Лабораторная работа №1,2,3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №12
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вариант 12
Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция №2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- физические процессы, определяющие одностороннюю проводимость электронно-дырочного перехода;
- энергетическую диаграмму р-n перехода;
- типы пробоя электронно-дырочного перехода и его вольтамперная характеристика (ВАХ);
- основные параметры, характеризующие выпрямительные диоды и стабилитроны.
3. Оформление заготовки для отчета (см. раздел 6).
4. Выполнение указаний разделов 4 и 5.
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум
последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.
ДИОДЫ
Zelex
BAV70
Стабилитрон
motor 1n
1N5935B
3 Задание на выполнение лабораторной работы
3.1 Расчётная часть работы
1. Выбрать диод, в соответствии с вариантом и записать значения следующих параметров диода:
- предельно-допустимый постоянный прямой ток ;
- предельно-допустимое обратное напряжение .
Значения и найти для соответствующего варианта, используя ресурсы Internet.
2. Построить прямую ветвь ВАХ диода. Для построения прямой ветви ВАХ использовать формулу 2.2.
3. Задать 6 значений прямого тока, которые вычисляются по выражениям во 2-м столбце таблицы 3.1. Полученные значения являются рекомендуемыми, их допускается округлять до ближайшего «удобного» числа.
Таблица 3.1 - Прямая ветвь ВАХ диода типа ...
4. Выбрать стабилитрон, в соответствии с вариантом и записать значения следующих параметров стабилитрона:
- минимальный ток стабилизации ;
- максимальный ток стабилизации ;
- номинальное напряжение стабилизации .
Значения , и найти для соответствующего варианта, используя ресурсы Internet.
5. Построить обратную ветвь ВАХ стабилитрона. Для построения обратной ветви ВАХ использовать формулу 2.4.
6. Задать 5 значений обратного тока, которые вычисляются по выражениям во 2-м столбце таблицы 3.2. Полученные значения являются рекомендуемыми, их допускается округлять до ближайшего «удобного» числа.
Таблица 3.2 - Обратная ВАХ стабилирона типа ...
Вариант 12
Лабораторная работа №2
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов
Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов (лекция 3)
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- достоинства и недостатки полевых транзисторов;
- применение полевых транзисторов в элементарных схемах.
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении.
3 Задание на выполнение лабораторной работы
3.1 Расчетная часть работы
1. Рассчитать основные параметры и построить сток – затворную и выходную (стоковую) характеристики полевого транзистора.
2. По графику сток-затворной характеристики определить дифференциальную крутизну S, по графику выходных (стоковых) ВАХ определить дифференциальное выходное сопротивление , используя методические указания раздела 2.
3.2 Экспериметальная часть работы
1. Исследовать семейства проходных (сток-затворных) и выходных (стоковых) ВАХ полевого транзистора (тип транзистора выбирается из Приложения А в соответствии с вариантом) используя измерительные схемы рисунков Б.6 и Б.7.(в зависимости от типа транзистора). Исследования проводить по методическим указаниям раздела 4.
2. По полученным данным построить графические характеристики в одних осях с характеристиками, полученными по расчетам (3.1).
3. Рассчитать крутизну характеристики и дифференциальное сопротивление.
Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
Motorola MMBF4391
Полевые транзисторы с индуцированным каналом
Philips
BF 909
Вариант 12
Лабораторная работа №3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.
3 Задание на выполнение лабораторной работы
В ходе выполнения лабораторной работы требуется:
1. Подобрать транзисторы и рассчитать параметры резисторов схем транзисторных ключей, приведенных на рисунках Б.6 и Б.27.
2. Собрав схемы, приведенные на рисунках рисунков Б.6 и Б.7 с рассчитанными элементами, убедиться в их работоспособности.
3. Пользуясь рекомендациями пунктов 4.3 и 4.4, исследовать передаточные характеристики рассчитанных ключевых схем.
Транзисторные ключи на n-p-n транзисторе
IКОМ = 6,7А
Е2 = 320В
E1MAX =4,4В
Транзисторные ключи на p-n-p транзисторе
IКОМ = 0,6А
Е2 = 148В
Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция №2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- физические процессы, определяющие одностороннюю проводимость электронно-дырочного перехода;
- энергетическую диаграмму р-n перехода;
- типы пробоя электронно-дырочного перехода и его вольтамперная характеристика (ВАХ);
- основные параметры, характеризующие выпрямительные диоды и стабилитроны.
