50

Материалы и компоненты электронной техники. Билет №2

ID: 206725
Дата закачки: 10 Февраля 2020
Продавец: Fijulika (Напишите, если есть вопросы)
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Билеты
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ

Описание:
Желтым цветом отметил выбранный вариант.

Билет 2

1. Вещество, состоящее из атомов одного химического элемента, называется:
а) химически чистым;
б) химически простым;
в) химическим соединением.

2. Вещество, состоящее из однородных атомов или молекул, и содержащее некоторое количество другого вещества, не превышающее заданного значения, называется:
а) химически чистым;
б) химически простым;
в) химическим соединением.

3. Укажите виды точечных статических дефектов кристаллической структуры:
а) дислокации;
б) вакансии;
в) фононы;
г) междоузлия.

4. Укажите основные характеристики структуры материала:
а) концентрация носителей заряда;
б) степень упорядоченности расположения микрочастиц;
в) наличие и концентрация дефектов;
г) электропроводность.

5. Полярным называется диэлектрик, молекулы которого:
а) обладают собственным магнитным моментом при отсутствии внешнего электрического поля;
б) не взаимодействуют с внешним электрическим полем;
в) приобретают собственный электрический момент только во внешнем электрическом поле;
г) имеют симметричное строение;
д) при отсутствии внешнего электрического поля обладают собственным постоянным электрическим моментом.

6. Электропроводность твердых диэлектриков при постоянном напряжении определяется:
а) током сквозной проводимости;
б) током адсорбции;
в) током смещения;
г) электропроводность диэлектриков всегда равна нулю.

7. Наибольшей электрической прочностью обладают:
а) газообразные диэлектрики;
б) жидкие диэлектрики;
в) твердые диэлектрики;
г) не зависит от агрегатного состояния.

8. Какие из факторов приводят к увеличению электропроводности диэлектриков:
а) наличие загрязнений;
б) понижение температуры;
в) повышение влажности;
г) длительная эксплуатация.

9. Ток в полупроводнике, возникающий вследствие градиента концентрации носителей заряданазывается:
а) диффузионным;
б) дрейфовым;
в) дисперсным;
г) рекомбинационным.

10. С ростом температуры концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике:
а) сначала не изменяется, а потом уменьшается;
б) уменьшается;
в) увеличивается;
г) сначала увеличивается, а потом уменьшается;
д) не изменяется.

11. Собственным полупроводником называют:
а) Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием примесей при любой температуре;
б) Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием молекул при данной температуре;
в) Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием примесей при данной температуре;
г) Полупроводник, в котором нельзя пренебречь влиянием примесей при данной температуре.

12. Основной особенностью полупроводников является способность изменять свои свойства под влиянием следующих внешних воздействий:
а) Температуры или освещения;
б) Температуры или давления;
в) Температуры и давления;
г) Температуры и освещения.

13. Удельное поверхностное сопротивление пленочного проводника представляет собой:
а) удельное объемное сопротивление, умноженное на толщину пленки;
б) удельное объемное сопротивление, деленное на толщину пленки;
в) равно удельному объемному сопротивлению;
г) не зависит от удельного объемного сопротивления.

14. Какие материалы относятся к группе материалов высокой проводимости:
а) тантал и рений;
б) медь и алюминий;
в) графит и пиролитический углерод;
г) цинк и хром.

15. Какие вещества относят к проводникам второго рода:
а) металлические расплавы;
б) электролиты;
в) твердые металлы;
г) естественножидкие металлы.

16. Какое из утверждений является ВЕРНЫМ:
а) в качестве проводниковых материалов могут использоваться только чистые металлы;
б) в качестве проводниковых материалов могут использоваться только металлические сплавы;
в) в качестве проводниковых материалов могут использоваться композиционные материалы.

17. По предельной статической петле гистерезиса можно определить следующие параметры магнитного материала:
а) индукцию насыщения;
б) удельное сопротивление;
в) остаточную индукцию;
г) теплопроводность.

18. При намагничивании ферромагнетика:
а) смещаются границы доменов;
б) векторы намагниченности ориентируются в направлении внешнего поля;
в) изменяется удельное сопротивление.

19. Магнитострикция – это процесс изменения магнитного состояния ферромагнетика, сопровождающийся изменением:
а) теплопроводности;
б) электропроводности;
в) линейных размеров;
г) прочности.

20. Магнитный гистерезис обусловлен:
а) задержками в смещении доменных границ, вызываемыми искажениями кристаллической решетки;
б) возникновением асимметрии оптических свойств вещества под действием магнитного поля;
в) наличием областей спонтанной намагниченности.



Комментарии: Зачет 24.01.2020 Зачет Уважаемый Ваши ответы зачтены  Фадеева Наталья Евгеньевна

Размер файла: 46,5 Кбайт
Фаил: (.doc)
-------------------
Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные!
Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку.
Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот.
-------------------

Скачать

Добавить в корзину

Занесено в корзину

    Скачано: 2         Коментариев: 0

Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

СИНЕРГИЯ Цифровая экономика Тест 6, 7, 8, итоговый Тест 100 баллов 2023 год
МТИ МосТех МосАП МФПУ Синергия Цифровая экономика Тест 3, 4, 5, итоговый Тест 100 из 100 баллов 2023 год
СИНЕРГИЯ Маркетинг Тест 98 баллов 2023 год
СИНЕРГИЯ Информационно-коммуникационные технологии для профессиональной деятельности Тест 100 баллов 2023 год
СИНЕРГИЯ Информационный менеджмент Тест 100 баллов 2023 год
СИНЕРГИЯ Цифровая экономика 3 семестр 2023 год Тест 82 балла 2023 год
СИНЕРГИЯ Маркетинг Тест 97 баллов 2024 год
Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами.