Лабораторная работа №3 по дисциплине:Элементная база телекоммуникационных систем. 2-й семестр. ВАРИАНТ №09

1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы

Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах

Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.


Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).

Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.

2 Теоретическое введение

Транзисторный ключ является основным элементом устройств цифровой электроники и очень многих устройств силовой электроники. Параметры и характеристики транзисторного ключа в очень большой степени определяют свойства соответствующих схем. Качественное улучшение параметров и характеристик транзисторных ключей приводит к радикальному улучшению электронных устройств.
Простейший ключ на биполярном транзисторе показан на рис. 2.1.Резистор Rб в цепи базы служит для задания необходимого тока базы. Резистор Rк является внутренней нагрузкой ключа, а резистор Rн – его внешней нагрузкой. Величина внешней нагрузки может меняться в широких пределах. При RК= ∞ ключ работает в режиме холостого хода. Предельной нагрузкой, при которой ключ еще должен сохранять свои параметры, считают величину Rн = Rк.



Рисунок 2.1 - Простейший ключ на биполярном транзисторе

Распространены ключевые схемы в цепях, управляемых электронными устройствами – цифровыми управляющими устройствами, микропроцессорными системами, в том числе в устройствах с импульсным регулированием или стабилизацией напряжения источников питания, потребляемой нагрузкой мощности. Назначение таких ключей – коммутация электрических цепей.
Рассмотрим статический (по постоянному току) и динамический режимы работы ключа:
Статический режим. В статическом режиме ключ может быть закрыт(транзистор находится в режиме отсечки) либо открыт (транзистор находится в режиме насыщения). Ключ закрыт, когда напряжение на входе меньше напряжения логического нуля 0 Uвх. Для ключей на кремниевых биполярных транзисторах оно составляет 0.4–0.5 В. В этом режиме IK = Iб = 0 Сопротивление закрытого ключа составляет сотни кОм. Если на входе действует импульс напряжения такой величины, чтобы транзистор находился в режиме насыщения, то ток базы

. (2.1)

В режиме насыщения оба перехода смещены в прямом направлении, и ток коллектора возрастает до наибольшего значения:
. (2.2)

Напряжение кэU в режиме насыщения составляет 0.2–0.3 В, авыходное сопротивление – несколько десятков Ом. Для насыщения транзистора необходимо, чтобы ток базы стал больше минимального значения, при котором начинается насыщение транзистора:


Транзистор должен входить в режим насыщения, когда входное напряжение превышает напряжение логической единицы U1max. Для ключей на биполярных транзисторах U1max =2.7 - 5В. Передаточная характеристика ключа на БТ показана на рисунке 2.2.Рабочими являются участки переходной характеристики, соответствующие отсечке и насыщению.


Рисунок 2.2 - Передаточная характеристика ключа на БТ

В данной работе исследуются примитивные ключевые схемы на биполярных транзисторах p-n-p типа и n-p-n типа.
В ключевом режиме транзистор может находиться в двух основных состояниях:
- состояние отсечки (ключ разомкнут), при этом через транзистор протекает минимальный ток;
- состояние насыщения (ключ замкнут), при этом ток, протекающий через транзистор, ограничен резистором коллекторной цепи транзистора.

3 Задание на выполнение лабораторной работы

В ходе выполнения лабораторной работы требуется:
1. Подобрать транзисторы и рассчитать параметры резисторов схем транзисторных ключей, приведенных на рисунках Б.6 и Б.27.
2. Собрав схемы, приведенные на рисунках рисунков Б.6 и Б.7 с рассчитанными элементами, убедиться в их работоспособности.
3. Пользуясь рекомендациями пунктов 4.3 и 4.4, исследовать передаточные характеристики рассчитанных ключевых схем.

4 Рекомендации к выполнению исследований

4.1 Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе

1. Выбрать параметры на расчёт ключевой схемы в соответствии с вариантом (Приложение А) - значения коммутируемых токов и напряжений ( , E2 соответственно), а также значение уровня логической «1» - E1max.
2. Выбрать марку транзистора из предлагаемого набора – КТ3102Е, КТ315A, 2SC945, КТ815А, MJE13007, КТ872А– по следующим критериям:

, (4.1)

. (4.2)
Параметры UКЭmax и IKmax найти, используя ресурсы Интернета.

