Физические основы электроники.Лабораторная работа 1,2,3. Вариант 13.
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
25.11.2016
-
Размер:
2 MB
-
Закачек:
33
-
Добавил:
Mental03
Написать сообщение
Войти и скачать
Состав работы
|
Лабораторная1.doc
|
|
Лабораторная2.doc
|
|
Лабораторная3.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 1,2,3 по дисциплине Физические основы электроники . Вариант 13.
Лабораторная работа 1.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа 2.
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа 3.
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цель работы:
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Лабораторная работа 1.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа 2.
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа 3.
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цель работы:
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Дополнительная информация
Семестр: 4
Вариант: 13
Год сдачи: 2016
Оценка: зачет
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Вариант: 13
Год сдачи: 2016
Оценка: зачет
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
sprut89
: 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ANNA
: 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
Mercuryman
: 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
alru
: 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
merzavec
: 8 декабря 2014
50 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
donkirik
: 19 июня 2014
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
parovozz
: 23 декабря 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
maromash
: 30 марта 2013
Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
maromash
: 30 марта 2013
350 руб.
Другие работы
Экзаменационная работа Социальные и этические вопросы информационных технологий
Despite
: 8 мая 2015
Определения приватности и причины возникновения проблем информационной и коммуникативной приватности.
1.1. Определения приватности
1.2. Причины возникновения проблем информационной и коммуникационной приватности.
Despite
: 8 мая 2015
100 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Сети связи и системы коммутации. Вариант №33
IT-STUDHELP
: 2 июля 2023
Контрольная работа
Вариант No33
Исходные данные:
Таблица 1
No варианта ОС1 ОС2 ОС3 ОС4 ОС5 авых.КП
(Эрл) Мульти-
плексор
13 25000 29000 17800 20000 12000 0,036 А
Таблица 2
No варианта ОС1 ОС2 ОС3 ОС4 ОС5 АМТС
X Y X Y X Y X Y X Y X Y
13 3 6 2 1 4 0 6 4 8 1 3 4
Для варианта с нечетным номером:
х = y = 5км.
Задача 1.
Рассчитать межстанционную нагрузку на ГТС по исходным данным из таблицы 1.
Задача 2.
Рассчитать емкость пучков соединительных линий на участках межстанционной связи. Расчет пров
IT-STUDHELP
: 2 июля 2023
800 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Информатика. Вариант 11
SibGOODy
: 8 августа 2023
Лабораторная работа №3
ТИПОВЫЕ и БЕСТИПОВЫЕ ПОДПРОГРАММЫ - ФУНКЦИИ
Задание
В соответствии с индивидуальным заданием, номер которого совпадает с двумя последними цифрами вашего пароля, разработать алгоритмы и программу на языке Си с использованием разработанных автором функций.
Вариант №11
1. Для каждого пункта задания написать подпрограмму-функцию
- сформировать матрицу А(NхN);
-вывести на экран значения матрицы, расположив каждую строку матрицы на строку экрана;
- найти в матрице сумму эл
SibGOODy
: 8 августа 2023
400 руб.
Технологическая схема НПС Лисичанск-Чертеж-Оборудование транспорта нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 17 мая 2016
Технологическая схема НПС Лисичанск-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование транспорта нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 17 мая 2016
200 руб.
