Физические основы электроники. Лабораторная работа №1, №2, №3. Вариант 18
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторные работы 1,2,3 по Физическим основам электроники. Вариант 18
Лабораторная работа 1.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа 2.
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа 3.
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цель работы:
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Лабораторная работа 1.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа 2.
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа 3.
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цель работы:
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Дополнительная информация
Семестр:3
Вариант: 18
Год сдачи: 2015
Оценка: зачет
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Вариант: 18
Год сдачи: 2015
Оценка: зачет
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
maromash
: 30 марта 2013
Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
350 руб.
Другие работы
Разработка конструкции конвейера удаления засорителей щебнеочистной машины
Рики-Тики-Та
: 7 сентября 2012
Содержание
Введение
1. Цель и задачи проектирования
2. Анализ вариантов общей компоновки щебнеочистительной
машины и выбор окончательного варианта проектирования для
дипломного проекта
3. Описание устройства и работы выбранного варианта
конструкции машины
4. Патентный поиск с целью проверки изделия на патентную
чистоту
5. Расчет и проектирование конвейера удаления засорителей
5.1. Исходные данные для проектирования конвейера удаления
засорителей
5.2. Режим работы и нагружения конвейера
825 руб.
Управление проектом создание системы информационной безопасности
Slolka
: 2 апреля 2014
Введение в проблему
Резюме продукта
Угрозы и уязвимости на предприятии
Фактическая защищенность предприятия
Возможные каналы утечки информации
Предлагаемые мероприятия по защите
Объекты поставки проекта
Оценка стоимости системы защиты и оценка эффективности
Предложение, ограничения, исключения
Структура разбиения работ
Структурная схема организации
Матрица ответственности
Сетевой график и диаграмма Ганта
Риски проекта
15.Заключение
Введение в проблему
Эффективное управление проектами — это интег
5 руб.
Теплотехника СибАДИ 2009 Задача 1 Вариант 14
Z24
: 14 декабря 2025
Задан объемный состав газовой смеси: rCH4, rCO2, rCO. Определить массовый и мольный составы смеси, кажущуюся молекулярную массу, газовую постоянную, удельный объем и плотность смеси при давлении смеси p и температуре смеси t. Определить также массовую, объемную и мольную теплоемкость смеси. При этом считать теплоемкость не зависящей от температуры, а мольные теплоемкости компонентов соответственно равны:
(μср)СН4=37,7 кДж/(кмоль·К);
(μср)СО2=37,7 кДж/(кмоль·К);
(μср)СО=29,3 кДж/(кмоль·К
180 руб.