3. Рассчитать требуемый ток базы

, (4.3)
где h21оэ - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (выбрать максимальное значение из диапазона, приведенного в характеристиках транзистора).

4. Рассчитать номиналы резисторов по следующим выражениям

, (4.4)

. (4.5)

Занести основные параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе в таблицу 4.1.




Таблица 4.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Наименование  Коммутируемый ток

Коммутируемое напряжение
Е2 Значение уровня логической «1»
E1max h21оэ Марка транзистора (записать) Ток базы
IБ УПР Номиналы резисторов
     UКЭ max IК max  RК Rб
Единицы измерения         
Параметр          

5. Для проверки рассчитанных значений выполнить измерения, используя виртуальный универсальный лабораторный стенд. Основные сведения работы на виртуальном стенде приведены в Приложении Б. Собрать схему, приведенную на рисунке Б.6 (Приложение Б) и измерить величины , , , при двух значениях управляющего источника и и зафиксировать их в таблицу 4.2. По измеренным значениям сделать вывод о состоянии ключа для обоих случаев (при каком E1 – открыт, при каком - закрыт) и записать его в «Примечаниях» таблицы 4.2.
6. Сравнить токи базы и коллектора в открытом состоянии с требуемыми - с , а с . Сделать вывод о соответствии техническому заданию (если отличия составляют более чем 5 %, то схема не выполняет заданные функции).
7. Вычислить указанные в таблице мощности (строки 5-8) по указанным там же выражениям. По вычисленным значениям сделать вывод об экономичности схемы.

Таблица 4.2 – Параметры испытательного ключа на n-p-n транзисторе
No п/п 

Примечания
1 


2 


3 


4 


5 


6 


7 


8 








4.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе

1. Выбрать параметры на расчёт ключевой схемы в соответствии с вариантом (Приложение А) - значения коммутируемых токов и напряжений ( , E2 соответственно).
2. Выбрать марку транзистора из предлагаемого набора транзисторов – КТ3107К, КТ361В, 2SA733, КТ814А, КТ818А – по критериям (4.1), (4.2). Параметры UКЭmax и IKmax найти, используя ресурсы Интернета.
3. Рассчитать требуемый ток базы по формуле (4.3).
4. Рассчитать номинал резистора по выражению (4.4), а - по выражению
. (4.6)
Занести основные параметры транзисторного ключа на p-n-p транзисторе в таблицу 4.3.

Таблица 4.3 – Параметры транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
Наименование  Коммутируемый ток

Коммутируемое напряжение
Е2 h21оэ Марка транзистора (записать) Ток базы
IБ УПР Номиналы резисторов
    UКЭ max IК max  RК Rб
Единицы измерения        
Параметр         

5. Собрать схему, приведенную на рисунке Б.7 (Приложение Б) и измерить величины , , , при двух значениях управляющего источника и . По измеренным значениям сделать вывод о состоянии ключа для обоих случаев (в каком случае открыт, в каком - закрыт) и записать его в «Примечаниях» таблицы 4.4.
6. Выполнить указания подпунктов 6,7 для предыдущего ключа.

Таблица 4.4 - Параметры испытательного ключа на p-n-p транзистора
No п/п 


7. Вычислить указанные в таблице 4.4 мощности (строки 5-8). При расчётах использовать значения последних измерений. По вычисленным значениям сделать вывод об экономичности схемы.

