Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические Основы Электроники
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
20.11.2016
-
Размер:
134 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
ZhmurovaUlia
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная работа №1.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа №1
По дисциплине: Физические Основы Электроники
По дисциплине: Физические Основы Электроники
Дополнительная информация
Оценка: "Зачет"
Похожие материалы
Лабораторная работа №1 по дисциплине: "Физические основы электроники"
wowan1190
: 3 декабря 2013
Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
wowan1190
: 3 декабря 2013
70 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №06
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
Лабораторная работа 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Работа выполняется в лаборатории с удаленным доступом.
1 Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 Подготовка к работе
3 Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
100 руб.
Лабораторная работа №1. По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
Колька
: 1 марта 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИСТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ.
1. Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Обратное включение.
Рис. 3. Схема обратного включения
Таблица 2
Uобр, В
Iобр, мкА
Для определения дифференциального сопротивления диода при обратном включении на рисунке
3. Исследование стабилитрона Д814А
На Рис. * приведена схема
Колька
: 1 марта 2017
50 руб.
Лабораторная работа № 1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант № 5
sec1or
: 15 мая 2012
Лабораторная работа №1
по дисциплине: Физические основы электроники
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выводы по работе
В ходе проведенной работы мною изучены схемы для получения вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, на экспериментальной установке получены графики этих характеристик. По полученным графикам рассчитаны дифференциальные с
sec1or
: 15 мая 2012
200 руб.
Лабораторные работы № № 1-2 по дисциплине: Физические основы электроники
JuliaRass
: 23 января 2013
Лаб. работа №1.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включен
JuliaRass
: 23 января 2013
150 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
erboollat
: 21 июня 2020
130 руб.
Другие работы
Тепломассообмен ТГАСУ 2017 Задача 5 Вариант 82
Z24
: 4 февраля 2026
Определение плотности лучистого теплового потока между двумя параллельным плоскими стенками
Определить плотность лучистого теплового потока между двумя, параллельно расположенными, плоскими стенками, имеющими температуры t1, ºС и t2, ºС, а степени черноты поверхностей соответственно равны ε1 и ε2. Как изменится интенсивность теплообмена при наличии между стенками экрана, со степенями черноты с обеих сторон εэк = 0,025. Условия теплообмена считать стационарными. Теплопроводностью и конвектив
Z24
: 4 февраля 2026
250 руб.
Внешнеэкономическая деятельность Мордовии
Qiwir
: 28 октября 2013
Республика Мордовия – сравнительно небольшой субъект Российской Федерации. По территории (26,2 тыс. кв. км) и численности населения (950 тыс. чел.) она находится в последнем десятке российских регионов, однако плотность населения (34,5 чел. на 1 кв. км) здесь одна их самых высоких в России. Мордовия – республика многонациональная (основные этносы: русские, мордва—эрзя и мокша, татары). Конфликтов на национальной почве нет.
Республика расположена в основании треугольника Москва – Нижний Новгород
Qiwir
: 28 октября 2013
10 руб.
Лаборатоная работа №1 по дисциплине: Основы администрирования сетевых устройств. Вариант 4
xtrail
: 1 января 2025
*** Каждая лабораторная состоит из отчета (docx) и файла с работающей сетью (pkt) ***
Лабораторная работа №1
«Администрирование простейшей сети»
Цель работы: Изучение процесса настроек сетевых интерфейсов при построении простейшей компьютерной сети.
Выполнение лабораторной работы
После того как все пункты выполнены добавьте 1 + последняя цифра вашего пароля (4) компьютеров (PC-PT) таким образом, чтобы все устройства находились в одной локальной сети и могли обмениваться пакетами.
Вывод
Лаб
xtrail
: 1 января 2025
900 руб.
Человеко-машинное взаимодействие. Контрольная работа №2. Вариант №3
wchg
: 28 августа 2013
5.1. По результатам CWT и GOMS анализа доработайте интерфейс программы, разрабатываемой в соответствии с заданием по главе 2, и выполните этап создания макета или прототипа. Проведите анализ соответствия вашей программы правилам Нильсена–Молиха.
5.2. Опишите, как принципы организации графического интерфейса учтены (или не учтены) вами в программе по курсу "Основы визуального программирования".
wchg
: 28 августа 2013
149 руб.
