Физические основы электроники. Работа экзаменационная. Билет 3.

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 53DC9010-155E-4517-8196-39F925AC1B68.rar [ 403 KB ]
material.view.file_icon ЭР_Технарь.docx [ 424 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Подробный, развернутый ответ на оба вопроса. Объем работы - 13 стр.
Билет № 3.
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка: Отлично
Дата оценки: 30.05.2016
Рецензия: Уважаемый студент, на все вопросы Вы ответили правильно.
Преподаватель: Савиных Валерий Леонидович

Похожие материалы

Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3
1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединен
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Экзаменационная
User Студенткааа : 16 января 2019
100 руб.
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники".
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
ДО СИБГУТИ Работа Зачетная Физические основы электроники
User freelancer : 16 апреля 2016
100 руб.
promo
Физические основы электроники. Зачет. Билет № 3
Билет № 3 1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
Электроника Работа Зачетная
User mirsan : 24 января 2015
95 руб.
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники"
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника физическая
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 23 февраля 2013
100 руб.
Физические основы электроники. Зачетная работа. Билет №3.
Физические основы электроники. Зачетная работа. Билет №3. 1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
СибГУТИ Работа Зачетная Электроника физическая
User sibgutido : 20 марта 2012
100 руб.
Итоговая работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
ДО СИБГУТИ Работа Физические основы электроники
User Jerryamantipe03 : 23 июня 2021
50 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
ДО СИБГУТИ Работа Зачетная Физические основы электроники
User djo : 8 сентября 2020
190 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
Билет №3 1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. p-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. 2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
СибГУТИ Работа Зачетная Физические основы электроники
User Roma967 : 7 декабря 2015
250 руб.
promo

Другие работы

Финансы. Экзамен. Вариант №1. Тест. Вариант №14
Темы для выполнения первого вопроса экзаменационного задания по вариантам приведены в таблице. Таблица. № темы Наименование темы 1 Сравнительная характеристика понятий «финансы» и «деньги»-сущность, функции, схожие и отличительные черты 1. Финансовый результат деятельности предприятия характеризует: а) прибыль или убыток б) выплата заработной платы; в) себестоимость продукции; г) выручка от реализации. 2. План движения денежных средств составляется, как правило: а) на год с разбивкой по месяц
СибГУТИ Финансы Билеты экзаменационные
User 7059520 : 19 января 2016
50 руб.
Финансы. Экзамен. Вариант №1. Тест. Вариант №14
Экзамен по дисциплине: Методы и средства измерения в телекоммуникационных системах. Билет №17
Билет №17 Вопрос №1 Принципы построения измерителей ошибок. Вопрос №2 Измерение хроматической дисперсии Вопрос №3 Задачи метрологического обеспечения измерений параметров ВОСП.
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Методы и средства измерений в телекоммуникационных системах
User ilya2213 : 17 апреля 2023
80 руб.
promo
Курсовая работа По дисциплине: Пакетная телефония. Вариант 10.
«Проект телефонных услуг на базе мультисервисной транспортной сети» по дисциплине «Пакетная телефония» Содержание курсовой работы Введение 1. Обзорная часть 1.1. Архитектура NGN 1.1.1. Обзор сервисных платформ 1.1.2. Обзор технологий построения транспортных сетей 1.1.3. Технологии сетей доступа 1.2. Технологии обеспечения телефонных услуг 1.2.1. Традиционные телефонные сети (TDM-телефония) 1.2.2. Технологии пакетной телефонии 2. Проектная часть 2.1. Разраб
ДО СИБГУТИ Пакетная телефония Работа Курсовая
User teacher-sib : 2 февраля 2017
100 руб.
promo
Валютные интервенции Центрального Банка России
Введение В настоящее время в мире происходят постоянные изменения стратегий и методов, и проблематика данного исследования по-прежнему несет актуальный характер. Расширение коридора колебаний бивалютной корзины и переход к более гибкому курсообразованию рубля со стороны Банка России означает большее внимание к валютным интервенциям. Существует обширная информация о валютных интервенциях центральных банков. Периодическая пресса постоянно сообщает о поведении денежных властей на валютном рынке. В
Банковское дело и кредитование Работа
User GnobYTEL : 6 ноября 2012
up Наверх