Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
900 Лабораторная работа №1,2,3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №12ID: 215150Дата закачки: 05 Января 2021 Продавец: IT-STUDHELP (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Лабораторная Форматы файлов: Microsoft Word Сдано в учебном заведении: СибГУТИ Описание: Вариант 12 Лабораторная работа №1 ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ 1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция №2). 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов. Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем: 1. Изучение темы и цели лабораторной работы. 2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы: - физические процессы, определяющие одностороннюю проводимость электронно-дырочного перехода; - энергетическую диаграмму р-n перехода; - типы пробоя электронно-дырочного перехода и его вольтамперная характеристика (ВАХ); - основные параметры, характеризующие выпрямительные диоды и стабилитроны. 3. Оформление заготовки для отчета (см. раздел 6). 4. Выполнение указаний разделов 4 и 5. Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А. ДИОДЫ Zelex BAV70 Стабилитрон motor 1n 1N5935B 3 Задание на выполнение лабораторной работы 3.1 Расчётная часть работы 1. Выбрать диод, в соответствии с вариантом и записать значения следующих параметров диода: - предельно-допустимый постоянный прямой ток ; - предельно-допустимое обратное напряжение . Значения и найти для соответствующего варианта, используя ресурсы Internet. 2. Построить прямую ветвь ВАХ диода. Для построения прямой ветви ВАХ использовать формулу 2.2. 3. Задать 6 значений прямого тока, которые вычисляются по выражениям во 2-м столбце таблицы 3.1. Полученные значения являются рекомендуемыми, их допускается округлять до ближайшего «удобного» числа. Таблица 3.1 - Прямая ветвь ВАХ диода типа ... 4. Выбрать стабилитрон, в соответствии с вариантом и записать значения следующих параметров стабилитрона: - минимальный ток стабилизации ; - максимальный ток стабилизации ; - номинальное напряжение стабилизации . Значения , и найти для соответствующего варианта, используя ресурсы Internet. 5. Построить обратную ветвь ВАХ стабилитрона. Для построения обратной ветви ВАХ использовать формулу 2.4. 6. Задать 5 значений обратного тока, которые вычисляются по выражениям во 2-м столбце таблицы 3.2. Полученные значения являются рекомендуемыми, их допускается округлять до ближайшего «удобного» числа. Таблица 3.2 - Обратная ВАХ стабилирона типа ... Вариант 12 Лабораторная работа №2 1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов (лекция 3) Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем: 1. Изучение темы и цели лабораторной работы. 2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы: - достоинства и недостатки полевых транзисторов; - применение полевых транзисторов в элементарных схемах. Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении. 3 Задание на выполнение лабораторной работы 3.1 Расчетная часть работы 1. Рассчитать основные параметры и построить сток – затворную и выходную (стоковую) характеристики полевого транзистора. 2. По графику сток-затворной характеристики определить дифференциальную крутизну S, по графику выходных (стоковых) ВАХ определить дифференциальное выходное сопротивление , используя методические указания раздела 2. 3.2 Экспериметальная часть работы 1. Исследовать семейства проходных (сток-затворных) и выходных (стоковых) ВАХ полевого транзистора (тип транзистора выбирается из Приложения А в соответствии с вариантом) используя измерительные схемы рисунков Б.6 и Б.7.(в зависимости от типа транзистора). Исследования проводить по методическим указаниям раздела 4. 2. По полученным данным построить графические характеристики в одних осях с характеристиками, полученными по расчетам (3.1). 3. Рассчитать крутизну характеристики и дифференциальное сопротивление. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом Motorola MMBF4391 Полевые транзисторы с индуцированным каналом Philips BF 909 Вариант 12 Лабораторная работа №3 ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6). 2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем. Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем: 1. Изучение темы и цели лабораторной работы. 2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения. 3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6). Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А. 3 Задание на выполнение лабораторной работы В ходе выполнения лабораторной работы требуется: 1. Подобрать транзисторы и рассчитать параметры резисторов схем транзисторных ключей, приведенных на рисунках Б.6 и Б.27. 2. Собрав схемы, приведенные на рисунках рисунков Б.6 и Б.7 с рассчитанными элементами, убедиться в их работоспособности. 3. Пользуясь рекомендациями пунктов 4.3 и 4.4, исследовать передаточные характеристики рассчитанных ключевых схем. Транзисторные ключи на n-p-n транзисторе IКОМ = 6,7А Е2 = 320В E1MAX =4,4В Транзисторные ключи на p-n-p транзисторе IКОМ = 0,6А Е2 = 148В Комментарии: Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Элементная база телекоммуникационных систем Вид работы: Лабораторная работа 1-3 Оценка: Зачет Дата оценки: 05.01.2021 Рецензия: Уважаемый , Елистратова Ирина Борисовна Помогу с вашим вариантом, другой работой или дисциплиной. E-mail: sneroy20@gmail.com Размер файла: 415,6 Кбайт Фаил: (.rar) ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Скачано: 6 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №4Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №11 Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №17 Лабораторные работы №1-2 по дисциплине: «Элементная база телекоммуникационных систем». Вариант №12. Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №16 Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №10 Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Элементная база телекоммуникационных систем / Лабораторная работа №1,2,3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №12
Вход в аккаунт: