Разработка интегрального устройства. Вариант №26

Цена:
1200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 3BBCBD8A-909C-4C44-8936-03E3E77EA4C7.doc [ 496 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 26.

Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.

Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 5


СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение……………………………………………………………………….....3
1.Разработка структурной схемы………………………………………….........4
2.Разработка принципиальной схемы…………………………………………..6
3.Разработка интегральной микросхемы……………………………………….8
3.1.Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных
элементов…………………………………………………………………......8
3.2.Разработка топологии……………………………………………………….14
3.3.Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной
микросхемы………………………………………………………………….19
Заключение………………………………………………………………………24
Список литературы……………………………………………………………...25


ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
 Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
1. Напряжение источника питания UПИТ = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 4.
3. Входное сопротивление: RВХ = 4,7 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 0,6 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 2 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 20 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: FВ = 15 кГц.
8. Коэффициент искажений на нижней частоте: МН = 2 дБ.
9. Коэффициент искажений на верхней частоте: МВ = 1 дБ.
10. Тип входа: Н (несимметричный).
11. Тип выхода: Н (несимметричный).

Похожие материалы

Разработка интегрального устройства
Вариант №2 Техническое задание: 1. Напряжение источника питания Uп = +9 В. 2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 6. 3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм. 4. Сопротивление нагрузки Rн = 1 кОм. 5. Номинальное выходное напряжение Uном = 1 В. 6. Нижняя рабочая частота fн = 50 Гц 7. Верхняя рабочая частота fв = 10 кГц. 8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ. 9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=2 дБ. 10. Тип входа – несимметричный, ти
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User KPanda : 5 декабря 2019
1000 руб.
Разработка интегрального устройства
Электроника. Разработка интегрального устройства
Содержание Техническое задание…………………………………………………………….3 Введение………………………………………………………………………….4 1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5 2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7 3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9 4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12 4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов…………………………………………….……....12
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User 7059520 : 10 марта 2015
50 руб.
Электроника. Разработка интегрального устройства
Курсовая работа Разработка интегрального устройства
Содержание Техническое задание ................................................................................................3 Введение ...................................................................................................................4 1 Разработка структурной и принципиальной схем устройства............................5 2 Расчет элементов принципиальной схемы...........................................................8 2.1 Расчет выходного каскада VT2 .........................
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Виктория30 : 30 ноября 2022
250 руб.
"Разработка интегрального устройства". Вариант №45
1. Напряжение источника питания Uп = +15 В. 2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 8. 3. Входное сопротивление Rвх = 5,1 МОм. 4. Сопротивление нагрузки Rн = 10 кОм. 5. Номинальное выходное напряжение Uном = 3 В. 6. Нижняя рабочая частота fн = 100 Гц 7. Верхняя рабочая частота fв = 6,3 кГц. 8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ. 9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=3 дБ. 10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – несимметричный. Т
******* Не известно Электроника Работа Курсовая
User b1nom : 14 января 2018
700 руб.
"Разработка интегрального устройства". Вариант №45
Разработка интегрального устройства. Вариант №2
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 02. Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети. Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна Оценка: 3 СОДЕРЖАНИЕ стр. Техническое задание…………………………………………………………….2 Исходные данные…………………………………………………………..........2 Введение………………………………
СибГТУ Электроника Работа Курсовая
User SibgutiKR : 15 апреля 2016
1200 руб.
Разработка интегрального устройства. Вариант №2
Курсовая работа. Разработка интегрального устройства
Содержание Техническое задание…………………………………………………………….3 Введение………………………………………………………………………….4 1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5 2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7 3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9 4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12 4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов…………………………………………….……....12
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User xtrail : 17 марта 2013
250 руб.
Разработка интегрального устройства. Вариант 00
Содержание Техническое задание…………………………………………………………….3 Введение………………………………………………………………………….4 1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5 2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7 3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9 4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12 4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов…………………………………………….……....12
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User ДО Сибгути : 27 января 2013
150 руб.
promo
Курсовая Разработка интегрального устройства. Вариант №37
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 37. Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети. Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна Оценка: 4 стр. Техническое задание…………………………………………………………….2 Исходные данные…………………………………………………………..........2 Введение……………………………………………………………………….....3 1.Разработка структу
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User SibgutiKR : 15 апреля 2016
1200 руб.
Курсовая Разработка интегрального устройства. Вариант №37

Другие работы

Экзамен по дисциплине: Риск-менеджмент. Билет №6.
Билет 6 1 Дайте собственную аргументированную интерпретацию понятия «риск». 2 Перечислите и кратко охарактеризуйте основные модели оценки операционных рисков. 3 Портфель состоит из ЦБ двух видов А (σА=33,7%, mА=118%) и Б (σБ=27%, mБ=109%), ковариация между доходностями которых равна -840%^2. Вычислите портфель (структуру) с минимальным риском. Исходить из предположения, что доходности ЦБ распределены по нормальному закону. 4 Проекты А и В характеризуются следующим распределением величины прибыл
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Риск-менеджмент
User teacher-sib : 12 сентября 2023
700 руб.
promo
Гидрогазодинамика ТИУ 2018 Задача 22 Вариант 4
При гидравлическом испытании внутренних систем водоснабжения допускается падение испытательного давления в течение 10 минут на Δр ≈ 4,9×104 Па. Определить допустимую величину утечки ΔW в течение 10 минут при гидравлическом испытании системы вместимостью W. Коэффициент объёмного сжатия воды принять равным βр = 0,5×10—9 Па.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 2 декабря 2025
130 руб.
Гидрогазодинамика ТИУ 2018 Задача 22 Вариант 4
Менеджмент качества
Введение…………….………………………………………………………………..3 1. Основные методологические аспекты обучения………………………………..6 1.1. Современный подход к управлению качества на предприятии……….6 1.2. Опыт обучения по вопросам системы менеджмент качества………..15 2. Организация обучения в области качества на предприятии…………..……...30 2.1. Характеристика предприятия……………….………………………….30 2.2. Описание системы менеджмент качества на предприятии…………..37 2.3. Методы управления системой обучения………………………………47 3. Расчет затрат
Диплом и связанное с ним Дипломные проекты
User Aronitue9 : 2 января 2012
350 руб.
Экзамен по дисциплине: «Математический анализ». Билет №14
Билет 14 1. Формула Остроградского-Гаусса, её физический смысл. 2. Вычислить объём тела, ограниченного поверхностями 3. Вычислить градиент скалярного поля в точке . Построить градиент и линию уровня поля, проходящую через точку М. 4. Вычислить поток векторного поля через поверхность : , , . 5. Применяя формулу Стокса, вычислить циркуляцию векторного поля по замкнутому контуру С, образованному пересечением плоскости с координатными плоскостями.
Математический анализ СибГУТИ Работа Экзаменационная
User parovozz : 27 ноября 2013
30 руб.
up Наверх