4.3 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на n-p-n транзисторе

Для схемы рисунка Б.6 (Приложение Б) выполнить следующее:
1. Для источника E1 задать значения, указанные во втором столбце таблицы 4.5.
2. При каждом E1 измерить значения , , и вычислить . Зафиксировать результаты измерений и вычислений в таблицу.
3. По полученным результатам построить графики входной и передаточной характеристики. Определить порог переключения ключа .
Таблица 4.5 - Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
No п/п E1,В   


1 0   
2 0.25   
3 0.5   
4 0.75   
5 1   
6 1.25   
7 2   
8 2.25   
9 2.5   
10 3   
11 
  

По измеренным значениям построить передаточную характеристику транзисторного ключа на n-p-n транзисторе

4.4 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе

Для схемы рисунка Б.7 (Приложение Б) выполняются действия пункта 4.3, только результаты измерений фиксируются в таблицу 4.6. Также строятся графики входной и передаточной характеристики. Определяется порог переключения ключа .
Таблица 4.6 - Параметры транзисторного ключа на p-n- p транзисторе
No п/п E1,В 



1 0   
2 E2-3   
3 E2-2.5   
4 E2-2.25   
5 E2-2   
6 E2-1.75   
7 E2-1.5   
8 E2-1.25   
9 E2-1   
10 E2-0.5   
11 E2   

По измеренным значениям построить передаточную характеристику транзисторного ключа на p-n- p транзисторе

5 Содержание отчёта

1. Тема и цель лабораторной работы.
2. Таблицы наблюдений (таблицы 4.1 – 4.6).
3. Графики статических входных и передаточных характеристик ключей.
4.  Экспериментальные значения входных пороговых напряжений переключения.
5. Передаточная характеристика транзисторного ключа.
6. Выводы по результатам проведенных исследований. Сделайте «экспертное» заключение о следующем:
- насколько «идеальны» схемы как ключи;
- насколько «идеальны» входные параметры ключа.

