Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
RomIN
: 1 июля 2010
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
напра
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
30 руб.
Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
MK
: 30 сентября 2016
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
152 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
MK
: 27 июня 2016
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
174 руб.
Другие работы
Мировое хозяйство и этапы его развития
evelin
: 20 ноября 2013
Процесс развития мировой эк-ки тесно взаимосвязан с эволюцией развития международных экономических отношений(МЭО).
МЭО возникли задолго до становления мирового хозяйства. Исторически первой формой интернационализации нац-ой эк-ки явл-сь международная торговля, кот-ая велась и в эпоху рабовладения и при феодализме. Но в силу натур-го типа хоз-ва в международный обмен поступала лишь небольшая часть производимых товаров. При переходе от натурального хоз-ва к товарному производству происходит толчо
15 руб.
МЧ00.15.00.00 Приспособление для проточки специальных валов
coolns
: 20 марта 2019
МЧ00.15.00.00 Приспособление для проточки специальных валов чертежи
МЧ00.15.00.00 Приспособление для проточки специальных валов деталировка
МЧ00.15.00.00 Приспособление для проточки специальных валов 3д модель
Приспособление для проточки специальных валов
При эксплуатации на текстильных фабриках котонных машин изнашиваются шейки главных валов этих машин. Для ликвидации люфта места износа протачивают, а в подшипники запрессовывают втулки. Проточка главных валов длиной около 14 м требует специаль
250 руб.
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Функциональное и логическое программирование. Вариант №09.
holm4enko87
: 28 ноября 2024
Лабораторная работа №1
Обработка списков в языке CLISP
Задание на лабораторную работу
Напишите на языке CLISP программу для работы со списками по заданию. Обязательно использование рекурсии. Ввод всех входных данных должен запрашиваться с клавиатуры в процессе работы программы (функции). Не допускается использование: функционалов, а в теле рекурсивной функции - операторов SET и SETQ.
Вариант 9. Добавьте элемент в конец числового списка L, чтобы сумма элементов нового списка стала равна 100.
Напр
500 руб.
Теория сложностей вычислительных процессов и структур. Лабораторная работа №1. Вариант №9
zhekaersh
: 1 марта 2015
Сортировка массивов
Написать программу для сортировки массива из 50 элементов методом “пузырьковой” сортировки (Bubble Sort) или прямого выбора (Select Sort) (по вариантам). Массив считать из файла. Вывести на экран трудоемкость метода (количество сравнений).
Номер варианта выбирается по последней цифре зачетной книжки
Вариант 9
Метод прямого выбора.
863, 994, 428, 947, 778, 815, 249, 944, 816, 265, 698, 782, 895, 725, 436, 253, 165, 668, 198, 670, 112, 868, 301, 578, 39, 476, 445, 970, 83,
40 руб.