Куасовая работа По дисциплине: Физические основы электроники Вариант №1
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Курсовая, Физические основы электроники
-
Добавлен:
22.10.2019
-
Размер:
843 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
opa154
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
курсовая работа физические основы электроники.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, в полученной задаче1 Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, в полученной задаче1 Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
Дополнительная информация
Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Курсовая работа
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 22.06.2019
Рецензия:Уважаемый С С, есть замечание к задаче ?3. Для схемы с ОЭ надо было рассчитать АЧХ для частот ниже 1 МГц.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Курсовая работа
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 22.06.2019
Рецензия:Уважаемый С С, есть замечание к задаче ?3. Для схемы с ОЭ надо было рассчитать АЧХ для частот ниже 1 МГц.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №1
SibGOODy
: 28 августа 2018
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по
SibGOODy
: 28 августа 2018
700 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №1
Andrev111111
: 17 марта 2013
Задача No1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложения 2)
включённого по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя
графоаналитическим методом.
Дано: транзистор KT603A, напряжения питания Ek = 50В, сопротивления нагрузки RH = 1000 Ом,
постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ = 150мкА.
Задача No2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точ
Andrev111111
: 17 марта 2013
80 руб.
Физические основы электроники контрольная 1 вариант
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники контрольная 1 вариант
Антон28
: 8 августа 2025
300 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №1
Gila
: 17 января 2019
1. Транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
2. Находим h - параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
3.Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэ
Gila
: 17 января 2019
190 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №1
007lena007
: 20 февраля 2017
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
007lena007
: 20 февраля 2017
79 руб.
Контрольная работа. Вариант №1. Физические основы электроники
Teuserer
: 24 декабря 2015
Задача №1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего режима) коэффициенты усиления п
Teuserer
: 24 декабря 2015
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Вариант №1
Gila
: 17 января 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Gila
: 17 января 2019
190 руб.
Лабораторная работа №1. Вариант №1. Физические основы электроники
Teuserer
: 24 декабря 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
1. Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
2. Исследовать вольтамперную характеристику диода при обратном включении.
3. Провести исследование стабилитрона Д814А.
4. Исследовать однополупериодный выпр
Teuserer
: 24 декабря 2015
50 руб.
Другие работы
Отсадочная машина ФПЛ-1
flay
: 25 февраля 2012
Введение……………………………………………………………………3
1 Технология производства пряников……………………………………4
2 Оборудование для производства пряников……………………………5
3 Отсадочная машина ФПЛ-1…………………………………..………...8
4 Технические характеристики…………………………………………..11
Заключение……………………………………………………………......12
Список использованных источников……………………………………13
Отсадочные машины предназначены для изготовления разнообразных кондитерских изделий: печенья и пряников в самом широком ассортименте: с начинкой и без начинки, позволяют фо
flay
: 25 февраля 2012
200 руб.
Пересечение многогранников. Вариант 2
Laguz
: 21 апреля 2025
Лист 6
Формат АЗ. Основная надпись по форме 4б. Выполнить две задачи на пересечение многогранных
поверхностей и определение натуральной величины сечения многогранника плоскостью. Пример
выполнения листа на рис. 10.
Задача 1. Дано: прямая четырехгранная пирамида и трехгранная горизонтальная призма. Требуется:
вычертить три проекции пирамиды и призмы, построить линию пересечения этих многогранников и
определить ее видимость, для всех вариантов стороны основания пирамиды Р1F1 = К1Е1 = 60 мм;
К1Р1=Е
Laguz
: 21 апреля 2025
160 руб.
Русловый водозабор производительностью 45000 м^3⁄сут
elementpio
: 15 мая 2015
Реферат……………………………………………………………
1. Выбор места водоприемника……………………………………
2. Выбор типа водоприемника……………………………………..
3. Гидравлический расчет элементов водоприемника……………
3.1.Определение расчетных расходов воды……………………
3.2. Расчет входных окон………………………………………..
3.3. Проектирование самотечных линий……………………….
3.4. Определение минимального уровня воды в колодце…….
4. Подбор оборудования……………………………………………
4.1.Проектирование всасывающих и напорных водоводов ….
4.2.По
elementpio
: 15 мая 2015
40 руб.
Зачет по дисциплине: Устройства оптоэлектроники 5-й семестр
agentorange
: 9 апреля 2017
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические параметры.
Раздел Излучатели.
2.Структурная схема лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототранзистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта».
agentorange
: 9 апреля 2017
120 руб.
