Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная работа №1.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Физические основы электроники. Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Все варианты.

1 . Цель работы

Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

2. Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса:

2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:

2.2.1 Что такое собственная и примесная проводимость полупроводника?
2.2.2 Объяснить образование электронно-дырочного перехода.
2.2.3 Что такое контактная разность потенциалов? Как она образуется?
2.2.4 Чем определяется толщина p-n перехода?
2.2.5 Нарисовать потенциальные диаграммы p-n перехода при отсутствии внешнего напряжения, и при включении его в прямом и обратном направлениях?
2.2.6 Рассказать о прохождении токов через p-n переход: при отсутствии внешнего напряжения, при прямом включении и при обратном включении.
2.2.7 Сравнить теоретическую и реальную вольтамперную характеристики p-n перехода, указать участки, которые соответствуют состоянию электрического и теплового пробоя.
2.2.8 Сравнить вольтамперные характеристики p-n переходов, изготовленных из G e, Si.
2.2.9 Что такое барьерная и диффузионная емкости p-n перехода? Дать определение.
2.2.10 Нарисовать и объяснить вольтамперные характеристики p-n перехода для различных значений температуры.

2.2.11 Перечислить основные параметры полупроводниковых диодов (номинальные и предельные).
2.2.12 Дать определение дифференциальных параметров и пояснить их физический смысл.
2.2.13 Объяснить принцип действия, особенности устройства и применения полупроводниковых диодов различных типов: выпрямительных, высокочастотных, импульсных, стабилитронов, варикапов. Указать их основные параметры.
2.2.14 Нарисовать условные обозначения выпрямительных диодов, стабилитронов, варикапов и схемы, в которых используются эти приборы.
2.2.15 Какими способами можно увеличить допустимую мощность, рассеиваемую диодом?
Литература

1. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники, - СибГУТИ, Новосибирск, 2005, стр. 119-121.
2. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. /Под редакцией Федорова Н.Д. -М: Радио и связь, 1998. Стр. 11-66.
3. Электронные приборы. /Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 12-43, 54-88, 97-129.
4. Батушев В.А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр. 29-85.
5. Савиных В.Л. Физические основы электроники. – Сиб ГУТИ, Новосибирск, 2002. Электронная версия.
6. Справочники по полупроводниковым диодам.

3 . Схемы исследования

На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.

При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.

Для исследования характеристики стабилитрона используется схема, приведенная на рисунке 1.3.

На рисунке 1.4 приведена схема для исследования однополупериодного выпрямителя. Используется германиевый диод.

Рисунок 1.1



Рисунок 1.2



Рисунок 1.3



Рисунок 1.4

4. Порядок проведения лабораторной работы

4.1 Для снятия вольтамперных характеристик диодов при прямом включении вывести на экран дисплея схему (рисунок 1.1). Для этого выбрать “Лабораторная работа №1”. Затем “Прямое включение” и “Начать эксперимент”.

4.2 Последовательно снять вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов IПР=f(UПР) Для этого подвести курсор к тумблеру с обозначением диода и выбрать один из диодов, например, Д7Ж.

4.3 Подвести курсор на ручку “Напряжение” и вращая ручку по часовой стрелке снять ВАХ. Характеристика вырисовывается на экране осциллографа.

Заполнить таблицу 1.1а.

Примечание. При быстром изменении напряжения на диоде характеристика может получиться не монотонной. Для повторного исследования осуществить очистку экрана осциллографа и произвести повторное исследование.

Таблица 1.1а - Диод D7Ж

UПР, В

               
IПР, мА

0

1

2

3

4

5

6

7

8

4.4 Провести исследование второго диода. Переключить тумблер на другой тип диода. Осуществить сброс приборов в нулевое положение и снять ВАХ. Заполнить таблицу 1.1б.

Таблица 1.1б - Диод D220

UПР, В

               
IПР, мА

0

1

2

3

4

5

6

7

8

Прекратить эксперимент.

4.5 Определить, какой из диодов выполнен из германия, какой из кремния.

4.6 Исследовать вольтамперную характеристику диода при обратном включении (рисунок 1.2.).

