Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1
Таблица компоновки билетов
Тестовые вопросы Задача
Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы:
Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей;
4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами.
Вопрос No 31
Какие сведения о полупроводнике необходимы для расчета эффективной массы электрона? Ответы:
1) тип полупроводника;
2) эффективная масса электрона известна;
3) эффективную массу электрона в зоне проводимости можно рассчитать, если известна экспериментальная зависимость Е(k) для электрона в этой зоне;
4) необходимо знать зону, в которой находится электрон.
Вопрос No 40
Каков механизм поставки дополнительных электронов примесными атомами в донорном полупроводнике? Ответы:
1) дополнительные электроны вводятся в зону проводимости донорного полупроводника один раз на стадии его изготовления;
2) причина образования дополнительных электронов - тепловая ионизация донорных атомов;
3) дополнительные электроны возникают только за счет их перехода из валентной зоны;
4) электроны при повышении температры от 0 К в первую очередь переходят в зону проводимости с донорных уровней.
Вопрос No 55
Какое выражение используется для расчета концентрации электронов в донорном полупроводнике? Ответы:
1) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
2) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ed-Ev)/2kT] ;
3) nn = Nd еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
4) nn = (NvNc)1/2 еxp[-(Ec-Ev)/2kT] ;
Задача 2.8. Вычислите в электронвольтах положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в собственном кремнии при температуре 270 С, если эффективные массы электронов и дырок, соответственно, mn=1,08 m0, mp=0,56 m0, ширина запрещенной зоны кремния Е =1,11 эВ.
Дано:
T=270 С=27+273=300K
mn=1,08 m0
mp=0,56 m0
Е =1,11 эВ
〖 E〗_F-?
Таблица компоновки билетов
Тестовые вопросы Задача
Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы:
Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей;
4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами.
Вопрос No 31
Какие сведения о полупроводнике необходимы для расчета эффективной массы электрона? Ответы:
1) тип полупроводника;
2) эффективная масса электрона известна;
3) эффективную массу электрона в зоне проводимости можно рассчитать, если известна экспериментальная зависимость Е(k) для электрона в этой зоне;
4) необходимо знать зону, в которой находится электрон.
Вопрос No 40
Каков механизм поставки дополнительных электронов примесными атомами в донорном полупроводнике? Ответы:
1) дополнительные электроны вводятся в зону проводимости донорного полупроводника один раз на стадии его изготовления;
2) причина образования дополнительных электронов - тепловая ионизация донорных атомов;
3) дополнительные электроны возникают только за счет их перехода из валентной зоны;
4) электроны при повышении температры от 0 К в первую очередь переходят в зону проводимости с донорных уровней.
Вопрос No 55
Какое выражение используется для расчета концентрации электронов в донорном полупроводнике? Ответы:
1) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
2) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ed-Ev)/2kT] ;
3) nn = Nd еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
4) nn = (NvNc)1/2 еxp[-(Ec-Ev)/2kT] ;
Задача 2.8. Вычислите в электронвольтах положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в собственном кремнии при температуре 270 С, если эффективные массы электронов и дырок, соответственно, mn=1,08 m0, mp=0,56 m0, ширина запрещенной зоны кремния Е =1,11 эВ.
Дано:
T=270 С=27+273=300K
mn=1,08 m0
mp=0,56 m0
Е =1,11 эВ
〖 E〗_F-?
Дополнительная информация
Оценка: "Отлично"
Похожие материалы
Физические основы микроэлектроники
Elfa254
: 10 августа 2013
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
10 руб.
Экзамен по дисциплине ТЕЛЕВИДЕНИЕ. Билет №22.
Walk_ns
: 27 февраля 2016
Билет №22
1. Функциональная схема системы справочного телевизионного вещания Телетекст.
2. Основные принципы построения системы цифрового наземного телевидения ATSC.
3. Передача сигнала звукового сопровождения в телевизионной системе.
100 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
freelancer
: 22 апреля 2016
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1
Таблица компоновки билетов
Тестовые вопросы Задача
Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
freelancer
: 16 апреля 2016
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующего влия
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 4 июля 2013
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующ
550 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 27 июня 2013
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующ
650 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 27 июня 2013
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме.
Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей;
4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами.
Вопрос N
650 руб.
Физические основы микроэлектроники. Контрольная работа №3. Контрольная работа № 4
dedtalash
: 15 апреля 2013
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 3
Вариант No 17: Тестовые вопросы(26 62 96 124 165), Задача 4.6
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 4
Вариант No 17: Тестовые вопросы( 46 51 115 154 234) Задача 6.7
Вопрос No 26
Покажите дисперсионные кривые - зависимости Е(к) для Ge, Si и GaAs. Ответы укажите строго в той последовательности, которая преду-смотрена в вопросе.
Вопрос No 46
Дайте правильное определение уровня Ферми.
Вопрос No 51
Что называется вырожденным электронным газом?
Вопрос No 62
Для каких полупроводников сп
150 руб.
Другие работы
Основы информационной безопасности (ДВ 4.2). Билет №1
rusyyaaaa
: 12 января 2021
1. Дайте характеристику международной Рекомендации Х.805. Основные термины, назначение, достоинства и недостатки
2. Расскажите о национальных интересах в информационной сфере.
3. Процедуры идентификации и аутентификации. Приведите примеры использования (ваш опыт).
100 руб.
Инженерная и компьютерная графика (в.1 лабы 1,2 и контр раб)
fursova0303
: 28 февраля 2026
Выкладываю вариант 01, лабораторные и контрольные работы 2025года,в архивах так же есть выполнение в программах и пдф форматы, задания не менялись. В задании лаб. работ идет корпус пускателя и символы для блок-схем.
3000 руб.
Штамп для гибки - И40.55.00.00 СБ
.Инженер.
: 4 октября 2023
Иванов Ю.Б. Атлас чертежей общих видов для деталирования. Вариант И40.55.00.00 - Штамп для гибки. Сборочный чертеж. Деталирование. Модели.
Штамп предназначен для загибки конца рычага по радиусу. Нижнюю плиту 1 штампа устанавливают на столе пресса и прижимают к нему прихватами. Верхнюю плиту 6 закрепляют на ползуне пресса при помощи хвостовика.
Для направления верхней плиты 6 относительно нижней плиты 1 установлены две колонки 10. Нижняя часть колонки запрессована в плиту 1, а верхняя может своб
700 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Архитектура телекоммуникационных систем и сетей. АЛГОРИТМЫ МАРШРУТИЗАЦИИ. Вариант №01
KVASROGOV
: 26 марта 2021
Курсовая работа
по дисциплине: Архитектура телекоммуникационных систем и сетей.
АЛГОРИТМЫ МАРШРУТИЗАЦИИ
Вариант 01
(+РАСЧЕТ В ЭКСЕЛЕ)
455 руб.