3. Оформление заготовки для отчета (см. раздел 6).
4. Выполнение указаний разделов 4 и 5.
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум
последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.
ДИОДЫ
Zelex
BAV70
Стабилитрон
motor 1n
1N5935B
3 Задание на выполнение лабораторной работы
3.1 Расчётная часть работы
1. Выбрать диод, в соответствии с вариантом и записать значения следующих параметров диода:
- предельно-допустимый постоянный прямой ток ;
- предельно-допустимое обратное напряжение .
Значения и найти для соответствующего варианта, используя ресурсы Internet.
2. Построить прямую ветвь ВАХ диода. Для построения прямой ветви ВАХ использовать формулу 2.2.
3. Задать 6 значений прямого тока, которые вычисляются по выражениям во 2-м столбце таблицы 3.1. Полученные значения являются рекомендуемыми, их допускается округлять до ближайшего «удобного» числа.
Таблица 3.1 - Прямая ветвь ВАХ диода типа ...
4. Выбрать стабилитрон, в соответствии с вариантом и записать значения следующих параметров стабилитрона:
- минимальный ток стабилизации ;
- максимальный ток стабилизации ;
- номинальное напряжение стабилизации .
Значения , и найти для соответствующего варианта, используя ресурсы Internet.
5. Построить обратную ветвь ВАХ стабилитрона. Для построения обратной ветви ВАХ использовать формулу 2.4.
6. Задать 5 значений обратного тока, которые вычисляются по выражениям во 2-м столбце таблицы 3.2. Полученные значения являются рекомендуемыми, их допускается округлять до ближайшего «удобного» числа.
Таблица 3.2 - Обратная ВАХ стабилирона типа ...
Вариант 12
Лабораторная работа №2
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов
Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов (лекция 3)
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- достоинства и недостатки полевых транзисторов;
- применение полевых транзисторов в элементарных схемах.
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении.
3 Задание на выполнение лабораторной работы
3.1 Расчетная часть работы
1. Рассчитать основные параметры и построить сток – затворную и выходную (стоковую) характеристики полевого транзистора.
2. По графику сток-затворной характеристики определить дифференциальную крутизну S, по графику выходных (стоковых) ВАХ определить дифференциальное выходное сопротивление , используя методические указания раздела 2.
3.2 Экспериметальная часть работы
1. Исследовать семейства проходных (сток-затворных) и выходных (стоковых) ВАХ полевого транзистора (тип транзистора выбирается из Приложения А в соответствии с вариантом) используя измерительные схемы рисунков Б.6 и Б.7.(в зависимости от типа транзистора). Исследования проводить по методическим указаниям раздела 4.
2. По полученным данным построить графические характеристики в одних осях с характеристиками, полученными по расчетам (3.1).
3. Рассчитать крутизну характеристики и дифференциальное сопротивление.
Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
Motorola MMBF4391
Полевые транзисторы с индуцированным каналом
Philips
BF 909
Вариант 12
Лабораторная работа №3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.
3 Задание на выполнение лабораторной работы
В ходе выполнения лабораторной работы требуется:
1. Подобрать транзисторы и рассчитать параметры резисторов схем транзисторных ключей, приведенных на рисунках Б.6 и Б.27.
2. Собрав схемы, приведенные на рисунках рисунков Б.6 и Б.7 с рассчитанными элементами, убедиться в их работоспособности.
3. Пользуясь рекомендациями пунктов 4.3 и 4.4, исследовать передаточные характеристики рассчитанных ключевых схем.
