Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon ФОЭ.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1
Таблица компоновки билетов

 Тестовые вопросы Задача
Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы:

Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей;
4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами.

Вопрос No 31
Какие сведения о полупроводнике необходимы для расчета эффективной массы электрона? Ответы:
1) тип полупроводника;
2)  эффективная масса электрона известна;
3) эффективную массу электрона в зоне проводимости можно рассчитать, если известна экспериментальная зависимость Е(k) для электрона в этой зоне;
4) необходимо знать зону, в которой находится электрон.

Вопрос No 40
Каков механизм поставки дополнительных электронов примесными атомами в донорном полупроводнике? Ответы:
1) дополнительные электроны вводятся в зону проводимости донорного полупроводника один раз на стадии его изготовления;
2) причина образования дополнительных электронов - тепловая ионизация донорных атомов;
3) дополнительные электроны возникают только за счет их перехода из валентной зоны;
4) электроны при повышении температры от 0 К в первую очередь переходят в зону проводимости с донорных уровней.

Вопрос No 55
Какое выражение используется для расчета концентрации электронов в донорном полупроводнике? Ответы:
1) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
2) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ed-Ev)/2kT] ;
3) nn = Nd еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
4) nn = (NvNc)1/2 еxp[-(Ec-Ev)/2kT] ;

Задача 2.8. Вычислите в электронвольтах положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в собственном кремнии при температуре 270 С, если эффективные массы электронов и дырок, соответственно, mn=1,08 m0, mp=0,56 m0, ширина запрещенной зоны кремния Е =1,11 эВ.
Дано:
T=270 С=27+273=300K
mn=1,08 m0
mp=0,56 m0
Е =1,11 эВ
〖 E〗_F-?

Дополнительная информация

Оценка: "Отлично"
Физические основы микроэлектроники
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
User Elfa254 : 10 августа 2013
10 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10 Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
User freelancer : 22 апреля 2016
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующего влия
User freelancer : 16 апреля 2016
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
550 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей; 4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами. Вопрос N
650 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
650 руб.
Физические основы микроэлектроники. Контрольная работа №3. Контрольная работа № 4
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 3 Вариант No 17: Тестовые вопросы(26 62 96 124 165), Задача 4.6 КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 4 Вариант No 17: Тестовые вопросы( 46 51 115 154 234) Задача 6.7 Вопрос No 26 Покажите дисперсионные кривые - зависимости Е(к) для Ge, Si и GaAs. Ответы укажите строго в той последовательности, которая преду-смотрена в вопросе. Вопрос No 46 Дайте правильное определение уровня Ферми. Вопрос No 51 Что называется вырожденным электронным газом? Вопрос No 62 Для каких полупроводников сп
User dedtalash : 15 апреля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине ТЕЛЕВИДЕНИЕ. Билет №22.
Билет №22 1. Функциональная схема системы справочного телевизионного вещания Телетекст. 2. Основные принципы построения системы цифрового наземного телевидения ATSC. 3. Передача сигнала звукового сопровождения в телевизионной системе.
User Walk_ns : 27 февраля 2016
100 руб.
Экзамен по дисциплине ТЕЛЕВИДЕНИЕ. Билет №22.
Тяговые расчеты электрофицированного участка
Содержание Ведение______________________________________________________ _ 3 1 Исходные данные_____________________________________________ 4 2. Определение основных технических данных локомотива____________ 6 3 Анализ профиля пути, выбор расчетного подъема__________________ 7 4 Спрямление профиля пути_____________________________________ 7 5 Расчет массы состава и выполнение ее проверок____________________10 5.1 Расчет массы состава_________________________________________ 10 5.2 Про
User GnobYTEL : 9 сентября 2012
20 руб.
Роль підприємництва у розвитку економіки України
Вступ 1. Підприємницька діяльність в Україні - історія виникнення підприємництва - закони України про підприємницьку діяльність 2. Підприємства в Україні: їх форми та види (приклади організацій) 3. Іноземне втручання в підприємницьку діяльність України 4. Роль підприємництва у розвитку економіки нашої країни 5. Участь влади у підприємницькій діяльності 6. Причини, які стримують розвиток підприємництва в Україні та шляхи вирішення цієї проблеми Висновок Список використаної літератури В
User evelin : 11 ноября 2013
5 руб.
Управление проектом создание системы информационной безопасности
Введение в проблему Резюме продукта Угрозы и уязвимости на предприятии Фактическая защищенность предприятия Возможные каналы утечки информации Предлагаемые мероприятия по защите Объекты поставки проекта Оценка стоимости системы защиты и оценка эффективности Предложение, ограничения, исключения Структура разбиения работ Структурная схема организации Матрица ответственности Сетевой график и диаграмма Ганта Риски проекта 15.Заключение Введение в проблему Эффективное управление проектами — это интег
User Slolka : 2 апреля 2014
5 руб.
Курсовая работа по дисциплине «Вычислительная математика». 8-й вариант
Задание Заряд в электрической цепи описывается уравнением: где k – наименьший положительный корень уравнения 2x3-sin(x)-3=0. Проинтерполировать сплайном y(x), взяв значения y(x) в точках x=0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0. Сравнить значения полученного сплайна и y(x) во всех точках, где было вычислено y(x). Результат графически вывести на экран. Составить программу, вычисляющую силу тока для любого момента времени x из интервала [0;1]. Провести вычисления при x=0.05, 0.1, 0.15, 0.2, 0.25, 0.3, 0.35,
User ДО Сибгути : 6 февраля 2013
145 руб.
promo
up Наверх