Контрольная работа. Вариант №1. Физические основы электроники

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon EE8A57D9-6334-4D2D-8FEB-F561686AF2B1.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача №1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего режима) коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности и входное сопротивление усилителя. Найти полезную мощность в нагрузке, мощность, рассеиваемую в коллекторе, потребляемую мощность и коэффициент полезного действия.

Задача №2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.

Задача №3. Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |H21|/h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.

Задача №4. Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.

Дополнительная информация

Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №1
1. Транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. 2. Находим h - параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. 3.Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэ
User Gila : 17 января 2019
190 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
User 007lena007 : 20 февраля 2017
79 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
User S4M : 16 июня 2022
400 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по физическим основам электроники
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
User Богарт : 5 апреля 2017
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частот
User Игуана : 10 декабря 2012
120 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на част
User Aronitue9 : 3 сентября 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа
КР Вариант №3 ФОЭ СибГУТИ Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
User Seregos : 4 января 2010
Физические основы электроники. Контрольная работа
Контрольная работа: Физические основы электроники
Биполярный транзистор. Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллектор
User Лесник : 17 ноября 2009
70 руб.
Основы термодинамики и теплотехники СахГУ Задача 3 Вариант 53
Покажите сравнительным расчетом целесообразность одновременного повышения начальных параметров и снижения конечного давления пара для паросиловой установки, работающей по циклу Ренкина, определив термический КПД цикла и теоретический удельный расход пара для двух различных значений начальных параметров – давления р1 и температуру t1, конечного давления p2 определите степени сухости пара x2 в конце расширения в обоих случаях. Покажите сравнительный анализ на диаграмме пара в координатах h-s.
User Z24 : 28 января 2026
200 руб.
Основы термодинамики и теплотехники СахГУ Задача 3 Вариант 53
БД - Разработка базы данных Кадры
Содержание: Введение. Основная часть. Разработка базы данных «Кадры». Описание предметной области. Построение инфологической и даталогической модели. Проектирование базы данных. Разработка приложения. Охрана труда. Заключение. Библиографический список. Приложение.
User Elfa254 : 10 марта 2015
250 руб.
Лабораторная работа № 4 по дисциплине: Дискретная математика. Генерация подмножеств
Генерация подмножеств Задание: Задано целое положительное число n, которое представляет собой мощность некоторого множества. Требуется с минимальными трудозатратами генерировать все подмножества этого множества, для чего каждое последующее подмножество должно получаться из предыдущего путем добавления или удаления только одного элемента. Множество и все его подмножества представляются битовой шкалой. Для генерации использовать алгоритм построения бинарного кода Грея.
User vereney : 5 ноября 2011
100 руб.
Информационный менеджмент-новое направление в управлении образовательными системами
ГЛАВА 1 ИНФОРМАЦИОННЫЙ МЕНЕДЖМЕНТ- КАК ПРОЦЕСС УПРАВЛЕНИЯ ЛЮДЬМИ, ОБЛАДАЮЩИМИ ИНФОРМАЦИЕЙ ПРЕДМЕТ ИНФОРМАЦИОННОГО МЕНЕДЖМЕНТА МЕТОДЫ ИНФОРМАЦИОННОГО МЕНЕДЖМЕНТА ГЛАВА 2 ИНФОРМАЦИОННЫЙ МЕНЕДЖМЕНТ КАК ПРОЦЕСС 2.1 ЭТАПЫ ИНФОРМАЦИОННОГО МЕНЕДЖМЕНТА 2.2 УРОВНИ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ИНФОРМАЦИОННОГО МЕНЕДЖМЕНТА ГЛАВА 3 ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ФУНКЦИЙ И МЕТОДОВ ИНФОРМАЦИОННОГО МЕНЕДЖМЕНТА В ПРАКТИКЕ УПРАВЛЕНИЯ ОРГАНИЗАЦИЕЙ 3.1 ЗАКЛЮЧЕНИЕ СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ ВВЕДЕНИЕ Выполнение данной работы ориентировано на
User Slolka : 5 апреля 2014
5 руб.
up Наверх