Вариант №4. исследование статических характеристик биполярного транзистора

Цена:
172 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 4FA60032-8FC1-400C-8AD9-6FC1C5D2A3B9.rar [268 KB]
material.view.file_icon _Лаб2 вар4.docx [Office 2007, 300 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Отчет о работе
2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1.
2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1.

Дополнительная информация

Зачет 2016г.

Похожие материалы

Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов). 2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1 . Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2. Подготовка к работе 2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ. 2.1.3. Статические характеристики. 2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов). 2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процесс
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Билет № 10 1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры. 2. Определение H - параметров по характеристикам БТ. Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 7).
СибГУТИ Работа Зачетная Электроника физическая
User JuliaRass : 23 января 2011
150 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Лабораторная работа №2 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений з
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 3 октября 2016
152 руб.
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.

Другие работы

Наглядное изображение и комплексный чертеж отрезка. Задание 13 - Вариант 2
С.К. Боголюбов. Индивидуальные задания по курсу черчения. Точка, прямая, плоскость и способы преобразования проекций. Проецирование отрезков. Задание 13 - Вариант 2 По заданным координатам отрезка AB построить его наглядное изображение и комплексный чертеж. Определить положение отрезка относительно плоскостей проекций. В состав работы входит: Наглядное изображение и комплексный чертеж; Положение отрезка в пространстве (3D модель). Выполнено в программе Компас + чертеж в PDF.
Начертательная геометрия и инженерная графика Чертежи
User .Инженер. : 18 октября 2026
100 руб.
Наглядное изображение и комплексный чертеж отрезка. Задание 13 - Вариант 2 promo
Английский язык тест 50 вопросов с ответами сибит
1 I … in my first year. a. am b. are c. is 2 … tea is cold. a. the b. – c. a 3 Укажите правильный вариант перевода: There is no telephone in the room. а. Телефона нет в комнате. b. В комнате нет телефона. 4 Выберите правильный вопрос: a. Were there many people in the bank? b. There were many people in the bank? c. In the bank there were many people? 5 There … a few hundred judges, trained as barristers. a. is b. am c. are 6 … are lawyers. a. I b. he c. they 7 … is at the entrance. a. th
Английский язык Тесты СИБИТ
User Максим336 : 29 мая 2019
150 руб.
Аудиторський ризик
ПЛАН 1. Поняття ризику і правила його оцінювання 2. Ризик аудиту або загальний ризик 3. Ризик невідповідності внутрішнього контролю підприємства 4. Ризик невиявлення Література 1. Поняття ризику і правила його оцінювання Проведення аудиту завжди супроводжується певним ризиком. Немає практичного способу звести аудиторський ризик до нуля. Аудитор завжди намагається, щоб ризик неправильної думки був незначним. Тому він повинен спланувати аудит так, щоб ризик неправи
Бухгалтерский учет и аудит Работа
User ostah : 9 ноября 2012
10 руб.
Разработка технологии изготовления винта гидроусилителя
Пояснительная записка 136 листов + 8 листов А1. Содержание Введение 8 1 Анализ объекта разработки 10 1.1 Описание конструкции и служебного назначения детали 10 1.2 Характеристика материала детали 11 1.3 Технологический контроль чертежа детали и служебного назначения 12 1.4 Анализ типового технологического процесса 15 1.5 Цели и задачи дипломного проекта 16 2 Проектирование технологического процесса 17 2.1 Определение типа производства 17 2.2 Обоснование способа получения заготовки 26 2.3 Разраб
Диплом и связанное с ним Технология машиностроения ЛМCК
User Gurov : 11 ноября 2015
490 руб.
Разработка технологии изготовления винта гидроусилителя
up Наверх