Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 01. Контрольная работа и Лабораторная работа 1,2,3.

Цена:
75 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 3A6B4B6E-13A8-4D3F-8A06-50C08140F362.rar [ 2 MB ]
material.view.file_icon Лаба_ЭЭС_1.doc [ 289 KB ]
material.view.file_icon Лаба_ЭЭС_2.doc [ 616 KB ]
material.view.file_icon Лаба_ЭЭС_3.doc [ 1 MB ]
material.view.file_icon Кр_01_FOE.docx [ 951 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 01. Контрольная работа и Лабораторная работа 1,2,3.

Контрольная работа

Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Дано:
Транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.

Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.

Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.

Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8


Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторные работы 1, 2, 3. (Физические основы электроники)

Лабораторная работа No1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа No2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).

Лабораторная работа No3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 29.03.2020
Рецензия: Уважаемый ,

Савиных Валерий Леонидович

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1,2,3
Оценка: Зачет
Дата оценки: 29.03.2020
Рецензия: Уважаемый ,

Савиных Валерий Леонидович

Похожие материалы

Физические основы электроники (ФОЭ)
Вариант 15 Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре шифра 15. Таблица 1 No варианта:5 Тип фотоприёмника (ФП)-Фотодиод-транзистор Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приёмника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприёмника и указать на ней . Номер варианта для 2 задачи
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User gugych : 23 января 2015
600 руб.
Физически основы электроники(ФОЭ), 2 вариант
Задача №1 Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 240 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 500 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 250 мкА . Задача №2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче №1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 3) задаемся приращением тока базы IБ= 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА. Задача №3 Для данного транзистор
******* Не известно Физические основы электроники Работа Контрольная
User thelive4u : 6 апреля 2015
300 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Зачет. Билет №7
Вопросы: 1) Низкочастотная и высокочастотная модели ПП диодов. 2) Устройство и принцип работы МДП транзисторов со встроенным каналом. Схема включения. Характеристики.
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User vlanproekt : 15 марта 2014
240 руб.
Контрольная Работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант 29
Задания из контрольной (вариант 29): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 29 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 1
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
Задание из работы (вариант 21): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3,
СПбГУТ Физические основы электроники Работа Контрольная
User pccat : 13 апреля 2016
500 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.1 приложения А. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение Б), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User MN : 27 декабря 2013
100 руб.
Зачетная работа. Физические основы электроники (ФОЭ) Билет № 14
1. Емкости p-n перехода: барьерная и диффузионная. Их зависимости от режима работы. 2. Работа БТ в усилительном режиме гармонического сигнала. Принцип работы. Графический метод определения параметров усиления. Билет № 14 1. Изменение внешнего напряжения dU на p-n переходе приводит к изменению накопленного в нем заряда dQ. Поэтому p-n переход ведет себя подобно конденсатору, емкость которого С = dQ/ dU. В зависимости от физической природы изменяющегося заряда различают емкости барьерную (зарядн
СибГУТИ Работа Зачетная Электроника физическая
User bioclown : 10 октября 2011
59 руб.

Другие работы

ММА/ИДО Иностранный язык в профессиональной сфере (ЛТМ) Тест 20 из 20 баллов 2024 год
ММА/ИДО Иностранный язык в профессиональной сфере (ЛТМ) Тест 20 из 20 баллов 2024 год Московская международная академия Институт дистанционного образования Тест оценка ОТЛИЧНО 2024 год Ответы на 20 вопросов Результат – 100 баллов С вопросами вы можете ознакомиться до покупки ВОПРОСЫ: 1. We have … to an agreement 2. Our senses are … a great role in non-verbal communication 3. Saving time at business communication leads to … results in work 4. Conducting negotiations with foreigners we shoul
Московская международная академия Институт дистанционного Иностранный язык в профессиональной сфере (ЛТМ) Тесты
User mosintacd : 28 июня 2024
150 руб.
promo
Задание №2. Методы управления образовательными учреждениями
Практическое задание 2 Задание 1. Опишите по одному примеру использования каждого из методов управления в Вашей профессиональной деятельности. Задание 2. Приняв на работу нового сотрудника, Вы надеялись на более эффективную работу, но в результате разочарованы, так как он не соответствует одному из важнейших качеств менеджера - самодисциплине. Он не обязателен, не собран, не умеет отказывать и т.д.. Но, тем не менее, он отличный профессионал в своей деятельности. Какими методами управления Вы во
******* Не известно Педагогика Практические занятия и отчеты
User studypro : 13 октября 2016
200 руб.
Особенности бюджетного финансирования
Содержание: Введение Теоретические основы бюджетного финансирования Понятие и сущность бюджетного финансирования Характеристика основных форм бюджетного финансирования Анализ бюджетного финансирования образования Понятие и источники бюджетного финансирования образования Проблемы бюджетного финансирования образования Основные направления совершенствования бюджетного финансирования образования Заключение Список использованный литературы Цель курсовой работы – исследовать особенности бюджетного фин
Работа Курсовая Банковское дело и кредитование
User Aronitue9 : 24 августа 2012
20 руб.
Программирование (часть 1-я). Зачёт. Билет №2
ЗАЧЕТ по дисциплине “Программирование (часть 1)” Билет 2 Определить значение переменной y после работы следующего фрагмента программы: a = 3; b = 2 * a – 10; x = 0; y = 2 * b + a; if ( b > y ) or ( 2 * b < y + a ) ) then begin x = b – y; y = x + 4 end; if ( a + b < 0 ) and ( y + x > 2 ) ) then begin x = x + y; y = x – 2 end;
ДО СИБГУТИ Программирование Работа Зачетная
User sibsutisru : 3 сентября 2021
200 руб.
Программирование (часть 1-я). Зачёт. Билет №2
up Наверх