Физические основы электроники. Лабораторные работы №1, №2, №3 ВАРИАНТ 03

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon лр3 ФОЭ.docx
material.view.file_icon лр2 ФОЭ.docx
material.view.file_icon лр1 ФОЭ.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторной работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Целью работы является изучение устройства полупроводникового диода, физические процессы происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.


Лабораторной работе №2
"Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Целью работы является ознакомление с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ), изучение его вольтамперных характеристик в схемах включения с обшей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).


Лабораторной работе №3
"Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Целью работы является изучение принципа действия, характеристик и параметров полевых транзисторов (ПТ).

Дополнительная информация

Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 07.06.2019
Рецензия:Уважаемый Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович

Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 07.06.2019
Рецензия:Уважаемый , Ваша работа зачтена.

Савиных Валерий Леонидович

Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 07.06.2019
Рецензия:Уважаемый Ваша работа зачтена.

Савиных Валерий Леонидович
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User merzavec : 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
User donkirik : 19 июня 2014
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User parovozz : 23 декабря 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
Лабораторная работа № 1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User maromash : 30 марта 2013
350 руб.
Задвижка шиберная DN 65 PN 35 МПа-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Задвижка шиберная DN 65 PN 35 МПа-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
User leha.se92@mail.ru : 25 мая 2017
460 руб.
Задвижка шиберная DN 65 PN 35 МПа-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Теплотехника 5 задач Задача 4 Вариант 90
Плоская стальная стенка толщиной δ1 (λ1 = 40 Вт/(м⸱К) с одной стороны омывается газами; при этом коэффициент теплоотдачи равен α1. С другой стороны стенка изолирована от окружающего воздуха плотно прилегающей к ней пластиной толщиной δ2 (λ2 = 0,15 Вт/(м⸱К). Коэффициент теплоотдачи от пластины к воздуху равен α2. Определить тепловой поток ql, Вт/м² и температуры t1, t2, и t3 поверхностей стенок, если температура продуктов сгорания tг, а воздуха — tв.
User Z24 : 4 января 2026
150 руб.
Теплотехника 5 задач Задача 4 Вариант 90
Прeдставлениe о культурe в срeднeвeковьe. Экзамен по культурологии. 3 семестр.
На смену античности приходит эпоха средневековья (5 - 14 вв. в Западной Европе). Античное общество основывалось на рабовладельческом, средневековое - на феодальном способе производства. Феодализм базировался на натуральном хозяйстве и личной зависимости крестьян от феодалов. В конце 5 в.н.э. культура античности разлагается частично под влиянием внутренних факторов. Частично она разрушается под ударами "варваров" - народов, еще не достигших стадии цивилизации. На место огромной, охватывавшей почт
User Walk_ns : 28 октября 2011
50 руб.
Теплотехника ТОГУ-ЦДОТ 2008 Задача 1 Вариант 46
Смесь, состоящая из М1 киломолей азота и М2 киломолей кислорода с начальными параметрами р1=1 МПа и Т1=1000 К, расширяется до давления р2. Расширение может осуществляться по изотерме, адиабате и политропе с показателем n. Определить газовую постоянную смеси, ее массу и начальный объем, конечные параметры смеси, работу расширения, теплоту, участвующую в процессе, изменение внутренней энергии, энтальпии и энтропии. Дать сводную таблицу результатов и анализ ее. Показать процессы в pυ и Ts — диаграм
User Z24 : 21 января 2026
300 руб.
Теплотехника ТОГУ-ЦДОТ 2008 Задача 1 Вариант 46
up Наверх