Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №19. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты уси-ления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеива-емую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Исходные данные:
транзистор КТ603А
напряжение питания Eк=75
сопротивление нагрузки Rн=1500
постоянный ток смещения в цепи базы Iбо=250
амплитуда переменной составляющей тока базы Iбм=150
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры тран-зистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21/h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По вы-ходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить пе-редаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависи-мость от напряжения на затворе.
Исходные данные:
Полевой транзистор типа КП 103 К
UСИ0 = 7 В
UЗИ0 = 4 В
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты уси-ления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеива-емую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Исходные данные:
транзистор КТ603А
напряжение питания Eк=75
сопротивление нагрузки Rн=1500
постоянный ток смещения в цепи базы Iбо=250
амплитуда переменной составляющей тока базы Iбм=150
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры тран-зистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21/h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По вы-ходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить пе-редаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависи-мость от напряжения на затворе.
Исходные данные:
Полевой транзистор типа КП 103 К
UСИ0 = 7 В
UЗИ0 = 4 В
Дополнительная информация
Работа была сдана на оценку отлично.Так же если вам нужны подобные работы по другим дисциплинам, вы можете их посмотреть нажав на "Посмотреть другие работы этого продавца" в верхней части страницы.
Похожие материалы
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №2. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Twinki
: 15 сентября 2016
No 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в
200 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №9. СибГути. Заочно ускоренное обучение".
Twinki
: 15 сентября 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
200 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 21 мая 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
50 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №14. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 21 мая 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 07. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 20 декабря 2015
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 09. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 20 декабря 2015
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №17. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 20 декабря 2015
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 02. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 20 декабря 2015
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
50 руб.
Другие работы
Організація приватного підприємства "Mini-Land"
evelin
: 9 октября 2013
1. Суть проекту
· Бізнес-план розроблено для організації приватного підприємства «Mini - Land» - Вирощування ексклюзивних мініатюрних карликових тваринок.
· Приватне підприємство «Mini - LAND»
Форма власності: приватна
Основний вид діяльності: вирощування карликових тваринок для участі в ексклюзивних виставках, а також подальшому продажі любителям мініатюрного тваринного світу.
· Ціль та завдання бізнесу: розширення ринку даної галузі шляхом організації виставкового центру карликових тва
15 руб.
Проект реконструкции ЦРМ в ЗАО «Агрокомбинат «Московский» Ленинского района, Московской области с разработкой системы управления техническим сервисом
Рики-Тики-Та
: 13 марта 2018
1 КРАТКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ПРОЕКТИРУЕМОГО ПРЕДПРИ-ЯТИЯ
2. ПРОЕКТ РЕКОНСТРУКЦИИ ЦРМ ЗАО «АГРОКОМБИНАТ «МОСКОВСКИЙ»
3 ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
4 РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ ДЛЯ СНЯТИЯ ШКИВА КОЛЕНЧАТОГО ВАЛА
5 БЕЗОПАСНОСТЬ ЖИЗНИДЕЯТЕЛЬНОСТИ
6 ТЕХНИКО – ЭКОНОМИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ ПРОЕКТА
АННОТАЦИЯ
К дипломному проекту на тему: «Проект реконструкции ЦРМ в ЗАО «Агрокомбинат «Московский» Ленинского района, Московской области с разработкой системы управлен
825 руб.
Основы гидравлики и теплотехники МИИТ Задача 1.4 Вариант 4
Z24
: 16 октября 2025
Определить давление p1 в узком сечении трубопровода (рис.1.4, сечение 1-1) при следующих условиях: давление в широкой его части равно p2, расход воды, протекающей по трубопроводу Q, диаметры труб узкого и широкого сечений соответственно d1 и d2. Режим движения в трубопроводе — турбулентный. Трубопровод горизонтален. Удельный вес воды принять равным γ=10 кН/м³.
150 руб.
Плуг пятикорпусный навесной ПБН-3-50 (чертеж общего вида)
maobit
: 2 апреля 2018
Плуг ПБН-3-50 используется на окультуренных болотах для вспашки как торфяно-болотных, так и минеральных почв. Особенностью его конструкции является большая ширина захвата(0,5м) корпуса, что при вспашке на глубину а=0,35м обеспечивает полный оборот пласта. Кроме того, его конструкция отличается от конструкции других плугов установкой впереди каждого корпуса нерегулируемого плоского дискового ножа.
При вспашке дернины многолетних трав дисковый нож позволяет получить ровную стенку борозды и хороши
390 руб.