Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 05.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1:
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Исходные данные усилителя приведены в таблице:
No вар. 5
Тип БТ КТ603А
ЕК, В 60
RН, Ом 1200
IБ0, мкА 200
IБМ, мкА 150
f, МГц 100
|H21э| 2,5
tК, пc 80
Задача No 2:
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача No 3:
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты 1⁄2Н211⁄2/ h21=F(f) для различных схем включения транзисторов
Задача No 4:
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Исходные данные приведены в таблице:
Вариант 0
Тип ПТ КП 903 А
UСИ0, В 18
UЗИ0, В 8
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Исходные данные усилителя приведены в таблице:
No вар. 5
Тип БТ КТ603А
ЕК, В 60
RН, Ом 1200
IБ0, мкА 200
IБМ, мкА 150
f, МГц 100
|H21э| 2,5
tК, пc 80
Задача No 2:
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача No 3:
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты 1⁄2Н211⁄2/ h21=F(f) для различных схем включения транзисторов
Задача No 4:
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Исходные данные приведены в таблице:
Вариант 0
Тип ПТ КП 903 А
UСИ0, В 18
UЗИ0, В 8
Дополнительная информация
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Контрольная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 22.05.2013 Рецензия:Уважаемый ………………………, Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 05
ElenaA
: 6 марта 2016
Задача 1: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистор, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Исходные данные
Тип транзистора – КТ603А;
Ек = 60 В;
Rн = 1200 Ом;
Iб0 = 200 мкА.
Iбм = 150 мкА.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 05
Учеба "Под ключ"
: 18 марта 2017
Задача 1.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
600 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. Вариант 05.
student90s
: 24 июля 2015
«Исследование статических характеристик
полупроводниковых диодов»
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3. Вариант 05.
student90s
: 24 июля 2015
«Исследование статических характеристик
полевого транзистора»
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2. Вариант 05.
student90s
: 24 июля 2015
«Исследование статических характеристик
биполярного транзистора»
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
50 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
S4M
: 16 июня 2022
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
400 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники
Богарт
: 5 апреля 2017
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
Игуана
: 10 декабря 2012
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
120 руб.
Другие работы
АСУ ТП предприятия
Sinful
: 3 апреля 2009
Содержание
Аннотация Введение 11
1 Анализ автоматизированных систем управления процессом очистки сточных вод 13
1.1 Очистные сооружения ОАО «АВИСМА» 13
1.2 Объект автоматизации 14
1.3 Назначение и функции системы 16
1.4 Архитектура системы и реализация ее компонентов 18
1.5 Функционирование системы 23
1.6 Надежность системы 28
2 Анализ микропроцессорных контроллеров применяемых для построения распределенных микропроцессорных систем сбора данных и управления 29
2.1 Общие сведения о промышленных к
Организация социально-педагогической деятельности социального работника по предупреждению правонарушений
Slolka
: 24 октября 2013
Одной из самых актуальных и социально значимых задач, стоящих перед нашим обществом сегодня, безусловно, является поиск путей снижения роста преступлений среди молодежи и повышенная эффективность их профилактики.
Необходимость скорейшего решения этой задачи обусловлена не только тем, что в стране продолжает сохраняться достаточно сложная криминогенная обстановка, но, прежде всего тем, что в сферы организованной преступности втягивается все больше и больше несовершеннолетних, криминальными групп
25 руб.
Про результати організаційно-технологічної практики
evelin
: 10 октября 2013
Зміст
ВСТУП.. 3
1. Загальна характеристика бази практики. 4
1.1 Характеристика статусу підприємства. 4
1.2 Спеціалізація організації 5
1.3 Виробнича структура організації 6
1.4 Організаційна структура управління підприємством. 7
1.5 Характеристика організації економічної роботи на підприємстві 10
1.6 Характеристика матеріально-технічної бази підприємства. 17
1.7 Забезпечення організації всіма видами ресурсів. 18
1.7.1 Забезпечення відділів оргтехнікою.. 18
1.7.2 Кадрове забезпечення о
5 руб.
Особенности развития эмоционально-волевой сферы у детей младшего школьного возраста с заиканием
Elfa254
: 16 октября 2013
Введение
Глава 1 Теоретические основы изучения особенностей развития эмоционально-волевой сферы у детей младшего школьного возраста
1.1 Состояние эмоционально волевой сферы у младших школьников
1.2 Характеристика заикания как нарушения речи
1.3 Особенности эмоционально-волевой сферы младших школьников с заиканием
Глава 2 Экспериментальное изучение особенностей развития эмоционально-волевой сферы у детей младшего школьного возраста с заиканием
2.1 Изучение эмоционально-волевой сферы у детей