Лабораторная работа №№1, 2, 3. Физические основы электроники
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Отчет по работе №2
«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
Отчет по работе №3
«Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов»
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Отчет по работе №2
«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
Отчет по работе №3
«Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов»
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1 2 3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.12.2014
Рецензия:Уважаемый ,
Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1 2 3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.12.2014
Рецензия:Уважаемый ,
Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
maromash
: 30 марта 2013
Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
350 руб.
Другие работы
Корпус. Вариант 1 t-flex
lepris
: 8 ноября 2022
Корпус. Вариант 1
Корпус. Вариант 1 t-flex
Корпус. Вариант 1 тфлекс
По приведенным изображениям детали построить 3d модель и чертеж вид сверху и выполнить необходимые разрезы.
Чертеж и 3D модель (показана на скриншотах) выполнены в T-FLEX CAD 16 Учебная Версия.
Также открывать и просматривать чертежи и 3D-модели, выполненные в T-FLEX CAD возможно в T-FLEX Viewer.
Просьба по всем вопросам писать в Л/С. Отвечу и помогу.
200 руб.
Задание 6-е. вариант № 15. Серьга
vermux1
: 19 февраля 2018
Боголюбов С. К. Индивидуальные задания по курсу черчения. Готовые чертежи.
Задание 6 вариант 15 серьга
Вычертить изображения контуров деталей и нанести размеры.
Выполнен в компасе 3D V13 чертеж серьга на формате А4.
Помогу с другими вариантами.Пишите в Л/С.
25 руб.
Интеграция стран Западной Европы: взгляд в будущее
Elfa254
: 3 сентября 2013
План:
1.Введение.
2.Региональная экономическая интеграция Западной Европы.
а)Интеграционные группировки.
б) Шаги по достижению странами единого экономического пространства.
в) Введение странами единой валюты - путь к дальнейшей интеграции.
г) Создание единого Центрального банка - ещё одно средство активизации интеграционных процессов в Западной Европе.
3.Образование свободных экономических зон позволяет расширить горизонты сотрудничества между странами.
4.Международная торговля - самая
45 руб.
Розробка компілятора з вхідної мови програмування
Qiwir
: 10 октября 2013
Згідно заданого завдання в даному курсовому проекті розроблено компілятор з вхідної мови програмування Pascal. Оболонка компілятора розроблена в середовищі програмування Borland C під операційну систему Windows і в опис проекту не входить. Сам компілятор написанний на мові Pascal, та поданий у пояснювальній записці, а також разом з оболонкою в електронному варіанті. В пояснювальній записці подано детальний опис мови, огляд існуючих методів розробки компіляторів, а також описано процес розробки п
10 руб.