Экзамен "Электроника"

Цена:
220 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 7B06B3CE-01FC-44B5-8274-79F98DF5E46B.zip [ 298 KB ]
material.view.file_icon Электроника_экзамен.doc [ 504 KB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и пока-жите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

2015 г.
Зачёт

Похожие материалы

Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
Экология и защита окружающей среды Работа Экзаменационная
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Экзамен Электроника
1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные харак
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User andreyan : 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User DEKABR1973 : 2 декабря 2017
110 руб.
Экзамен: Электроника
1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User shpion1987 : 3 октября 2011
50 руб.
Экзамен. Электроника. билет №18
1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристи
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User nasiknice : 2 декабря 2020
500 руб.
Экзамен. Электроника. билет №18
Экзамен. Электроника. Билет №19
Вопрос №1 Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. Вопрос №2 Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите переда
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User sxesxe : 15 января 2017
100 руб.
Экзамен. Электроника. Вариант №2.
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Антон133 : 6 декабря 2016
150 руб.

Другие работы

Политика и её роль в жизни общества
Политика, её сущность и функции Взаимосвязь политики с другими сферами общественной жизни Роль политики в функционировании и развитии общества Список использованной литературы Политика, её сущность и функции. политика политология наука общество Современное понимание политики складывается в результате развития, существования и столкновения нескольких позиций или подходов. Суть первого подхода сводится к идентификации политики с феноменом власти. Чаще всего политику определяют как отношения по по
Политология Работа
User Elfa254 : 12 января 2014
10 руб.
Строительная фирма (отдел кадров строительно-монтажного предприятия)
В данном курсовом проекте в качестве предметной области рассматривается отдел кадров строительно-монтажного предприятия. База данных решает задачу учёта данных всех работников фирмы. Применяемая СУБД: Ассеss 2003. Курсовая работа с рабочей базой. Тема курсовой работы заключается в построении базы данных для строительной фирмы. Содержание: Введение. Пояснительная записка. Краткая характеристика предметной области. Создание таблиц. Разработка структуры БД. Структура и создание таблиц. Нормализа
Базы данных Работа
User evelin : 10 апреля 2015
65 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Основы построения сетей радиосвязи. Вариант 3
Содержание Задание на контрольную работу 3 Введение 4 1. Определение географических координат (широта и долгота) заданной точки приема (населенного пункта) 6 2. Выбор спутника ретранслятора и определение геометрических параметров спутниковой линии связи 6 2.1 Выбор спутника и соответствующего диапазона 6 2.2 Определение геометрических параметров спутниковой линии связи 10 3. Основы энергетического расчета 12 3.1 Особенности энергетики спутниковых линий 12 3.2 Уравнения связи для участка 13 3.3
Основы построения сетей радиосвязи. ДО СИБГУТИ Работа Контрольная
User Roma967 : 8 июля 2023
1000 руб.
promo
Контрольная работа «Основы оптической связи» Часть 1-я. Вариант №9
Задача No1. Геометрические параметры оптического волокна Имеется оптическое волокно со следующими параметрами nс – абсолютный показатель преломления сердцевины волокна, nо – абсолютный показатель преломления оболочки волокна. Определить предельный (критический) угол ( ) падения луча на границу раздела сердцевина – оболочка, числовую апертуру оптического волокна (NA), апертурный угол ( ). Значения nс, nо приведены в таблице 1. 9 1.472 1.452 Задача No2. Законы отражения и преломления света. Полно
Основы оптической связи ДО СИБГУТИ Работа Контрольная
User Hermes : 16 апреля 2021
200 руб.
up Наверх