Зачет по предмету: Физические основы электроники. Билет №4, 4-й семестр
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Зачетная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
12.04.2019
-
Размер:
288 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
Andreas74
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Зачет.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Билет № 4
1. Прямое и обратное включение p-n перехода. Физические процессы. Потенциальные диаграммы. Толщина p-n перехода.
2. Рабочая область выходных характеристик БТ. Влияние температуры на рабочую область характеристик.
1. Прямое и обратное включение p-n перехода. Физические процессы. Потенциальные диаграммы. Толщина p-n перехода.
2. Рабочая область выходных характеристик БТ. Влияние температуры на рабочую область характеристик.
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Зачет
Оценка: Зачет
Дата оценки: 12.04.2019
Рецензия: Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Зачет
Оценка: Зачет
Дата оценки: 12.04.2019
Рецензия: Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Зачёт по предмету «Физические основы электроники». Билет №1
te86
: 17 мая 2013
1. Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность.
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
Схема исследования характеристик БТ структуры p-n-p с общей базой.
te86
: 17 мая 2013
60 руб.
Физические основы электроники экзамен билет 4
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники экзамен билет 4
Антон28
: 8 августа 2025
500 руб.
Зачёт по предмету «Физические основы электроники». Билет №1, 3-й сем.
astor
: 4 февраля 2015
Билет № 1.
1. Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность.
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
astor
: 4 февраля 2015
50 руб.
Физические основы электроники. 4-й вариант. 3-й семестр
kolganov91
: 3 сентября 2014
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
kolganov91
: 3 сентября 2014
85 руб.
Зачет по дисциплине: "Физические основы электроники". Билет №4
wowan1190
: 3 декабря 2013
1.Прямое и обратное включение p-n перехода. Физические процессы. Потенциальные диаграммы. Толщина p-n перехода.
2. Рабочая область выходных характеристик БТ. Влияние температуры на рабочую область характеристик.
wowan1190
: 3 декабря 2013
70 руб.
Зачет по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №4
Amor
: 19 октября 2013
Билет № 4
1. Прямое и обратное включение p-n перехода. Физические процессы. Потенциальные диаграммы. Толщина p-n перехода.
2. Рабочая область выходных характеристик БТ. Влияние температуры на рабочую область характеристик.
Amor
: 19 октября 2013
230 руб.
ЭКЗАМЕН Физические Основы Электроники, БИЛЕТ №10, 2-й семестр
xadmin
: 24 октября 2017
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. ОПРЕДЕЛЕНИЕ h - ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
xadmin
: 24 октября 2017
50 руб.
Физические основы электроники. 2-й семестр. Экзамен. Билет № 13
Ирина16
: 7 мая 2017
Билет № 13
1. Варикап. Принцип работы. Вольт - фарадная характеристика. Параметры. Схема включения.
2. Методы улучшения частотных свойств БТ. Дрейфовый транзистор.
Ирина16
: 7 мая 2017
70 руб.
Другие работы
Основы гидравлики и теплотехники МИИТ Задача 1.1 Вариант 9
Z24
: 15 октября 2025
Для приема дополнительного объема воды, получающегося в процессе ее расширения при нагревании, к системе водяного отопления в верхней ее точке присоединяют расширительные резервуары, сообщающиеся с атмосферой.
Определить необходимый объем расширительного резервуара при нагревании воды от 10 до 90 ºС.
Коэффициент температурного расширения воды принять равным βt=0,00045 1/ºC. Объем воды в системе W=1,0 м³.
Z24
: 15 октября 2025
120 руб.
Организация планирования на производстве
wchg
: 8 августа 2013
Тесты по курсу «Организация и планирование производства»
1. В системе сетевого планирования и управления используются:
А. Экономико – математические модели
В. Динамические модели
С. Экономико – графические модели
2. На сетевых графиках сплошными стрелками обозначаются:
А. Действительные работы
В. Фиктивные работы
С. Ожидания
и.т.д.
wchg
: 8 августа 2013
79 руб.
Тепломассообмен ТГАСУ 2017 Задача 6 Вариант 51
Z24
: 4 февраля 2026
Определение поверхности нагрева рекуперативного воздушного теплообменника
Определить поверхность нагрева стального рекуперативного воздушного теплообменника (толщина стенок δст = 3 мм) при прямоточной и противоточной схемах движения теплоносителей, если объемный расход воздуха при нормальных условиях Qвозд, средний коэффициент теплоотдачи от воздуха к поверхности нагрева α1, от поверхности нагрева к воде α2, Вт/(м⸱°С), начальные и конечные температуры воздуха и воды соответственно равны t’1,
Z24
: 4 февраля 2026
350 руб.
ЭКЗАМЕН по дисциплине: «Программное обеспечение цифровых систем коммутации». Билет 15.
teacher-sib
: 25 ноября 2016
1. Взаимодействия программ ПСК1 и ПСК2.
2. Назначение и структура систем программ технического обслуживания (СПТО)
3. Задача: Изобразить КП если оно имеет следующие параметры nа=5, ma=3, ka=4, mв=4. На выходе КП включены комплекты приема номера Nткпн=6, Nдкпн=6.
ДКПН включены в выходы: 1, 3, 5, 7, 9, 11.
ТКПН включены в выходы: 2, 4, 6, 8, 10, 12.
Заданы массивы состояния ПЛ и выходов в КП.
ТП МС ПЛ МС вых.
ДДТТД 01
teacher-sib
: 25 ноября 2016
100 руб.
