Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
75 Физические основы электроники. Лабораторная работа №1ID: 182107Дата закачки: 08 Июля 2017 Продавец: Mercuryman (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Лабораторная Сдано в учебном заведении: СибГУТИ Описание: 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов. 2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов. 2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение. 2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы: 2.2.1 Что такое собственная и примесная проводимость полупроводника? 2.2.2 Объяснить образование электронно-дырочного перехода. 2.2.3 Что такое контактная разность потенциалов? Как она образуется? 2.2.4 Чем определяется толщина p-n перехода? 2.2.5 Нарисовать потенциальные диаграммы p-n перехода при отсутствии внешнего напряжения, и при включении его в прямом и обратном направлениях? 2.2.6 Рассказать о прохождении токов через p-n переход: при отсутствии внешнего напряжения, при прямом включении и при обратном включении. 2.2.7 Сравнить теоретическую и реальную вольтамперную характеристики p-n перехода, указать участки, которые соответствуют состоянию электрического и теплового пробоя. 2.2.8 Сравнить вольтамперные характеристики p-n переходов, изготовленных из G e, Si. 2.2.9 Что такое барьерная и диффузионная емкости p-n перехода? Дать определение. 2.2.10 Нарисовать и объяснить вольтамперные характеристики p-n перехода для различных значений температуры. Комментарии: Уважаемый слушатель, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 15.12.2016 Размер файла: 122,7 Кбайт Фаил: (.rar)
Скачано: 1 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторные работы №№1, 2, 3. (Физические основы электроники) Для любого варианта.Лабораторные работы №1, №2, №3 по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр) Лабораторные работы (3шт) по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр). Вариант 3 Лабораторные работы (3шт) по дисциплине: Физические основы электроники. (3-й семестр) Лабораторная работа №3 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов" (ВСЕ варианты) Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники. (Для всех вариантов) Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Физические основы электроники / Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Вход в аккаунт: