Лабораторные работы (3шт) по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр). Вариант 3
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ) .
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ) .
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Дополнительная информация
Оценка: "зачет" по всем лабораторным.
Год оценки: 2015.
Год оценки: 2015.
Похожие материалы
Лабораторные работы (3шт) по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр).
holm4enko87
: 14 ноября 2024
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа №2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с о
120 руб.
Лабораторные работы (3шт) по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр)
Jack
: 30 марта 2013
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с
300 руб.
Лабораторные работы (3шт.) по дисциплине: Физические основы электроники.
manylives
: 27 марта 2019
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с
130 руб.
Физические основы электроники. 4-й вариант. 3-й семестр
kolganov91
: 3 сентября 2014
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
85 руб.
Физические основы электроники. 4-й семестр. Контрольная работа. Вариант №3
radioden666
: 19 января 2016
Задача 1. Исходные данные для задачи берем из таблицы 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора КТ603А, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линей
250 руб.
Лабораторные работы № 1-3. Физические основы электроники, 3-й семестр
SybNet
: 22 сентября 2012
Лабораторные работы №1-3 Физические основы электроники, 3 семестр
Работы без варианта, но выполняются через программу в онлайн.
Дистанционное обучение СибГУТИ
Лаб. №1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" (диоды Д7Ж и Д220).
Лаб. №2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора" (транзистор МП37А)
Лаб №3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
150 руб.
Лабораторная работа №3. Физические основы электроники. 2-й семестр, Вариант: №2
CDT-1
: 3 апреля 2013
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1. Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Вывод:
Принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов изучены.
110 руб.
Лабораторные работы №1, №2, №3 по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр)
ДО Сибгути
: 10 февраля 2016
Лабораторные работы:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с
200 руб.
Другие работы
Дипломная работа: Проблемы налогообложения малого и среднего бизнеса в Республике Казахстан
evelin
: 29 августа 2013
Осуществляемые в нашей стране экономические реформы явились условием становления и развития предпринимательства. Предпринимательство играет большую роль в экономике, его развитие влияет на экономический рост, на ускорение научно-технического прогресса, на насыщение рынка товарами необходимого качества, на создание новых дополнительных рабочих мест, то есть решает многие актуальные экономические, социальные и другие проблемы. Во всех экономически развитых странах государство оказывает большую под
5 руб.
Автопредприятия города - База данных Access 2012г
evelin
: 10 апреля 2015
B настоящее время, в сферах контроля, учета и планирования, возникают задачи обработки больших объемов информации. Поиск и обобщение необходимых сведений, осуществляемые вручную, представляют собой довольно трудоемкий процесс, поэтому появились идеи создания управляющих систем, которые позволяли бы хранить и обновлять взаимосвязанные данные по целому комплексу решаемых задач. Эти идеи нашли свое воплощение в системах управления базами данных.
Базы данных обеспечивают хранение информации и предст
65 руб.
Культурология. Контрольная работа №1.Сленг как отличительная особенность молодежной субкультуры.
58197
: 27 марта 2013
Сленг как отличительная особенность молодежной субкультуры.
Конец XX – начало XXI вв. – эпоха глобальных изменений в обществе и в русском литературном языке, во всех его подсистемах, – время переосмысления ядерных лексических единиц, время появления новых стилистических закономерностей. В настоящий момент перед языковедами встает задача исследования лингвистических проблем молодежи, т.к. именно молодежь является той демографической группой общества, которая определяет уровень социально
50 руб.
Создание термоядерного оружия в СССР: второй этап ядерной гонки
alfFRED
: 23 февраля 2013
Прогремевший 29.08.49 на Семипалатинском полигоне первый советский ядерный взрыв уравнял шансы двух мировых сверхгигантов послевоенного времени, США и СССР, в гонке за решающим превосходством в области военных технологий. Увы, закончиться достигнутым status quo эта гонка не могла.
Во-первых, налицо была стремительно прогрессирующая глобальная поляризация мира, сопровождавшаяся быстрым ростом напряженности международной обстановки в целом, – формировался климат «холодной войны». Сочетание этих фа
5 руб.