Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon ФОЭ.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1
Таблица компоновки билетов

 Тестовые вопросы Задача
Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы:

Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей;
4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами.

Вопрос No 31
Какие сведения о полупроводнике необходимы для расчета эффективной массы электрона? Ответы:
1) тип полупроводника;
2)  эффективная масса электрона известна;
3) эффективную массу электрона в зоне проводимости можно рассчитать, если известна экспериментальная зависимость Е(k) для электрона в этой зоне;
4) необходимо знать зону, в которой находится электрон.

Вопрос No 40
Каков механизм поставки дополнительных электронов примесными атомами в донорном полупроводнике? Ответы:
1) дополнительные электроны вводятся в зону проводимости донорного полупроводника один раз на стадии его изготовления;
2) причина образования дополнительных электронов - тепловая ионизация донорных атомов;
3) дополнительные электроны возникают только за счет их перехода из валентной зоны;
4) электроны при повышении температры от 0 К в первую очередь переходят в зону проводимости с донорных уровней.

Вопрос No 55
Какое выражение используется для расчета концентрации электронов в донорном полупроводнике? Ответы:
1) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
2) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ed-Ev)/2kT] ;
3) nn = Nd еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
4) nn = (NvNc)1/2 еxp[-(Ec-Ev)/2kT] ;

Задача 2.8. Вычислите в электронвольтах положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в собственном кремнии при температуре 270 С, если эффективные массы электронов и дырок, соответственно, mn=1,08 m0, mp=0,56 m0, ширина запрещенной зоны кремния Е =1,11 эВ.
Дано:
T=270 С=27+273=300K
mn=1,08 m0
mp=0,56 m0
Е =1,11 эВ
〖 E〗_F-?

Дополнительная информация

Оценка: "Отлично"
Физические основы микроэлектроники
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
User Elfa254 : 10 августа 2013
10 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10 Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
User freelancer : 22 апреля 2016
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующего влия
User freelancer : 16 апреля 2016
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
550 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
650 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей; 4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами. Вопрос N
650 руб.
Физические основы микроэлектроники. Контрольная работа №3. Контрольная работа № 4
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 3 Вариант No 17: Тестовые вопросы(26 62 96 124 165), Задача 4.6 КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 4 Вариант No 17: Тестовые вопросы( 46 51 115 154 234) Задача 6.7 Вопрос No 26 Покажите дисперсионные кривые - зависимости Е(к) для Ge, Si и GaAs. Ответы укажите строго в той последовательности, которая преду-смотрена в вопросе. Вопрос No 46 Дайте правильное определение уровня Ферми. Вопрос No 51 Что называется вырожденным электронным газом? Вопрос No 62 Для каких полупроводников сп
User dedtalash : 15 апреля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине ТЕЛЕВИДЕНИЕ. Билет №22.
Билет №22 1. Функциональная схема системы справочного телевизионного вещания Телетекст. 2. Основные принципы построения системы цифрового наземного телевидения ATSC. 3. Передача сигнала звукового сопровождения в телевизионной системе.
User Walk_ns : 27 февраля 2016
100 руб.
Экзамен по дисциплине ТЕЛЕВИДЕНИЕ. Билет №22.
Содержательные характеристики, типология и процедура проведения интервью
Введение Существует много различных социологических методов, но самым популярным на сегодняшний день является метод интервью. Изучение интервью как социологического метода сегодня является актуальной темой, главным достоинством интервью считается возможность получения глубинной информации о мнениях, мотивах, ценностных ориентациях респондентов, так как в ходе него интервьюер получает не только количественную информацию, но и качественную. Интервью позволяет выявить те социальные явления, которые
User Elfa254 : 10 февраля 2014
5 руб.
Виробничо-торгівельна структура підприємств харчування
Вступ................................................................................................................ 3 Розділ 1. Загальні положення проектування виробничо-торгівельної структури підприємств харчування................................................................................. 5 1.1 Функціональна структура підприємств громадського харчування як основа технологічного проектування..................................................................... 5 1.2 Загальні принципи о
User alfFRED : 28 августа 2013
10 руб.
Дискретная математика. Лабораторные работы 1, 2, 3, 4, 5.
Лабораторная работа №1: Множества и операции над ними. Лабораторная работа №2: Отношения и их свойства. Лабораторная работа №3: Генерация перестановок. Лабораторная работа №4: Генерация подмножеств. Лабораторная работа №5: Поиск компонент связности графа.
User Cole82 : 1 июня 2015
21 руб.
up Наверх