Физические основы электроники. Лабораторная работа №1,2,3. Семестр 4-й
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
№1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
№2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора
№3. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
№2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора
№3. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Дополнительная информация
Дата сдачи 2014 год
Похожие материалы
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
maromash
: 30 марта 2013
Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
350 руб.
Другие работы
Учебная практика (2016). Расчет элементов сети широкополосного доступа (ШПД), построенной по топологии FTTB. Вариант №8
Учеба "Под ключ"
: 18 декабря 2016
Оглавление
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ 2
РАСЧЕТ 3
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 8
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. СХЕМА ОРГАНИЗАЦИИ СВЯЗИ 9
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. КОММУТАТОР АГРЕГАЦИИ 10
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. КОММУТАТОР ДОСТУПА 12
Исходные данные
Таблица 1 – Исходные данные к задаче
1. Количество пользователей ШПД, шт. 370
2. Диапазон скоростей, mb/s:
V1 6
V2 11
V3 16
V4 26
3. Удельная телефонная нагрузка пользователей, Эрл 18,5
4. Количество портов в одном КД, шт 24
5. Количество портов в одном КА, шт 8
Требуется:
1. Определить число квартирных м
600 руб.
Разработка и проектирование малярного отделения АТП на 417 автомобилей ГАЗ-2410
OstVER
: 11 марта 2011
Введение
1 Общая часть………………………….....5
2 Технический расчет проектируемого предприятия……………………................6
2.1 Исходные данные для расчета………..........6
2.2 Расчет годовой производственной программы…………………….............6
2.2.1 Корректирование периодичности ТО и пробега автомобилей до КР…................6
2.2.2 Расчет годового пробега автомобилей……7
2.2.3 Расчет годовой производственной программы……………8
2.2.4 Расчет суточной производственной программы……………........9
40 руб.
Контрольная и Лабораторные работы №1,2,3 по дисциплине: Сетевые базы данных. Вариант №3
IT-STUDHELP
: 4 ноября 2019
Задание на контрольную работу
Создать две таблицы, имеющие уникальные поля и первичные ключи. Таблицы должны быть связаны с помощью внешнего ключа.
Для одной из таблиц разработать триггер для обеспечения дополнительных действий при изменение данных таблицы (см. свой вариант задания).
Создать представление для связанных таблиц, которое позволяет вывести только часть полей и часть строк таблиц.
Создать пакет PL/SQL, содержащий процедуру начального заполнения таблиц данными (по 5-7 записей в таблиц
550 руб.
Лабораторная работа Беспроводные технологии передачи данных
lidaZ
: 18 октября 2019
Исходные данные
Вариант 15
Текст шифрования 15 sibsutis ru
Задание
Произвести расчет SRES и Kc с помощью программы 2G + 3G/4G Authentication, после чего закодировать текстовое сообщение ключом Kc путем простого сложения по модулю 2.
150 руб.