Транзисторные ключи на n-p-n транзисторе
IКОМ = 6,7А
Е2 = 320В
E1MAX =4,4В
Транзисторные ключи на p-n-p транзисторе
IКОМ = 0,6А
Е2 = 148В
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Элементная база телекоммуникационных систем
Вид работы: Лабораторная работа 1-3
Оценка: Зачет
Дата оценки: 05.01.2021
Рецензия: Уважаемый ,
Елистратова Ирина Борисовна
Помогу с вашим вариантом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
Оценена Ваша работа по предмету: Элементная база телекоммуникационных систем
Вид работы: Лабораторная работа 1-3
Оценка: Зачет
Дата оценки: 05.01.2021
Рецензия: Уважаемый ,
Елистратова Ирина Борисовна
Помогу с вашим вариантом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
Похожие материалы
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 12
xtrail
: 25 августа 2025
Лабораторная работа №1
Разработка интегрального цифрового устройства
ЦЕЛЬ РАБОТЫ:
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
ЗАДАНИЕ
1.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упро-щение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
1.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести список необходимых базовых элеме
350 руб.
Лабораторные работы №1 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем Вариант 12
Pashapasha
: 10 августа 2022
Вариант 12
1. Выбрать диод, в соответствии с вариантом и записать значения следующих параметров диода:
- предельно-допустимый постоянный прямой ток ;
- предельно-допустимое обратное напряжение .
Значения и найти для соответствующего варианта, используя ресурсы Internet.
2. Построить прямую ветвь ВАХ диода. Для построения прямой ветви ВАХ использовать формулу 2.2.
3. Задать 6 значений прямого тока, которые вычисляются по выражениям во 2-м столбце таблицы 3.1. Полученные значения являют
170 руб.
Лабораторные работы №1-2 по дисциплине: «Элементная база телекоммуникационных систем». Вариант №12.
teacher-sib
: 1 сентября 2023
Лабораторная работа No1
по дисциплине: «Элементная база телекоммуникационных систем»
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО
УСТРОЙСТВА
Разработка интегрального цифрового устройства
ЦЕЛЬ РАБОТЫ:
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
ЗАДАНИЕ
1.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упро-щение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реал
800 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №1
L0ki
: 29 декабря 2020
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы:
1 Изучить характерные свойства электронно-дырочного
перехода, определяющие характеристики выпрямительного
диода и стабилитрона (лекция №2).
2 Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а
также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная
подготовка, состоящая в следующем:
1 Изучение темы и цели лабораторной работы.
2 При изучении теоретического материала в объ
195 руб.
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 17
IT-STUDHELP
: 16 мая 2022
Вариант 17
Лабораторная работа No1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данн
900 руб.
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 14
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
Лабораторная работа No1
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
1. ВАХ диода
Вариант 14, диод Zelex FMMD914
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
Таблица 1.1 – Характеристики диода
Параме
900 руб.
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 18
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
Лабораторная работа No1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы до
900 руб.
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 06
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
Лабораторная работа No1
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона.
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
1. ВАХ диода
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
Таблица 1.1 – Характеристики диода
Параметр Единицы измерения Значение Тип диода
пред
900 руб.
Другие работы
Реферат по дисциплине: Социология
vovanik
: 18 мая 2014
Введение 3
1 Понятие социального института 4
2 Семья как важный социальный институт 5
2.1 Понятие семьи 5
2.2 Структура семьи 5
2.3 Формы семьи 6
2.4 Функции семьи 6
2.5 Жизненный цикл семьи
70 руб.
Резервы улучшения использования основных фондов
evelin
: 11 ноября 2013
Введение
Безусловно, чтобы происходила нормальное функционирование предприятия, необходимо наличие определенных средств и источников. Основные производственные фонды, состоящие из зданий, сооружений, машин, оборудования и других средств труда, которые участвуют в процессе производства, являются самой главной основой деятельности фирмы. Без их наличия вряд ли могло что-либо осуществиться.
Средства труда (машины, аппараты, оборудование, производственные здания, сооружения, силовые установки и т.
15 руб.
Гидрогазодинамика ТИУ 2018 Задача 14 Вариант 4
Z24
: 30 ноября 2025
Из большого резервуара А (рис. 13), в котором поддерживается постоянный уровень жидкости, по трубопроводу, состоящему из трёх труб, длина которых l1 и l2, диаметры d1 и d2, а эквивалентная шероховатость Δэ, жидкость Ж при температуре 20°С течёт в открытый резервуар Б. Разность уровней жидкости в резервуарах равна Н.
Определить расход Q жидкости, протекающей в резервуар Б. В расчётах принимать, что местные потери напора составляют 20% от потери напора по длине.
300 руб.