Контрольная работа. ФОЭ. Вариант №1
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
2 КП 903 А 18 8
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
2 КП 903 А 18 8
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 24.12.2015
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 24.12.2015
Похожие материалы
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Приложены файлы для построения графиков
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗА
40 руб.
Контрольная работа. ФОЭ
IT
: 12 марта 2015
Задача No 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА.
Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявит
100 руб.
Контрольная работа ФОЭ. Вариант 02.
Антон133
: 3 апреля 2016
1. Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) р
200 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант № 9
xtrail
: 20 марта 2013
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
160 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №0
ДО Сибгути
: 26 января 2013
4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант
Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1.
Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частотыН21/ h21=F(f) для различных схем
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
azatmar
: 22 января 2012
Специальность ФТОС
Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами:
Тип полупроводника n-тип Ge
Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см
Подвижность электронов μn = 1800 см2/(В*с)
Подвижностьм дырок μр = 140 см2/(В*с)
Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3
Концентрация основных носителей тока nn = ?
Концентрация неосновных носителей тока pn = ?
1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3
Энергия
250 руб.
ФОЭ. 3семестр. Контрольная работа. Вариант №14
58197
: 26 марта 2013
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Вариант: No14
Задача 1.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока к
45 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 4-й вариант
Aronitue9
: 8 марта 2012
4 задачи.
1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант
доц. Савиных В. Л.
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой
20 руб.
Другие работы
Судебно-медицинская экспертиза живых лиц
alfFRED
: 6 июля 2013
План:
Поводы и порядок назначения и проведения судебно-медицинской экспертизы живых лиц
Определение степени тяжести телесных повреждений
Судебно-медицинская экспертиза состояния здоровья
Судебно-медицинское установление возраста
Судебно-медицинская экспертиза половых состояний
Судебно-медицинская экспертиза при половых преступлениях
Список литературы.
1. Поводы и порядок назначения и проведения судебно-медицинской экспертизы живых лиц.
Поводы для назначения судебно-медицинской экспертизы живы
5 руб.
Работа с объектами большого объема в MS SQL и ADO
evelin
: 30 сентября 2013
Введение
Эта статья появилась на свет только благодаря вашим не перестающим появляться вопросам типа: «Кто-нибудь может привести пример кода для работы с полями базы, содержащими картинки…используя ADO и Visual C++…», и тому, что мне лень на них отвечать.
Работа в MS SQL
Давайте сначала разберемся, как работать с большими объектами (LOB – large objects) на уровне базы данных. MS SQL Server поддерживает следующие типы больших объектов:
image – содержит бинарные данные переменной длины. Длина н
10 руб.
Физические основы электроники. Билет 10. 2 курс, 4 семестр
Alexandr1305
: 10 июня 2020
Билет № 10
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
50 руб.
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. Губкина Гидродинамика Задача 1 Вариант 1
Z24
: 6 декабря 2025
Насос подает жидкость из подземной ёмкости с избыточным давлением газа на поверхности жидкости. На всасывающей линии (длина l, диаметр d, трубы сварные, бывшие в эксплуатации) имеются местные сопротивления: приёмная коробка с клапаном и сеткой, колено и кран с коэффициентом сопротивления ξкр. Показание вакуумметра на входе в насос равно рv, расход жидкости Q, температура t°C.
Определить рабочую высоту всасывания насоса hвс и предельную высоту из условия отсутствия кавитации на входе в насос.
200 руб.