроника "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Отчет по лабораторной работе №1
7059520
: 10 марта 2015
Отчет по лабораторной работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
По дисциплине: Физические основы электроники
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.1 . Определение типа материала диода.
1.2 . Определение сопроти
50 руб.
Отчёт по лабораторной работе № 1 «Исследование статических характеристик и параметров полупроводниковых диодов»
ДО Сибгути
: 6 февраля 2013
Цель работы:
Изучить устройство полупроводниковых диодов различных типов, физические процессы, происходящие в них, характеристики и параметры.
Схемы исследования полупроводниковых диодов
Схема для исследования ВАХ диода при прямом включении
Схема для исследования ВАХ диода при обратном включении
Схема для исследования ВАХ стабилитрона
Схема для исследования однопериодного выпрямителя
График 1 – ВАХ Ge и Si диодов
Прямая ветвь ВАХ диодов D14 и KD209B
График 2 – ВАХ стабилитрона
Прямая ветвь В
71 руб.
Другие работы
Лабораторная работа 1 по дисциплине: Транспортные сети. Вариант 3
xtrail
: 25 июля 2024
Лабораторная работа 1
«Изучение способов защиты оптических сетей»
Цель работы:
Изучение принципов построения защищенных оптических транспортных сетей и сетей тактовой синхронизации.
Контрольные вопросы:
1. Какими средствами достигается защита оптических сетей связи?
2. Какие стандарты определяют возможности защиты оптических сетей связи?
3. Через какие участки транспортных сетей может проходить соединение для пользователей?
4. Что такое тракт передачи транспортной сети?
5. Что называют секцие
400 руб.
Хронология открытий в физике электричества
alfFRED
: 12 августа 2013
Год Ученый Открытие
1600 У. Гилберт Заложены основы электро и магнитостатики
1733 Ш. Дюфе Открытие двух видов электричества, установление притяжения разноименных зарядов и отталкивания одноименных
1745 П. Мушенбрук Создание первого электрического конденсатора (лейденская банка)
1747 Ж. Нолле Изобретение электроскопа
1781 А. Вольта Изобретение чувтвительного электроскопа с соломинками
1783 А. Вольта Создание электрического конденсатора
1785 Ш. Кулон Установлен основной закон электрического взаимо
10 руб.
Фреза навесная ФН-1.8 (чертеж общего вида)
kurs9
: 19 апреля 2017
Представлен чертеж общего вида фрезы навесной
ФН-1.8
490 руб.
Гидромеханика: Сборник задач и контрольных заданий УГГУ Задача 3.28 Вариант а
Z24
: 6 октября 2025
Определить усилие F, которое нужно приложить к полусферической крышке резервуара с водой (рис. 3.28) для удержания ее в закрытом положении, если радиус полусферы r. Крышка крепится шарнирно в точке А на плоской верхней поверхности резервуара. Показание пьезометра, установленного на уровне шарнира, h, плотность воды ρ = 10³ кг/м³.
250 руб.