Рекомендуемая литература

1. Бобровников Л.З. Электроника: Учебник для вузов.- СПб.: Питер, 2004.
2. Гальперин М.В. Электронная техника: Учебник.- М.: ФОРУМ, 2003.
3. Брамер, Пащук Импульсные и цифровые устройства. 1992
4. Полупроводниковые приборы. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: Справочник. // Баюков А.В., Гитцевич А.Б., Зайцев А.А. и др.; Под общ. ред. Горюнова Н.Н. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 744с.
5. Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника: Учебное пособие.- Ростов н/Д: Феникс, 2004, - 576 с.
Приложение А
Варианты Транзисторные ключи на n-p-n транзисторе
 Последняя цифра номера
 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Предпоследняя цифра номера 0 IКОМ = 0,05А
Е2 = 18В
E1MAX =4,0В IКОМ = 0,09А
Е2 = 23В
E1MAX =4,2В IКОМ = 0,07А
Е2 = 45В
E1MAX =4,4В IКОМ = 1,4А
Е2 = 28В
E1MAX =4,5В IКОМ = 7А
Е2 = 380В
E1MAX =4,0В IКОМ = 7,8А
Е2 = 620В
E1MAX =4,1В IКОМ = 5,6А
Е2 = 520В
E1MAX =4,3В IКОМ = 6,4А
Е2 = 250В
E1MAX =4,5В IКОМ = 4,4А
Е2 = 450В
E1MAX =4,2В IКОМ = 1,3А
Е2 = 21В
E1MAX =4,3В
 1 IКОМ = 5,6А
Е2 = 520В
E1MAX =4,3В IКОМ = 6,6А
Е2 = 360В
E1MAX =4,1В IКОМ = 6,7А
Е2 = 320В
E1MAX =4,4В IКОМ = 3,3А
Е2 = 210В
E1MAX =4,3В IКОМ = 1,2А
Е2 = 330В
E1MAX =4,2В IКОМ = 1,4А
Е2 = 26В
E1MAX =4,1В IКОМ =1,1А
Е2 = 22В
E1MAX =4,0В IКОМ = 1,3А
Е2 = 26В
E1MAX =4,4В IКОМ = 0,88А
Е2 = 44В
E1MAX =4,3В IКОМ = 0,78А
Е2 = 35В
E1MAX =4,2В
 2 IКОМ = 0,7А
Е2 = 16В
E1MAX =4,4В IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
E1MAX =4,3В IКОМ = 0,99А
Е2 = 39В
E1MAX =4,2В IКОМ = 1,4А
Е2 = 27В
E1MAX =4,1В IКОМ = 1,1А
Е2 = 22В
E1MAX =4,0В IКОМ =1,1А
Е2 =220В
E1MAX =4,1В IКОМ = 1,5 А
Е2 = 290В
E1MAX =4,2В IКОМ = 1,5А
Е2 = 440В
E1MAX =4,3В IКОМ = 3,3А
Е2 = 420В
E1MAX =4,4В IКОМ = 3,4А
Е2 = 520В
E1MAX =4,4В
 3 IКОМ = 0,05А
Е2 = 18В
E1MAX =4,0В IКОМ = 0,09А
Е2 = 23В
E1MAX =4,2В IКОМ = 7А
Е2 = 380В
E1MAX =4,0В IКОМ = 5,6А
Е2 = 520В
E1MAX =4,3В IКОМ = 5,6А
Е2 = 520В
E1MAX =4,3В IКОМ = 6,6А
Е2 = 360В
E1MAX =4,1В IКОМ = 1,2А
Е2 = 330В
E1MAX =4,2В IКОМ = 0,7А
Е2 = 16В
E1MAX =4,4В IКОМ = 5,6А
Е2 = 520В
E1MAX =4,3В IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
E1MAX =4,3В
 4 IКОМ = 5,6А
Е2 = 520В
E1MAX =4,3В IКОМ = 0,05А
Е2 = 18В
E1MAX =4,0В IКОМ = 1,2А
Е2 = 330В
E1MAX =4,2В IКОМ = 6,6А
Е2 = 360В
E1MAX =4,1В IКОМ = 6,7А
Е2 = 320В
E1MAX =4,4В IКОМ = 0,7А
Е2 = 16В
E1MAX =4,4В IКОМ = 5,6А
Е2 = 520В
E1MAX =4,3В IКОМ =1,1А
Е2 = 22В
E1MAX =4,0В IКОМ = 5,6А
Е2 = 520В
E1MAX =4,3В IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
E1MAX =4,3В
 5 IКОМ = 6,6А
Е2 = 360В
E1MAX =4,1В IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
E1MAX =4,3В IКОМ = 0,05А
Е2 = 18В
E1MAX =4,0В IКОМ = 0,09А
Е2 = 23В
E1MAX =4,2В IКОМ = 0,7А
Е2 = 16В
E1MAX =4,4В IКОМ =1,1А
Е2 = 22В
E1MAX =4,0В IКОМ = 0,09А
Е2 = 23В
E1MAX =4,2В IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
E1MAX =4,3В IКОМ = 6,7А
Е2 = 320В
E1MAX =4,4В IКОМ = 0,99А
Е2 = 39В
E1MAX =4,2В
 6 IКОМ = 1,2А
Е2 = 330В
E1MAX =4,2В IКОМ = 7А
Е2 = 380В
E1MAX =4,0В IКОМ = 6,7А
Е2 = 320В
E1MAX =4,4В IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
E1MAX =4,3В IКОМ = 0,05А
Е2 = 18В
E1MAX =4,0В IКОМ = 7А
Е2 = 380В
E1MAX =4,0В IКОМ = 0,99А
Е2 = 39В
E1MAX =4,2В IКОМ = 6,6А
Е2 = 360В
E1MAX =4,1В IКОМ = 5,6А
Е2 = 520В
E1MAX =4,3В IКОМ =1,1А
Е2 = 22В
E1MAX =4,0В
 7 IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
E1MAX =4,3В IКОМ =1,1А
Е2 = 22В
E1MAX =4,0В IКОМ = 5,6А
Е2 = 520В
E1MAX =4,3В IКОМ = 0,09А
Е2 = 23В
E1MAX =4,2В IКОМ = 1,1А
Е2 = 22В
E1MAX =4,0В IКОМ = 5,6А
Е2 = 520В
E1MAX =4,3В IКОМ = 0,05А
Е2 = 18В
E1MAX =4,0В IКОМ = 7А
Е2 = 380В
E1MAX =4,0В IКОМ = 1,2А
Е2 = 330В
E1MAX =4,2В IКОМ = 5,6А
Е2 = 520В
E1MAX =4,3В
 8 IКОМ = 0,09А
Е2 = 23В
E1MAX =4,2В IКОМ = 6,6А
Е2 = 360В
E1MAX =4,1В IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
E1MAX =4,3В IКОМ = 5,6А
Е2 = 520В
E1MAX =4,3В IКОМ = 1,2А
Е2 = 330В
E1MAX =4,2В IКОМ = 1,1А
Е2 = 22В
E1MAX =4,0В IКОМ = 7А
Е2 = 380В
E1MAX =4,0В IКОМ = 6,7А
Е2 = 320В
E1MAX =4,4В IКОМ = 0,05А
Е2 = 18В
E1MAX =4,0В IКОМ = 0,09А
Е2 = 23В
E1MAX =4,2В
 9 IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
E1MAX =4,3В IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
E1MAX =4,3В IКОМ = 0,99А
Е2 = 39В
E1MAX =4,2В IКОМ = 1,1А
Е2 = 22В
E1MAX =4,0В IКОМ = 3,4А
Е2 = 520В
E1MAX =4,4В IКОМ = 1,3А
Е2 = 21В
E1MAX =4,3В IКОМ = 0,88А
Е2 = 44В
E1MAX =4,3В IКОМ = 6,7А
Е2 = 320В
E1MAX =4,4В IКОМ = 3,3А
Е2 = 540В
E1MAX =4,2В IКОМ = 4,6А
Е2 = 210В
E1MAX =4,3В



