Лабораторные работы (3шт) по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр). Вариант 3
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ) .
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ) .
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Дополнительная информация
Оценка: "зачет" по всем лабораторным.
Год оценки: 2015.
Год оценки: 2015.
Похожие материалы
Лабораторные работы (3шт) по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр).
holm4enko87
: 14 ноября 2024
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа №2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с о
120 руб.
Лабораторные работы (3шт) по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр)
Jack
: 30 марта 2013
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с
300 руб.
Лабораторные работы (3шт.) по дисциплине: Физические основы электроники.
manylives
: 27 марта 2019
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с
130 руб.
Физические основы электроники. 4-й вариант. 3-й семестр
kolganov91
: 3 сентября 2014
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
85 руб.
Лабораторные работы № 1-3. Физические основы электроники, 3-й семестр
SybNet
: 22 сентября 2012
Лабораторные работы №1-3 Физические основы электроники, 3 семестр
Работы без варианта, но выполняются через программу в онлайн.
Дистанционное обучение СибГУТИ
Лаб. №1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (диоды Д7Ж и Д220).
Лаб. №2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора" (транзистор МП37А)
Лаб №3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
150 руб.
Физические основы электроники. 4-й семестр. Контрольная работа. Вариант №3
radioden666
: 19 января 2016
Задача 1. Исходные данные для задачи берем из таблицы 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора КТ603А, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линей
250 руб.
Лабораторная работа №3. Физические основы электроники. 2-й семестр, Вариант: №2
CDT-1
: 3 апреля 2013
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1. Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Вывод:
Принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов изучены.
110 руб.
Лабораторные работы №1, №2, №3 по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр)
ДО Сибгути
: 10 февраля 2016
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с
200 руб.
Другие работы
Одиночество как фактор дезадаптации лиц пожилого возраста
alfFRED
: 17 октября 2013
Введение
Глава 1. Теоретическое обоснование проблемы одиночества пожилых как фактора дезадаптации
1.1 Понятие дезадаптации в психолого-педагогической литературе
1.2 Особенности формирования одиночества у лиц пожилого возраста
Выводы по главе 1
Глава 2. Экспериментальное исследование решения проблем одиночества пожилых людей
2.1 Комплексный центр социального обслуживания населения
2.2 Организация работы по преодолению одиночества пожилых людей в Комплексном центре социальной защиты населен
77 руб.
Теория вероятности (решение 6 задач)
СибирскийГУТИ
: 18 августа 2013
Задача 1
В коробке 10 карандашей, среди которых есть четыре зеленых. Берутся наугад три карандаша. Найти вероятность того, что среди них не будет ни одного зеленого.
Задача 2
Для обслуживания пассажиров используются автобусы трех марок: первой марки 10 штук, второй 12, третьей 8 штук. Вероятность поломки автобуса на линии для первой марки равна 0,1, для второй 0,05, для третьей 0,15. Произошла поломка автобуса на линии. Какова вероятность, что поломался автобус первой марки?
Задача 3
Завод отп
100 руб.
Фразеологизмы в системе русского языка
Алёна51
: 6 октября 2017
Введение 3
1. Понятие и виды фразеологизмов в русском языке 4
2. Внутренняя форма фразеологизма в русском языке 7
3. Стилистическая характеристика фразеологизмов в русских фразеологических словарях 11
Заключение 14
Список использованной литературы 16
50 руб.
Проект индивидуального жилого дома
GnobYTEL
: 13 декабря 2011
Архитектурно-Строительные решения. Рабочий проект. Жилой дом. 2 этажа. Высота 1 этажа 3600 мм, 2 этажа 3000 мм. Площадь застройки 1520 м.кв., строительный объем 2350 м.куб, жилая площадь 108.2 м.кв, нежилая площадь 112.8, общая 268,5 м.кв.
Ведомость чертежей основного комплекта. Архитектурные Решения (АР).
Общие данные
План первого этажа
План второго этажа
Разрез 1-1
Разрез 2-2
План кровли
Фасад в осях 1-7
Фасад в осях И-А
Фасад в осях 7-1
Фасад в осях А-И
Строительные решения.
Общая схема фунда
11 руб.