3 семестр ДО. «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ». Зачетная работа. В3. Билет 8
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Зачетная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
21.02.2019
-
Размер:
183 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
Мария60
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ФОЭ Филипова Б8.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Билет № 8
1. Характеристики ПП диодов из германия и кремния. Влияние температуры .
2. Основные режимы работы БТ и схемы включения.
Немного из работы.
Вопрос 1
Характеристики ПП диодов из германия и кремния. Влияние температуры.
Диод - это электропреобразовательный полупроводниковый прибор (ПП) с одним электрическим переходом и двумя выводами.
Вопрос 2
Основные режимы работы БТ и схемы включения.
Режим работы БТ определяют по состоянию эмиттерного (БЭ) и коллекторного (БК) переходов (открыты или закрыты). Поскольку переходов два и состояний тоже два, то различают четыре режима работы, которые представлены в таблице 2.1.
Список использованных источников
1 Электронный конспект лекций, – Новосибирск: «СибГУТИ», 2016.
2 Игнатов А.Н., Фадеева Н.Е. Разработка интегрального устройства: методические указания к курсовому проектированию.
1. Характеристики ПП диодов из германия и кремния. Влияние температуры .
2. Основные режимы работы БТ и схемы включения.
Немного из работы.
Вопрос 1
Характеристики ПП диодов из германия и кремния. Влияние температуры.
Диод - это электропреобразовательный полупроводниковый прибор (ПП) с одним электрическим переходом и двумя выводами.
Вопрос 2
Основные режимы работы БТ и схемы включения.
Режим работы БТ определяют по состоянию эмиттерного (БЭ) и коллекторного (БК) переходов (открыты или закрыты). Поскольку переходов два и состояний тоже два, то различают четыре режима работы, которые представлены в таблице 2.1.
Список использованных источников
1 Электронный конспект лекций, – Новосибирск: «СибГУТИ», 2016.
2 Игнатов А.Н., Фадеева Н.Е. Разработка интегрального устройства: методические указания к курсовому проектированию.
Похожие материалы
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №8
SibGOODy
: 23 августа 2024
Билет № 8
1. Характеристики ПП диодов из германия и кремния. Влияние температуры.
2. Основные режимы работы БТ и схемы включения.
SibGOODy
: 23 августа 2024
300 руб.
Физические основы электроники. Билет №8
ANNA
: 18 февраля 2019
1. Характеристики ПП диодов из германия и кремния. Влияние температуры
2. Основные режимы работы БТ и схемы включения
ANNA
: 18 февраля 2019
110 руб.
Зачетная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
te86
: 9 сентября 2012
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ
и рабочую область
Полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем называются полевые транзисторы
Полевой транзистор содержит три полупроводниковые области ...
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
Расчет усилителей на транзисторах включает следующие основные этапы:
1. Выбор транзистора и элем
te86
: 9 сентября 2012
80 руб.
Зачетная работа. Физические основы электроники. 3-й семестр. Билет № 17
SybNet
: 22 сентября 2012
Зачетная работа Физические основы электроники, 3 семестр, билет №17
Дистанционное обучение СибГУТИ
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
SybNet
: 22 сентября 2012
100 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. 3-й семестр. Билет №12
58197
: 22 сентября 2013
Билет № 12
1. Стабилитрон. ВАХ. Основные параметры. Применение. Схема включения.
Стабилитрон - это полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения.
Напряжение стабилизации - значение напряжения на стабилитроне при прохождении заданного тока стабилизации.
Температурный коэффициент напряжения стабилизации - величина, определяемая отношением относительного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации.
2. Зависимость Н-параметров БТ от частоты.
В си
58197
: 22 сентября 2013
60 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет № 17 (3-й семестр)
Jack
: 30 марта 2013
Билет № 17
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
Jack
: 30 марта 2013
150 руб.
Физические основы электроники. Зачетная работа. Билет № 6
ElenaA
: 6 марта 2016
1. Отличия ВАХ диодов из германия и кремния
2. Устройство и принцип работы ПТ с управляющим p-n переходом. Схемы включения. Характеристики
ElenaA
: 6 марта 2016
100 руб.
Зачетная работа по физическим основам электроники. Билет № 9
rambox360
: 23 февраля 2016
1.
Выпрямительными обычно называют диоды, предназначенные для преобразования переменного напряжения промышленной частоты (50 или 400 Гц) в постоянное. Основой диода является обычный p-n переход. В практических случаях p-n переход диода имеет достаточную площадь для того, чтобы обеспечить большой прямой ток. Для получения больших обратных (пробивных) напряжений диод обычно выполняется из высокоомного материала.
2.
Для схемы включения с ОБ.
Выражение для идеализированной выходной характеристики
rambox360
: 23 февраля 2016
100 руб.
Другие работы
Основні теорії походження держави і права
ostah
: 10 сентября 2013
Вступ.
Вивчення процесу походження держави і права має не тільки академічний, але і практичних характер. Воно дозволяє глибше осягнути соціальну природу держави і права, їх особливості і риси, дає можливість проаналізувати причини і умови їх виникнення і розвитку.
Питання про походження або виникнення держави можна розглядати з двох позицій. По-перше, яким чином в умовах родового суспільства зародилась держава? По-друге, яким чином в останні століття і в сучасний період виникають нові держави?
ostah
: 10 сентября 2013
45 руб.
Корпус в сборе. Задание 10
lepris
: 26 мая 2022
Корпус в сборе. Задание 10
Сборочная единица "Корпус в сборе" содержит четыре детали. В пазы основания 1 вкладывается пластина 4. Корпус 2 устанавливается на ф86 основания и зажимает пластину. Крышка 3 закрывает отверстие в корпусе и соединяется с ним четырьмя винтами 5 М8х25 ГОСТ 17475-80.
Требуется:
а) Выполнить сборочный чертеж узла на формате А3 в масштабе 1:1.
Чертеж должен содержать главный вид с разрезом и вид слева с местным разрезом (показать форму пластины 4).
б) Составить специфика
lepris
: 26 мая 2022
250 руб.
Курсовой проект по дисциплине: Космические и наземные системы радиосвязи. Вариант 20
Учеба "Под ключ"
: 7 октября 2022
«Проект цифровой радиорелейной линии»
Содержание
Введение 3
Исходные данные для проектирования 4
1. Разработка структурной схемы ЦРРЛ 5
2. Выбор радиотехнического оборудования (типа ЦРРС) 6
3. Разработка схемы организации связи 6
4. Расчет устойчивости связи на ЦРРЛ 9
4.1 Построение профиля пролета 9
4.2 Расчет величины просвета H(0) 9
4.3 Расчет минимально-допустимого множителя ослабления 11
4.4 Расчет устойчивости связи на пролете при одинарном приеме 11
5. Расчет диаграммы уровней на пролет
Учеба "Под ключ"
: 7 октября 2022
1500 руб.
Разработка средств технологического оснащения для изготовления детали "Корпус"
Рики-Тики-Та
: 13 марта 2012
Содержание
Веление...................................................................................2
1. Технологическая часть...............................................................2
1.1 Назначение и конструкция детали.................................................3
1.2 Анализ технологичности конструкции детали..................................5
1.3 Определение типа производства...................................................10
1.4 Расчет количества деталей в партии.......
Рики-Тики-Та
: 13 марта 2012
550 руб.