Таблица 1.2а - Диод D7Ж

UОБР, В

0

-1

-2

-3

-4

-5

IОБР, мкА

         
4.7 Провести исследование стабилитрона Д814А.

Таблица 1.2в- Стабилитрон Д 814А.

UСТ, В

               
IСТ, мА

               
4.8 Исследовать однополупериодный выпрямитель (рисунок 1.4).

Зарисовать осциллограммы напряжения генератора на входе и напряжения на нагрузке при двух различных значениях переменного напряжения 2 и 8 вольт.

5 Указания к составлению отчета

5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов. Результаты занести в таблицу 1.4.
5.5 На графике №2 привести вольтамперную характеристику диода Д7Ж при обратном включении. По графику определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления диода при напряжении 3 В.
5.6 На графике №3 привести ВАХ стабилитрона IСТ=f(UСТ).
5.7 Привести осциллограммы, полученные при исследовании выпрямителя (сигнал на входе и на выходе). Осциллограммы располагать одна под другой без сдвига по времени.
5.8 Сделать выводы по проделанной работе.

Таблица 1.4

Диод

RПР=

RПР ДИФ

RОБР=

RОБР ДИФ

Д7А

     
Д220

   
-

-

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка: Зачет
Дата оценки: 16.05.2019
Рецензия: Уважаемый ................................,

Савиных Валерий Леонидович
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр) б) Определение типа материала диода. в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. г) Исследовани
User mirsan : 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
User lev12345678 : 17 марта 2013
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследовани
User ДО Сибгути : 26 января 2013
150 руб.
promo
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User Art55555 : 6 августа 2009
100 руб.
СибГУТИ. Физические основы электроники. Лабораторная Работа 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов. Вариант общий.
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Указания к составлению отчета 5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов. 5.2 Привести таблицы с результатами измерений. 5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения. 5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифферен
User seka : 14 сентября 2018
45 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". (Для всех вариантов)
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе Iпр=4мА. 2. Обратное включение. 2.1. Снятие вольтамперной характеристики диода Д
User Roma967 : 29 мая 2015
300 руб.
promo
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
User aleks797 : 17 декабря 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Бруй Л.П. Техническая термодинамика ТОГУ Задача 6 Вариант 96
Определение скорости истечения водяного пара из сопловых устройств Определить теоретическую скорость истечения водяного пара из суживающегося сопла и из сопла Лаваля. Начальные давление и температура пара: p1 и t1 (табл. 8). Давление среды, в которую происходит истечение пара, p2 (табл. 8). К решению задачи приложить изображения адиабатных процессов истечения пара из сопловых устройств в диаграмме h-s. Дать эскизы профилей суживающегося сопла и сопла Лаваля. Ответить в письменном виде
User Z24 : 14 января 2026
250 руб.
Бруй Л.П. Техническая термодинамика ТОГУ Задача 6 Вариант 96
Безотходная очистка гальваностоков
В настоящее время наиболее эффективными способами очистки гальваностоков являются сорбционно-ионообменные. Однако широкого промышленного применения они не нашли из-за высокой стоимости сорбентов и необходимости их регенерации. В то же время исследования последних лет показывают, что дорогие синтетические сорбенты могут быть заменены более дешевыми природными материалами или отходами производства, например осадками сточных вод (СВ). ОЧИСТКА ГАЛЬВАНОСТОКОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОТХОДОВ ПРОИЗВОДСТВА Ос
User DocentMark : 17 марта 2013
Превентор универсальный ПУГ 230 - 70-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Превентор универсальный ПУГ 230 - 70-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
500 руб.
Превентор универсальный ПУГ 230 - 70-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Визуальное программирование и человеко-машинное взаимодействие (часть 2). Вариант 4
Задание лабораторной работы 1. Проведите анализ соответствия программы (по вариантам) правилам Нильсена–Молиха. Опишите обоснование по каждому из пунктов правил. 2. Опишите, как принципы организации графического интерфейса учтены (или не учтены) в данной программе. Вариант 4: «Счастливый билет»
User Учеба "Под ключ" : 24 декабря 2024
500 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Визуальное программирование и человеко-машинное взаимодействие (часть 2). Вариант 4 promo
up Наверх