Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1
Таблица компоновки билетов
Тестовые вопросы Задача
Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы:
Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей;
4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами.
Вопрос No 31
Какие сведения о полупроводнике необходимы для расчета эффективной массы электрона? Ответы:
1) тип полупроводника;
2) эффективная масса электрона известна;
3) эффективную массу электрона в зоне проводимости можно рассчитать, если известна экспериментальная зависимость Е(k) для электрона в этой зоне;
4) необходимо знать зону, в которой находится электрон.
Вопрос No 40
Каков механизм поставки дополнительных электронов примесными атомами в донорном полупроводнике? Ответы:
1) дополнительные электроны вводятся в зону проводимости донорного полупроводника один раз на стадии его изготовления;
2) причина образования дополнительных электронов - тепловая ионизация донорных атомов;
3) дополнительные электроны возникают только за счет их перехода из валентной зоны;
4) электроны при повышении температры от 0 К в первую очередь переходят в зону проводимости с донорных уровней.
Вопрос No 55
Какое выражение используется для расчета концентрации электронов в донорном полупроводнике? Ответы:
1) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
2) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ed-Ev)/2kT] ;
3) nn = Nd еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
4) nn = (NvNc)1/2 еxp[-(Ec-Ev)/2kT] ;
Задача 2.8. Вычислите в электронвольтах положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в собственном кремнии при температуре 270 С, если эффективные массы электронов и дырок, соответственно, mn=1,08 m0, mp=0,56 m0, ширина запрещенной зоны кремния Е =1,11 эВ.
Дано:
T=270 С=27+273=300K
mn=1,08 m0
mp=0,56 m0
Е =1,11 эВ
〖 E〗_F-?
Таблица компоновки билетов
Тестовые вопросы Задача
Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы:
Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей;
4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами.
Вопрос No 31
Какие сведения о полупроводнике необходимы для расчета эффективной массы электрона? Ответы:
1) тип полупроводника;
2) эффективная масса электрона известна;
3) эффективную массу электрона в зоне проводимости можно рассчитать, если известна экспериментальная зависимость Е(k) для электрона в этой зоне;
4) необходимо знать зону, в которой находится электрон.
Вопрос No 40
Каков механизм поставки дополнительных электронов примесными атомами в донорном полупроводнике? Ответы:
1) дополнительные электроны вводятся в зону проводимости донорного полупроводника один раз на стадии его изготовления;
2) причина образования дополнительных электронов - тепловая ионизация донорных атомов;
3) дополнительные электроны возникают только за счет их перехода из валентной зоны;
4) электроны при повышении температры от 0 К в первую очередь переходят в зону проводимости с донорных уровней.
Вопрос No 55
Какое выражение используется для расчета концентрации электронов в донорном полупроводнике? Ответы:
1) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
2) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ed-Ev)/2kT] ;
3) nn = Nd еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
4) nn = (NvNc)1/2 еxp[-(Ec-Ev)/2kT] ;
Задача 2.8. Вычислите в электронвольтах положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в собственном кремнии при температуре 270 С, если эффективные массы электронов и дырок, соответственно, mn=1,08 m0, mp=0,56 m0, ширина запрещенной зоны кремния Е =1,11 эВ.
Дано:
T=270 С=27+273=300K
mn=1,08 m0
mp=0,56 m0
Е =1,11 эВ
〖 E〗_F-?
Дополнительная информация
Оценка: "Отлично"
Похожие материалы
Физические основы микроэлектроники
Elfa254
: 10 августа 2013
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
10 руб.
Экзамен по дисциплине ТЕЛЕВИДЕНИЕ. Билет №22.
Walk_ns
: 27 февраля 2016
Билет №22
1. Функциональная схема системы справочного телевизионного вещания Телетекст.
2. Основные принципы построения системы цифрового наземного телевидения ATSC.
3. Передача сигнала звукового сопровождения в телевизионной системе.
100 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
freelancer
: 22 апреля 2016
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1
Таблица компоновки билетов
Тестовые вопросы Задача
Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
freelancer
: 16 апреля 2016
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующего влия
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 4 июля 2013
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующ
550 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 27 июня 2013
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме.
Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей;
4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами.
Вопрос N
650 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 27 июня 2013
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующ
650 руб.
Физические основы микроэлектроники. Контрольная работа №3. Контрольная работа № 4
dedtalash
: 15 апреля 2013
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 3
Вариант No 17: Тестовые вопросы(26 62 96 124 165), Задача 4.6
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 4
Вариант No 17: Тестовые вопросы( 46 51 115 154 234) Задача 6.7
Вопрос No 26
Покажите дисперсионные кривые - зависимости Е(к) для Ge, Si и GaAs. Ответы укажите строго в той последовательности, которая преду-смотрена в вопросе.
Вопрос No 46
Дайте правильное определение уровня Ферми.
Вопрос No 51
Что называется вырожденным электронным газом?
Вопрос No 62
Для каких полупроводников сп
150 руб.
Другие работы
Зачет по дисциплине: Организационно-правовое обеспечение информационной безопасности. Билет 10
Учеба "Под ключ"
: 23 июля 2026
Билет №10
1. Расскажите об информационной сфере как о предмете правового регулирования и законодательства в области информационной безопасности.
2. Поясните порядок проведения служебных расследований.
3. Какие существуют условия использования электронной цифровой подписи? Перечислите особенности использования ЭЦП.
600 руб.
Шиномонтажный стенд с электромеханическим зажимом колеса
proekt-sto
: 13 февраля 2021
ДонНАСА. Целью конструкторской части явилась разработка стенда для демонтажа и монтажа шин грузовых автомобилей (возможно применение для демонтажа шин автобусов и микроавтобусов) с дисковым, бездисковым, глубоким и полуглубоким ободом колес автомобилей, с камерными и бескамерными шинами которые используются в автохозяйстве. В данной работе рассмотрен вариант модернизации шиномонтажного стенда СДШ-3М. 4 листа чертежи А1 (общий вид шиномонтажного стенда-2 листа, кинематическая схема и деталировка
300 руб.
Проектирование защищенных телекоммуникационных систем
sanmix10077
: 8 апреля 2020
вариант 01
Содержание
1 Исходные данные 3
2 Техническое задание 5
3 Выполнение контрольной работы 6
3.1 Пакет документации 6
3.2 Данные организации 6
Список использованных источников 8
700 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Теория теплообмена Задача 2 Вариант 29
Z24
: 11 января 2026
Воздух течет внутри трубы, имея среднюю температуру tв, давление р1=1 МПа и скорость ω. Определить коэффициент теплоотдачи от трубы к воздуху (α1), а также удельный тепловой поток, отнесенный к 1 м длины трубы, если внутренний диаметр трубы d1, толщина ее δ и теплопроводность λ1=20 Вт/(м·К). Снаружи труба омывается горячими газами. Температура и коэффициент теплоотдачи горячих газов, омывающих трубу, соответственно равны tг, α2. Данные, необходимые для решения задачи выбрать из табл. 6. Физиче
180 руб.