Вариант №3. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов

Цена:
152 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 099DAA71-EEFF-4832-A001-67AD276594C9.rar [ 174 KB ]
material.view.file_icon Laboratornaya №3.docx [ 204 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Отчет о работе
2.1. Снять передаточную характеристику IC = F(U3И) (график 2.1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА) На рис. 2.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому включению ПТ с p-n переходом и каналом р-типа. К входу ПТ (затвор-исток) прикладывается управляющее напряжение UЗИ. К выходу ПТ (сток-исток) прикладывается напряжение UCИ. Ток стока измеряется миллиамперметром.

Дополнительная информация

Зачет 09.2016

Похожие материалы

«Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов»
1. Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2. Подготовка к работе 2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ. 2.1.3. Статические характеристики. 2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Отчет по лабораторной работе No3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). Ход выполнения работы Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа Схема для снятия статической передаточной вольтамперной характеристики полевого транзистора приведена на рис.1. Устанавливаем постоянное напряжение UСИ=10В. Плавно изменяя напряже
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User RomIN : 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
1. Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). В работе снимаются передаточные и выходные характеристики. 2. Подготовка к работе Изучить следующие вопросы курса: 1.Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур. 2.Схемы включения ПТ. 3.Статические характеристики. 4.Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User sibgutimts : 12 мая 2010
50 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). . Отчет о работе 2.1. Снять передаточную характеристику IC = F(U3И) (график 2.1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА) На рис. 2.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому включению ПТ с
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 14 сентября 2016
173 руб.
Вариант №4. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Отчет по работе №3 "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов" 2. Отчет о работе 2.1. Снять передаточную характеристику IC = F(U3И) (график 2.1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА) На рис. 2.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 24 мая 2016
70 руб.
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.
Лабораторная работа №3 "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 3 Оценка:Зачет Дата оценки: 10.02.2018 Рецензия:Уважаемый замечаний нет.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Shamanss : 11 февраля 2018
200 руб.
Лабораторная работа №3 "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
Отчет по работе №3 "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 1. Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2. Отчет о работе 2.1. Снять передаточную характеристику IC = F(U3И) (график 2.1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА) На рис. 2.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого тр
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User lebed-e-va : 30 марта 2015
80 руб.

Другие работы

Лабораторная работа №1 по дисциплине: Основы организационно-правового обеспечения информационной безопасности сетей и систем. Вариант №1
Лабораторная работа №1 Тема: «Получение навыков работы с справочно-поисковой системой Консультант Плюс» 1. Цель работы: Ознакомиться и получить практические навыки работы со справочной правовой системой на примере «Консультант Плюс» (далее Система). 2. Индивидуальное задание Таблица 1 – Задание на выполнение № задания: 1 Задание: найти/определить по поиску: Найти ФЗ-152 3. Выполнение работы 4. Выполнение индивидуального задания 5. Выводы Список литературы
Основы информационной безопасности ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная
User Учеба "Под ключ" : 12 сентября 2017
500 руб.
Зачет по дисциплине: Пакетные радиосети.
Bluetooth 1) какие фирмы входили в консорциум по разработке Bluetooth? а) IBM, Nokia, Intel и Toshiba. б) Nokia, Intel и Toshiba. в) Nokia, Samsung и Google. 2) Какой частотный диапазон использует технология Bluetooth? а) 2,4÷2,6835ГГц. б) 2,4÷2,4835ГГц. в) 1,4÷1,8ГГц. Г) 5÷6ГГц. 3) Технология Bluetooth использует кодирование сигнала... а) QPSK б) BPSK в)GFSK 4) Какое количество каналов поддерживает технология Bluetooth? а)45 радиоканалов по 0.5МГц каждый. б) 68 радиоканалов по 1 МГц
СибГУТИ Радиотехника и радиосвязь Работа Зачетная
User DreaMaster : 16 января 2016
95 руб.
Принципиальная схема сушильной части БДМ чертеж в компасе
Чертеж принципиальная схемы сушильной части БДМ в компасе 16 + дополнительно сохранён в джпг Файлы компаса можно просматривать и сохранять в нужный формат бесплатной программой КОМПАС-3D Viewer.
Чертежи Литейное производство
User Laguz : 27 марта 2025
250 руб.
Принципиальная схема сушильной части БДМ чертеж в компасе
Методологические основы дошкольного воспитания.
Вот основные позиции методической схемы подготовки проблемного доклада: 1. Сначала выявляются предпосылки поставленного Вами вопроса. 2. Потом анализируется необходимость самой постановки вопроса. 3. Далее определяются возможные способы его разрешения. 4. Дается краткий (только в необходимых моментах) анализ пози-ций, известных в истории науки по решению предложенного вопроса. 5. Предлагается собственный резюмирующий комментарий по всем позициям своей работы (рефлексия). Когда исчерпывается ваша
Задачи Педагогика
User studypro3 : 28 ноября 2018
500 руб.
up Наверх