Разработка интегрального устройства. Вариант №26
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Курсовая
-
Добавлен:
15.04.2016
-
Размер:
496 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
SibgutiKR
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
3BBCBD8A-909C-4C44-8936-03E3E77EA4C7.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 26.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 5
СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение……………………………………………………………………….....3
1.Разработка структурной схемы………………………………………….........4
2.Разработка принципиальной схемы…………………………………………..6
3.Разработка интегральной микросхемы……………………………………….8
3.1.Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных
элементов…………………………………………………………………......8
3.2.Разработка топологии……………………………………………………….14
3.3.Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной
микросхемы………………………………………………………………….19
Заключение………………………………………………………………………24
Список литературы……………………………………………………………...25
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
1. Напряжение источника питания UПИТ = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 4.
3. Входное сопротивление: RВХ = 4,7 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 0,6 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 2 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 20 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: FВ = 15 кГц.
8. Коэффициент искажений на нижней частоте: МН = 2 дБ.
9. Коэффициент искажений на верхней частоте: МВ = 1 дБ.
10. Тип входа: Н (несимметричный).
11. Тип выхода: Н (несимметричный).
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 5
СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение……………………………………………………………………….....3
1.Разработка структурной схемы………………………………………….........4
2.Разработка принципиальной схемы…………………………………………..6
3.Разработка интегральной микросхемы……………………………………….8
3.1.Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных
элементов…………………………………………………………………......8
3.2.Разработка топологии……………………………………………………….14
3.3.Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной
микросхемы………………………………………………………………….19
Заключение………………………………………………………………………24
Список литературы……………………………………………………………...25
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
1. Напряжение источника питания UПИТ = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 4.
3. Входное сопротивление: RВХ = 4,7 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 0,6 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 2 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 20 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: FВ = 15 кГц.
8. Коэффициент искажений на нижней частоте: МН = 2 дБ.
9. Коэффициент искажений на верхней частоте: МВ = 1 дБ.
10. Тип входа: Н (несимметричный).
11. Тип выхода: Н (несимметричный).
Похожие материалы
Разработка интегрального устройства
KPanda
: 5 декабря 2019
Вариант №2
Техническое задание:
1. Напряжение источника питания Uп = +9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 6.
3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 1 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 50 Гц
7. Верхняя рабочая частота fв = 10 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=2 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, ти
KPanda
: 5 декабря 2019
1000 руб.
Электроника. Разработка интегрального устройства
7059520
: 10 марта 2015
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
7059520
: 10 марта 2015
50 руб.
Курсовая работа Разработка интегрального устройства
Виктория30
: 30 ноября 2022
Содержание
Техническое задание ................................................................................................3
Введение ...................................................................................................................4
1 Разработка структурной и принципиальной схем устройства............................5
2 Расчет элементов принципиальной схемы...........................................................8
2.1 Расчет выходного каскада VT2 .........................
Виктория30
: 30 ноября 2022
250 руб.
"Разработка интегрального устройства". Вариант №45
b1nom
: 14 января 2018
1. Напряжение источника питания Uп = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 8.
3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 10 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота fн = 100 Гц
7. Верхняя рабочая частота fв = 6,3 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=3 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – несимметричный.
Т
b1nom
: 14 января 2018
700 руб.
Разработка интегрального устройства. Вариант №2
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 02.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 3
СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение………………………………
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
1200 руб.
Курсовая работа. Разработка интегрального устройства
xtrail
: 17 марта 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
xtrail
: 17 марта 2013
250 руб.
Разработка интегрального устройства. Вариант 00
ДО Сибгути
: 27 января 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
ДО Сибгути
: 27 января 2013
150 руб.
Курсовая Разработка интегрального устройства. Вариант №37
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 37.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 4
стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение……………………………………………………………………….....3
1.Разработка структу
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
1200 руб.
Другие работы
Транспортная энергетика ВГИПУ Задача 3 Вариант 14
Z24
: 14 декабря 2025
Провести расчет теоретического термодинамического цикла поршневого ДВС со смешанным подводом теплоты, который задан следующими параметрами: давление в конце процесса всасывания р1, Па; температура в конце процесса всасывания t1, ºC; степень сжатия ε; степень предварительного расширения ρ; степень повышения давления λ.
Определить:
1) параметры всех характерных точек цикла (параметры состояния рабочего тела: давление р, удельный объем υ, температуру t, энтропию s);
2) термодинамические х
Z24
: 14 декабря 2025
500 руб.
Политические конфликты и кризисы
Lokard
: 1 июля 2013
Политические конфликты и кризисы, и способы их разрешение в современном мире
Причины, сущность и типология политических противоречий и конфликтов
Пути урегулирования конфликтов
Консенсус как средство решения конфликта
Понятие кризиса
Lokard
: 1 июля 2013
15 руб.
Чертеж технологической карты замены тормозных колодок на иномарке
Рики-Тики-Та
: 6 июля 2021
Чертеж технологической карты замены тормозных колодок на иномарке выполнено в программе Компас на формате А1
Рики-Тики-Та
: 6 июля 2021
20 руб.
Роль общественного мнения в канун гражданской войны в США
alfFRED
: 8 марта 2013
Американский историк Дж. Рейнолдс, исследуя состояние южной прессы в период се-цессии Юга, весьма красноречиво озаглавил свою книгу: "Редакторы создали войну". В качестве доказательства своей правоты он приводит мнение виргинской газеты, высказанное в 1861 г., когда Гражданская война Севера и Юга уже началась: "Пресса и телеграф разрушили страну. Подчинение их цензуре могло бы сохранить Союз" [1]. Это утверждение представляется парадоксальным и, разумеется, во многом преувеличенным. Но нельзя не
alfFRED
: 8 марта 2013
5 руб.
