Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon ФОЭ.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1
Таблица компоновки билетов

 Тестовые вопросы Задача
Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8
Вопрос No 7
Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы:

Вопрос No 23
Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы:
1) по 4 электрона от каждого атома;
2) по 2 электрона;
3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей;
4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами.

Вопрос No 31
Какие сведения о полупроводнике необходимы для расчета эффективной массы электрона? Ответы:
1) тип полупроводника;
2)  эффективная масса электрона известна;
3) эффективную массу электрона в зоне проводимости можно рассчитать, если известна экспериментальная зависимость Е(k) для электрона в этой зоне;
4) необходимо знать зону, в которой находится электрон.

Вопрос No 40
Каков механизм поставки дополнительных электронов примесными атомами в донорном полупроводнике? Ответы:
1) дополнительные электроны вводятся в зону проводимости донорного полупроводника один раз на стадии его изготовления;
2) причина образования дополнительных электронов - тепловая ионизация донорных атомов;
3) дополнительные электроны возникают только за счет их перехода из валентной зоны;
4) электроны при повышении температры от 0 К в первую очередь переходят в зону проводимости с донорных уровней.

Вопрос No 55
Какое выражение используется для расчета концентрации электронов в донорном полупроводнике? Ответы:
1) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
2) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ed-Ev)/2kT] ;
3) nn = Nd еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ;
4) nn = (NvNc)1/2 еxp[-(Ec-Ev)/2kT] ;

Задача 2.8. Вычислите в электронвольтах положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в собственном кремнии при температуре 270 С, если эффективные массы электронов и дырок, соответственно, mn=1,08 m0, mp=0,56 m0, ширина запрещенной зоны кремния Е =1,11 эВ.
Дано:
T=270 С=27+273=300K
mn=1,08 m0
mp=0,56 m0
Е =1,11 эВ
〖 E〗_F-?

Дополнительная информация

Оценка: "Отлично"
Физические основы микроэлектроники
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
User Elfa254 : 10 августа 2013
10 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10 Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
User freelancer : 22 апреля 2016
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующего влия
User freelancer : 16 апреля 2016
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
550 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
650 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей; 4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами. Вопрос N
650 руб.
Физические основы микроэлектроники. Контрольная работа №3. Контрольная работа № 4
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 3 Вариант No 17: Тестовые вопросы(26 62 96 124 165), Задача 4.6 КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 4 Вариант No 17: Тестовые вопросы( 46 51 115 154 234) Задача 6.7 Вопрос No 26 Покажите дисперсионные кривые - зависимости Е(к) для Ge, Si и GaAs. Ответы укажите строго в той последовательности, которая преду-смотрена в вопросе. Вопрос No 46 Дайте правильное определение уровня Ферми. Вопрос No 51 Что называется вырожденным электронным газом? Вопрос No 62 Для каких полупроводников сп
User dedtalash : 15 апреля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине ТЕЛЕВИДЕНИЕ. Билет №22.
Билет №22 1. Функциональная схема системы справочного телевизионного вещания Телетекст. 2. Основные принципы построения системы цифрового наземного телевидения ATSC. 3. Передача сигнала звукового сопровождения в телевизионной системе.
User Walk_ns : 27 февраля 2016
100 руб.
Экзамен по дисциплине ТЕЛЕВИДЕНИЕ. Билет №22.
Экзамен по дисциплине: Основы обработки данных. Билет 2
Экзаменационные билеты по курсу «Обработка экспериментальных данных». Билет №2. 1. Правила округления при записи результатов измерения 2. Вариационный ряд случайной величины
User xtrail : 29 июля 2024
300 руб.
Дипломная работа. Разработка проекта изменений в организации (на примере организации). MBA Synergy (Синергия, ВКР, Диплом)
Содержание работы. СОДЕРЖАНИЕ Введение 3 1 Теоретические аспекты разработки проектов изменений в организациях 6 1.1 Понятие и характеристика изменений 6 1.2 Методические подходы к проведению диагностики необходимости изменений 10 1.3 Структура проекта изменений 19 2 Анализ деятельности компании АО «ХХХ» и ее положения на рынке 25 2.1 Организационно-экономическая характеристика компании 25 2.2 Анализ внешней среды 40 2.3 Диагностика необходимости изменений 52 3 Организация планиров
User Stud1 : 28 апреля 2022
1149 руб.
Технологические основы отрасли. Контрольная работа. Вариант №7
Задача №1 1. Определить, насколько увеличится относительная разность частот сигнала и помехи при переходе от схемы приемника прямого усиления к супергетеродинному. Данные вариантов задания приведены в таблице 1. 2. Для приведенного варианта АЧХ селективной цепи преселектора радиоприемного устройства определить избирательность по соседнему каналу для данных Вашего варианта из таблицы 2. Задача №2 Определить количество информации в сообщении, если задан вид и спектр сигнала, и отношение средней м
User izyumka : 18 сентября 2013
50 руб.
Техническая термодинамика КГУ 2020 Задача 1 Вариант 80
Смесь, состоящая из М1 киломолей азота и М2 киломолей кислорода с начальными параметрами р1 = 1 МПа и Т1 = 1000 К, расширяется до давления р2. Расширение может осуществляться по изотерме, адиабате и политропе с показателем n. Определить газовую постоянную смеси, ее массу и начальный объем, конечные параметры смеси, работу расширения и теплоту, участвующую в процессе. Дать сводную таблицу результатов и анализ ее. Показать процессы в рυ и Ts — диаграммах. Данные необходимые для решения задачи,
User Z24 : 12 января 2026
250 руб.
Техническая термодинамика КГУ 2020 Задача 1 Вариант 80
up Наверх