Варианты Транзисторные ключи на p-n-p транзисторе
 Последняя цифра номера
 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Предпоследняя цифра номера 0 IКОМ = 0,9А
Е2 = 36В
 IКОМ = 0,4А
Е2 = 36В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 46В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 23В
 IКОМ = 5,9А
Е2 = 86В
 IКОМ = 4,9А
Е2 = 26В
 IКОМ = 0,3А
Е2 = 46В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 49В
 IКОМ = 1,1А
Е2 = 22В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 39В

 1 IКОМ = 9А
Е2 = 80В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 43В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 48В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 20В
 IКОМ = 0,3А
Е2 = 39В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 41В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 15В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 19В
 IКОМ = 6,9А
Е2 = 88В
 IКОМ = 5,9А
Е2 = 78В

 2 IКОМ = 6,9А
Е2 = 66В
 IКОМ = 1,4А
Е2 = 20В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 49В
 IКОМ = 1.1А
Е2 = 24В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
 IКОМ = 5,5А
Е2 = 46В
 IКОМ = 7,7А
Е2 = 77В
 IКОМ = 8,9А
Е2 = 88В
 IКОМ = 8А
Е2 = 89В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 43В

 3 IКОМ = 5,9А
Е2 = 86В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 36В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 19В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
 IКОМ = 5,9А
Е2 = 86В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
 IКОМ = 0,4А
Е2 = 36В

 4 IКОМ = 0,3А
Е2 = 39В
 IКОМ = 9А
Е2 = 80В
 IКОМ = 8,9А
Е2 = 88В
 IКОМ = 1,1А
Е2 = 20В
 IКОМ = 0,8А
Е2 = 24В
 IКОМ = 0,3А
Е2 = 39В
 IКОМ = 0,4А
Е2 = 43В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 40В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 41В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 43В

 5 IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
 IКОМ = 6,9А
Е2 = 66В
 IКОМ = 0,3А
Е2 = 39В
 IКОМ = 0,7А
Е2 = 39В
 IКОМ = 0,6А
Е2 = 222В
 IКОМ = 5,1А
Е2 = 86В
 IКОМ = 1,3А
Е2 = 26В
 IКОМ = 0,1А
Е2 = 33В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 46В
 IКОМ = 1,4А
Е2 = 20В

 6 IКОМ = 0,9А
Е2 = 36В
 IКОМ = 0,4А
Е2 = 36В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 46В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 23В
 IКОМ = 5,9А
Е2 = 86В
 IКОМ = 4,9А
Е2 = 26В
 IКОМ = 0,3А
Е2 = 46В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 49В
 IКОМ = 1,1А
Е2 = 22В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 39В

