Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Цена:
185 руб.

Состав работы

material.view.file_icon D9DD7551-274E-41B2-9306-050FF1313DD9.rar [ 107 KB ]
material.view.file_icon фэо лаба №1.doc [ 231 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.

Рис.1 Схема прямого включения

1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)

Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б


Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5

Похожие материалы

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
ДО СИБГУТИ Физика Практические занятия и отчеты
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Отчет по лабораторной работе №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход выполнения работы Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом напра
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User RomIN : 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 30 сентября 2016
152 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 27 июня 2016
174 руб.

Другие работы

Муфта с резиновым элементом
Муфта с резиновым элементом-Детали машин-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Графическая часть-Оборудование-Машины и механизмы-Агрегаты-Установки-Комплексы-Узлы-Детали-Курсовая работа-Дипломная работа
Чертежи Детали машин
User lelya.nakonechnyy.92@mail.ru : 28 апреля 2020
150 руб.
Муфта с резиновым элементом
Пневмоклапан редукционный - 54.000 СБ
Аксарин П. Е. Чертежи для деталирования. Задание 54. Пневмоклапан редукционный. Деталирование. Редукционный пневмоклапан шарикового типа автомобилей ЗИЛ-130 автоматически поддерживает давление сжатого воздуха в пневмосистеме путем впуска воздуха в разгрузочное устройство компрессора или выпуска из него. В цилиндр корпуса 2 ввернуто седло 5 выпускного клапана, положение которого устанавливается регулировочными прокладками 6. Давление пружины 9 через опорные шарики и шток 4 передается на клапан I
Чертежи Инженерная и компьютерная графика
User .Инженер. : 13 апреля 2023
170 руб.
Пневмоклапан редукционный - 54.000 СБ promo
Курсовая работа по дисциплине: Системы коммутации (часть 2)
Вариант 04 1. Назначение АТС: центральная станция типа SI-2000 V.5 2. Емкость станции: 2.1. Количество абонентов, включенных в центральную АТС: 5749 2.2. Количество местных таксофонов: 10 2.3. Количество междугородных таксофонов: 8 2.4. Количество кабин переговорных пунктов: 5 2.5. Количество оконечных устройств передачи данных: 15 2.6. Количество пользователей ISDN: доступ 30B+D: 11 доступ 2B+D: 24 2.7. УПАТС, включенные в ЦС: типа Harris 20-20 LX емкостью 681
СибГУТИ Системы коммутации Работа Курсовая
User lebed-e-va : 21 марта 2016
150 руб.
Объектно-ориентированное программирование лабораторные работы №1-5 все варианты
Все лабораторные зачтены, притензий нет Лабораторная работа № 1 Тема: Принцип инкапсуляции. Описание класса. Задание: Описать класс tPoint, инкапсулирующий основные свойства и методы точки на плоскости. Создать массив из 100 точек. Нарисовать точки случайным образом случайным цветом на экране. Лабораторная работа №2 Тема: Продолжение темы лаб. работы №1. Задание: Сделать защиту полей класса (т.е. работать с полями в основной программе не напрямую, а используя соответствующие методы записи в п
СибГУТИ Программирование Работа Лабораторная
User tpogih : 27 июня 2014
90 руб.
promo
up Наверх