Экзамен "Электроника"

Цена:
220 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 7B06B3CE-01FC-44B5-8274-79F98DF5E46B.zip [ 298 KB ]
material.view.file_icon Электроника_экзамен.doc [ 504 KB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и пока-жите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

2015 г.
Зачёт

Похожие материалы

Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
Экология и защита окружающей среды Работа Экзаменационная
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Экзамен Электроника
1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные харак
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User andreyan : 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User DEKABR1973 : 2 декабря 2017
110 руб.
Экзамен: Электроника
1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User shpion1987 : 3 октября 2011
50 руб.
Экзамен. Электроника. билет №18
1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристи
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User nasiknice : 2 декабря 2020
500 руб.
Экзамен. Электроника. билет №18
Экзамен. Электроника. Билет №19
Вопрос №1 Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. Вопрос №2 Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите переда
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User sxesxe : 15 января 2017
100 руб.
Экзамен. Электроника. Вариант №2.
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Антон133 : 6 декабря 2016
150 руб.

Другие работы

Сети радиодоступа (часть 2-я). Вариант №11
Вариант 11 Средний город ФП – 4 М=2, М=4, М=16, М=64 S(kтр) = 85% Содержание Введение 4 Глава 1. Сравнение существующих систем радиодоступа и обоснование выбора для проектируемой сети 6 Глава 2. Описание и технические характеристики аппаратуры WiMAX 10 2.1 ASN шлюзы 14 2.2 Базовая станция BreezeMAX 4Motion 16 2.3 Антенные системы 19 2.4 Абонентское оборудование 21 Глава 3. Разработка структуры проектируемой сети 23 Глава 4. Расчет зоны обслуживания с использованием модели Окамуры-Хата 30 Закл
СибГУТИ Сети радиодоступа Работа Курсовая
User IT-STUDHELP : 17 ноября 2021
1000 руб.
promo
Теория информации. Лабораторные работы №1-5 на С++
Теория информации. Лабораторные работы №1-5 на С++. Все варианты. Лабораторная работа 1 Вычисление энтропии Шеннона Цель работы: Экспериментальное изучение свойств энтропии Шеннона. Среда программирования: любая с С-подобным языком программирования. Результат: программа, тестовые примеры, отчет. Задание: 1. Для выполнения данной лабораторной работы необходимо предварительно сгенерировать два файла. Каждый файл содержит последовательность символов, количество различных символов больше 2 (3,4 ил
СибГУТИ Теория информации Работа Лабораторная
User rmn77 : 17 февраля 2019
10 руб.
Технико-экономическое обоснование проведения научно-исследовательских работ
Содержание Характеристика программного продукта с экономической точки зрения……..3 Определение трудоемкости и плановой себестоимости выполнения НИР……5 Определение научно-технической результативности выполнения НИР……..10 1. Характеристика программного продукта с экономической точки зрения. В силу всемирной компьютеризации, мультимедийные технологии стали использоваться во многих сферах деятельности человека. Вот и учебные методические материалы стали постепенно переходить из бумажной формы в цифро
Работа Экономика
User Qiwir : 2 марта 2014
5 руб.
Генезис вітчизняної політичної думки
Реферат Генезис вітчизняної політичної думки План 1. Політичні ідеї українських мислителів Київської Русі, литовсько-польської доби та козацько-гетьманської держави 2. Основні напрямки розвитку політичної думки в Україні XVIII-XIX ст. 3. Українська політична думка в XX ст. Література 1. Політичні ідеї українських мислителів Київської Русі, литовсько-польської доби та козацько-гетьманської держави У VII VIII ст. у середньому Подніпров'ї склався племінний союз полян, який став основою держави під
Разное Работа
User Aronitue9 : 14 февраля 2013
30 руб.
up Наверх