Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №17.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
Дополнительная информация
Проверил: доцент Савиных В.Л.
Оценка: "Отлично"
Год: 2016.
Оценка: "Отлично"
Год: 2016.
Похожие материалы
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №17
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 12 апреля 2014
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
130 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет № 17 (3-й семестр)
Jack
: 30 марта 2013
Билет № 17
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
150 руб.
Зачетная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
te86
: 9 сентября 2012
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ
и рабочую область
Полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем называются полевые транзисторы
Полевой транзистор содержит три полупроводниковые области ...
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
Расчет усилителей на транзисторах включает следующие основные этапы:
1. Выбор транзистора и элем
80 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №8
SibGOODy
: 23 августа 2024
Билет № 8
1. Характеристики ПП диодов из германия и кремния. Влияние температуры.
2. Основные режимы работы БТ и схемы включения.
300 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет 14
SibGOODy
: 23 августа 2024
Билет № 14
1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы.
2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления.
300 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
djo
: 8 сентября 2020
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
190 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические Основы Электроники. Билет №10.
ДО Сибгути
: 5 февраля 2016
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
40 руб.
Зачетная работа по дисциплине: физические основы электроники. Билет №2
Dimasik142
: 2 февраля 2016
Билет № 2
1 Диффузионные и дрейфовые токи в полупроводнике.
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОЭ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение
100 руб.
Другие работы
Теплообменники
radjn
: 28 декабря 2008
Реферат содержит виды теплообменников, их конструкции и характеристики.
Тема дипломного проекта: Производственная база муниципального предприятия
konstruktor_ns
: 17 апреля 2023
Пояснительная записка 101 стр. Граф.часть: календарный план.
Титульный лист
Оглавление
Введение
1 АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ ЧАСТЬ
1.1 ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
1.2 ВАРИАНТНОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ
1.3 АРХИТЕКТУРНО-ПЛАНИРОВОЧНЫЕ ЧЕРТЕЖИ
1.4 КОМПОЗИЦИОННОЕ И ХУДОЖЕСТВЕННО-АРХИТЕКТУРНОЕ РЕШЕНИЕ ОБЪЕКТА
1.5 ИНЖЕНЕРНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ПРОЕКТИРУЕМОГО ОБЪЕКТА
1.6 ФУНДАМЕНТЫ
1.7 КОЛОННЫ
1.8 ФЕРМЫ
1.9 СТЕНОВЫЕ ПАНЕЛИ
1.10 ПОЛЫ
1.11 ПЛИТЫ ОБОЛОЧКИ
1.12 ОКНА, ДВЕРИ, ВОРОТА
1.13 ТЕПЛОТЕХНИЧЕСКИЙ РАСЧЕТ
2 РАСЧЕТНО-КОНСТРУКТИВН
790 руб.
Схемотехника телекоммуникационных устройств лабораторная 1 вариант 04
cneltynjuehtw
: 27 января 2017
Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе
Исходные данные:
Транзистор типа KT 3102А с параметрами:
h=200
c=10 пФ
f=1,5 мГц
r=120 Ом
напряжение источника питания E=15В
ток покоя транзистора I=3 мА
500 руб.
Дискретная математика. 2-й семестр. 10-й вариант
alexeysh2
: 21 февраля 2016
I). Задано универсальное множество и множества Найти результаты действий a) - д) и каждое действие проиллюстрировать с помощью диаграммы Эйлера-Венна.
II). Ввести необходимые элементарные высказывания и записать логической формулой следующее предложение.
III). Для булевой функции найти методом преобразования минимальную ДНФ. По таблице истинности построить СКНФ. По минимальной ДНФ построить релейно-контактную схему.
IV). Орграф задан своей матрицей смежности. Следует:
а) нарисовать орграф;
б)
150 руб.