Разработка интегрального устройства. Вариант №26

Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 26.

Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.

Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 5


СОДЕРЖАНИЕ стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение……………………………………………………………………….....3
1.Разработка структурной схемы………………………………………….........4
2.Разработка принципиальной схемы…………………………………………..6
3.Разработка интегральной микросхемы……………………………………….8
3.1.Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных
элементов…………………………………………………………………......8
3.2.Разработка топологии……………………………………………………….14
3.3.Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной
микросхемы………………………………………………………………….19
Заключение………………………………………………………………………24
Список литературы……………………………………………………………...25


ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
 Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
1. Напряжение источника питания UПИТ = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 4.
3. Входное сопротивление: RВХ = 4,7 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 0,6 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 2 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 20 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: FВ = 15 кГц.
8. Коэффициент искажений на нижней частоте: МН = 2 дБ.
9. Коэффициент искажений на верхней частоте: МВ = 1 дБ.
10. Тип входа: Н (несимметричный).
11. Тип выхода: Н (несимметричный).