 7 IКОМ = 9А
Е2 = 80В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 43В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 48В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 20В
 IКОМ = 0,3А
Е2 = 39В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 41В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 15В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 19В
 IКОМ = 6,9А
Е2 = 88В
 IКОМ = 5,9А
Е2 = 78В

 8 IКОМ = 6,9А
Е2 = 66В
 IКОМ = 1,4А
Е2 = 20В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 49В
 IКОМ = 1.1А
Е2 = 24В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
 IКОМ = 5,5А
Е2 = 46В
 IКОМ = 7,7А
Е2 = 77В
 IКОМ = 8,9А
Е2 = 88В
 IКОМ = 8А
Е2 = 89В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 43В

 9 IКОМ = 5,9А
Е2 = 86В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 36В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 19В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
 IКОМ = 5,9А
Е2 = 86В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
 IКОМ = 0,9А
Е2 = 26В
 IКОМ = 0,4А
Е2 = 36В

































Приложение Б

Используя ресурсы интернета скачать программу EWB для работы на виртуальном стенде.
По ссылке soft.sibnet.ru>soft/25729-electronic-workbench открывается программа EWB.
При входе в программу Electronics Workbench может появляться надпись could not file, которую следует закрыть и продолжать работу в программе.

Панель инструментов стенда представлена на рисунке Б.1.



Рисунок Б.1 – Панель инструментов стенда

Схемы исследуемых устройств «собираются» с помощью панели инструментов для построения схемы (рисунок Б.2 а) и панели инструментов для измерений (рисунок Б.2 б):
а) б)

Рисунок Б.2 – Панели инструментов
для построения схемы (а) и для измерений (б)


Для выполнения данной лабораторной работы понадобятся источник напряжений, амперметр, вольтметр и биполярный транзистор.
Биполярный транзистор вызывается из панели «Transistors» (рисунок Б.3), появляющейся при нажатии четвертой кнопки панели инструментов для построения схемы (рисунок Б.2 а).



Рисунок Б.3 – Панель «Transistors»


Источник напряжения вызывается из панели источников «Sources» (рисунок 3.4), которая появляется в виде всплывающего меню нажатием первой кнопки панели, представленной на рисунке Б.2 а.



Рисунок Б.4 – Панель источников «Sources»

Амперметр и вольтметр выбираются из панели индикаторов (рисунок Б.5), вызываемой нажатием первой кнопки панели измерителей (рисунок Б.2 б).



Рисунок Б.5 – Панель индикаторов
 Величина ЭДС, а также параметры пассивных элементов схем устанавливается следующим образом:
а) курсор «мыши» наводится на соответствующий элемент схемы;
б) «кликаньем» правой кнопки вызывается всплывающее меню, из которого вызывается пункт «component properties»;
с) далее выбирается пункт «value», в котором устанавливается требуемая величина и единица измерения настраиваемого параметра.
Типы биполярных транзисторов и других активных элементов выбираются следующим образом:
а) курсор «мыши» наводится на соответствующий элемент схемы;
б) «кликаньем» правой кнопки вызывается всплывающее меню, из которого вызывается пункт «component properties»;
с) далее из списка «library» выбирается библиотека, а из списка «models» – соответствующий тип диода.
Функционирование схемы запускается с помощью переключателя , расположенного в правой части панели инструментов (рисунок Б.1). Кнопкой «pause» можно останавливать функционирование; повторным нажатием – снова разрешать функционирование схемы.


Схемы для исследования транзисторных ключей

Схемы для исследования транзисторного ключа на n-p-n-транзисторе и на p-n-p – транзисторе приведены на рисунках Б.6 и Б.7 соответственно.


Рисунок Б.6 – Транзисторный ключ на n-p-n-транзисторе


Рисунок Б.7 – Транзисторный ключ на p-n-p – транзисторе

Лабораторная работа 3 18.08.2020 18.08.2020 Зачет Уважаемый , работа зачтена. Елистратова Ирина Борисовна