Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1
Таблица компоновки билетов
Тестовые вопросы Задача
Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы:
Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей;
4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами.
Вопрос No 31
Какие сведения о полупроводнике необходимы для расчета эффективной массы электрона? Ответы:
1) тип полупроводника;
2) эффективная масса электрона известна;
3) эффективную массу электрона в зоне проводимости можно рассчитать, если известна экспериментальная зависимость Е(k) для электрона в этой зоне;
4) необходимо знать зону, в которой находится электрон.
Вопрос No 40
Каков механизм поставки дополнительных электронов примесными атомами в донорном полупроводнике? Ответы:
1) дополнительные электроны вводятся в зону проводимости донорного полупроводника один раз на стадии его изготовления;
2) причина образования дополнительных электронов - тепловая ионизация донорных атомов;
3) дополнительные электроны возникают только за счет их перехода из валентной зоны;
4) электроны при повышении температры от 0 К в первую очередь переходят в зону проводимости с донорных уровней.
Вопрос No 55
Какое выражение используется для расчета концентрации электронов в донорном полупроводнике? Ответы:
1) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
2) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ed-Ev)/2kT] ;
3) nn = Nd еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
4) nn = (NvNc)1/2 еxp[-(Ec-Ev)/2kT] ;
Задача 2.8. Вычислите в электронвольтах положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в собственном кремнии при температуре 270 С, если эффективные массы электронов и дырок, соответственно, mn=1,08 m0, mp=0,56 m0, ширина запрещенной зоны кремния Е =1,11 эВ.
Дано:
T=270 С=27+273=300K
mn=1,08 m0
mp=0,56 m0
Е =1,11 эВ
〖 E〗_F-?
Таблица компоновки билетов
Тестовые вопросы Задача
Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы:
Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей;
4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами.
Вопрос No 31
Какие сведения о полупроводнике необходимы для расчета эффективной массы электрона? Ответы:
1) тип полупроводника;
2) эффективная масса электрона известна;
3) эффективную массу электрона в зоне проводимости можно рассчитать, если известна экспериментальная зависимость Е(k) для электрона в этой зоне;
4) необходимо знать зону, в которой находится электрон.
Вопрос No 40
Каков механизм поставки дополнительных электронов примесными атомами в донорном полупроводнике? Ответы:
1) дополнительные электроны вводятся в зону проводимости донорного полупроводника один раз на стадии его изготовления;
2) причина образования дополнительных электронов - тепловая ионизация донорных атомов;
3) дополнительные электроны возникают только за счет их перехода из валентной зоны;
4) электроны при повышении температры от 0 К в первую очередь переходят в зону проводимости с донорных уровней.
Вопрос No 55
Какое выражение используется для расчета концентрации электронов в донорном полупроводнике? Ответы:
1) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
2) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ed-Ev)/2kT] ;
3) nn = Nd еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
4) nn = (NvNc)1/2 еxp[-(Ec-Ev)/2kT] ;
Задача 2.8. Вычислите в электронвольтах положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в собственном кремнии при температуре 270 С, если эффективные массы электронов и дырок, соответственно, mn=1,08 m0, mp=0,56 m0, ширина запрещенной зоны кремния Е =1,11 эВ.
Дано:
T=270 С=27+273=300K
mn=1,08 m0
mp=0,56 m0
Е =1,11 эВ
〖 E〗_F-?
Дополнительная информация
Оценка: "Отлично"
Похожие материалы
Физические основы микроэлектроники
Elfa254
: 10 августа 2013
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
10 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
freelancer
: 22 апреля 2016
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1
Таблица компоновки билетов
Тестовые вопросы Задача
Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
freelancer
: 16 апреля 2016
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующего влия
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 4 июля 2013
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующ
550 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 27 июня 2013
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующ
650 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 27 июня 2013
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме.
Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей;
4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами.
Вопрос N
650 руб.
Физические основы микроэлектроники. Контрольная работа №3. Контрольная работа № 4
dedtalash
: 15 апреля 2013
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 3
Вариант No 17: Тестовые вопросы(26 62 96 124 165), Задача 4.6
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 4
Вариант No 17: Тестовые вопросы( 46 51 115 154 234) Задача 6.7
Вопрос No 26
Покажите дисперсионные кривые - зависимости Е(к) для Ge, Si и GaAs. Ответы укажите строго в той последовательности, которая преду-смотрена в вопросе.
Вопрос No 46
Дайте правильное определение уровня Ферми.
Вопрос No 51
Что называется вырожденным электронным газом?
Вопрос No 62
Для каких полупроводников сп
150 руб.
Экзамен по дисциплине ТЕЛЕВИДЕНИЕ. Билет №22.
Walk_ns
: 27 февраля 2016
Билет №22
1. Функциональная схема системы справочного телевизионного вещания Телетекст.
2. Основные принципы построения системы цифрового наземного телевидения ATSC.
3. Передача сигнала звукового сопровождения в телевизионной системе.
100 руб.
Другие работы
Внеоборотные активы понятие и виды
Qiwir
: 26 октября 2013
Содержание
4
1.Состав и структура молочной промышленности 6
1.1 Межотраслевые связи молочной промышленности 9
1.2.Анализ производственной деятельности 11
предприятия 11
Сельское хозяйство, как отрасль экономики, подчиняется основным экономическим законам, характерным для любой экономической системы и для любого этапа развития производительных сил и производственных отношений. Скотоводство – одна из наиболее важных отраслей животноводства в нашей стране. Скотоводство дает ценные продукты пи
10 руб.
Ответы на тест-допуск по лаб. работе "Измерения оптическим тестером EXFO FOT-930"
blastimoza
: 20 мая 2026
Проверенные ответы от автора программы.
Список вопросов:
Что такое оптическая мощность в контексте ВОЛС?
В каких единицах обычно измеряется оптическая мощность?
Мощность 1 мВт в логарифмической шкале равна:
Если измеренная мощность уменьшилась с 0 дБм до -10 дБм, что это означает?
Единица измерения оптических потерь — это:
Что физически характеризуют оптические потери в линии передачи?
Какой диапазон длин волн считается «окном прозрачности» для одномодового волокна?
На какой длине в
100 руб.
Теплотехника КНИТУ Задача ТД-1 Вариант 90
Z24
: 12 января 2026
Определить газовую постоянную, кажущуюся молекулярную массу, плотность и удельный объем при нормальных условиях для смеси идеальных газов, объемное содержание которых задано.
Найти также средние массовые теплоемкости этой смеси при постоянном давлении р1 в интервале температур от t1 до t2 и определить количество теплоты для изобарного нагревания m кг газовой смеси от t1 до t2, если задан общий начальный объем этой смеси Vсм.
200 руб.
Дополнительные главы Мат. анализа. 4-й вариант (2 семестр)
kolganov91
: 3 сентября 2014
1 Вычертить область плоскости по данным условиям:
|z+2i|>3 – точки вне окружности радиуса 3 с центром в точке - 2i
π/4<arg〖z<3π/4〗 – точки внутри угла ограниченного лучами выходящими из начала координат под углами π/4 и 3π/4
Re z≤-2 – левая полуплоскость от прямой Re z=-2
Im z≤3 – нижняя полуплоскость от прямой Im z=3
2. Найти все особые точки функции, определить их характер (для полюсов указать порядок) и вычислить вычеты в них.
3. При помощи вычетов вычислить данный интеграл по контуру.
75 руб.