Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Цена:
185 руб.

Состав работы

material.view.file_icon D9DD7551-274E-41B2-9306-050FF1313DD9.rar [ 107 KB ]
material.view.file_icon фэо лаба №1.doc [ 231 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.

Рис.1 Схема прямого включения

1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)

Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б


Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5

Похожие материалы

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
ДО СИБГУТИ Физика Практические занятия и отчеты
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Отчет по лабораторной работе №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход выполнения работы Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом напра
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User RomIN : 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 30 сентября 2016
152 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 27 июня 2016
174 руб.

Другие работы

Лабораторная работа №5 «Электрические цепи синусоидального тока»
1. Цель работы: исследование разветвленной цепи синусоидального тока. Приобретение навыков расчета цепи символическим методом (методом комплексных чисел). 2. Исходные данные: Данные элементов схемы: E1 = 14ej0 ̊ В, E3 = 5ej90 ̊ В, f = 10 кГц, R1 = 0,1 кОм, R2 = 0,5 кОм, R3 = 0,3 кОм, L1 = 1,5915 мГн, C3 = 53,05 нФ.
Электротехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User ДО Сибгути : 29 декабря 2015
70 руб.
Лабораторная работа №5 «Электрические цепи синусоидального тока»
Самоопределение и профессиональная ориентация обучающихся - тест с ответами Синергия - 2023
Самоопределение и профессиональная ориентация обучающихся - тест с ответами Синергия - 2023 30 вопросов с ответами. Сдано на 100 баллов в 2022 году. Ответы выделены в тексте.
Основы профессиональной деятельности Московский финансово-промышленный университет «Синергия» Тесты
User StudentHelp : 27 января 2023
390 руб.
Самоопределение и профессиональная ориентация обучающихся - тест с ответами Синергия - 2023
Контрольные работы по гидростатике и гидродинамике ИжГТУ К.р. 1 Задача 3 Вариант 2
Определить давление в гидросистеме и вес груза G, лежащего на поршне 2, если для его подъема к поршню 1 приложена сила F. Диметры поршней: D, d. Разностью высот пренебречь.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 11 декабря 2025
150 руб.
Контрольные работы по гидростатике и гидродинамике ИжГТУ К.р. 1 Задача 3 Вариант 2
Методы системного исследования экономических процессов. Вариант №4.
Задание 1 Норма выработки устанавливается в процессе пилотажного исследования, исходя из количества времени, которое требуется для поиска и опроса одного респондента. Это зависит от способа отбора респондентов, от степени доступности респондентов, от количества времени, необходимого для заполнения анкеты и др. Обычно при опросах общественного мнения норма выработки не превышает 20-25 респондентов в день при индивидуальном отборе, но может быть увеличена в случае применения гнездовой выборки. Пр
Экономика Практические занятия и отчеты
User studypro2 : 24 декабря 2016
500 руб.
up Наверх