Лабораторная работа №1,2,3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №12

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon LAB1 вар 12.doc
material.view.file_icon LAB2 вар 12.doc
material.view.file_icon LAB3 вар 12.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант 12
Лабораторная работа №1

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ

1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы

Тема: Исследование полупроводниковых устройств

Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция №2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.

Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- физические процессы, определяющие одностороннюю проводимость электронно-дырочного перехода;
- энергетическую диаграмму р-n перехода;
- типы пробоя электронно-дырочного перехода и его вольтамперная характеристика (ВАХ);
- основные параметры, характеризующие выпрямительные диоды и стабилитроны.
3. Оформление заготовки для отчета (см. раздел 6).
4. Выполнение указаний разделов 4 и 5.

Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум
последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.

ДИОДЫ
Zelex
BAV70

Стабилитрон
motor 1n
1N5935B

3 Задание на выполнение лабораторной работы

3.1 Расчётная часть работы

1.  Выбрать диод, в соответствии с вариантом и записать значения следующих параметров диода:
- предельно-допустимый постоянный прямой ток ;
- предельно-допустимое обратное напряжение .
Значения и найти для соответствующего варианта, используя ресурсы Internet.

2. Построить прямую ветвь ВАХ диода. Для построения прямой ветви ВАХ использовать формулу 2.2.
3. Задать 6 значений прямого тока, которые вычисляются по выражениям во 2-м столбце таблицы 3.1. Полученные значения являются рекомендуемыми, их допускается округлять до ближайшего «удобного» числа.

Таблица 3.1 - Прямая ветвь ВАХ диода типа ...

4. Выбрать стабилитрон, в соответствии с вариантом и записать значения следующих параметров стабилитрона:
- минимальный ток стабилизации ;
- максимальный ток стабилизации ;
- номинальное напряжение стабилизации .
Значения , и найти для соответствующего варианта, используя ресурсы Internet.
5. Построить обратную ветвь ВАХ стабилитрона. Для построения обратной ветви ВАХ использовать формулу 2.4.
6. Задать 5 значений обратного тока, которые вычисляются по выражениям во 2-м столбце таблицы 3.2. Полученные значения являются рекомендуемыми, их допускается округлять до ближайшего «удобного» числа.

Таблица 3.2 - Обратная ВАХ стабилирона типа ...




Вариант 12
Лабораторная работа №2
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы

Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов

Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов (лекция 3)

Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- достоинства и недостатки полевых транзисторов;
- применение полевых транзисторов в элементарных схемах.

Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении.

3 Задание на выполнение лабораторной работы

3.1 Расчетная часть работы

1. Рассчитать основные параметры и построить сток – затворную и выходную (стоковую) характеристики полевого транзистора.
2. По графику сток-затворной характеристики определить дифференциальную крутизну S, по графику выходных (стоковых) ВАХ определить дифференциальное выходное сопротивление , используя методические указания раздела 2.

3.2 Экспериметальная часть работы

1. Исследовать семейства проходных (сток-затворных) и выходных (стоковых) ВАХ полевого транзистора (тип транзистора выбирается из Приложения А в соответствии с вариантом) используя измерительные схемы рисунков Б.6 и Б.7.(в зависимости от типа транзистора). Исследования проводить по методическим указаниям раздела 4.
2. По полученным данным построить графические характеристики в одних осях с характеристиками, полученными по расчетам (3.1).
3. Рассчитать крутизну характеристики и дифференциальное сопротивление.

Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
Motorola MMBF4391

Полевые транзисторы с индуцированным каналом
Philips
BF 909



Вариант 12
Лабораторная работа №3

ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ


1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы

Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах

Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.


Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).

Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.

3 Задание на выполнение лабораторной работы

В ходе выполнения лабораторной работы требуется:
1. Подобрать транзисторы и рассчитать параметры резисторов схем транзисторных ключей, приведенных на рисунках Б.6 и Б.27.
2. Собрав схемы, приведенные на рисунках рисунков Б.6 и Б.7 с рассчитанными элементами, убедиться в их работоспособности.
3. Пользуясь рекомендациями пунктов 4.3 и 4.4, исследовать передаточные характеристики рассчитанных ключевых схем.

Транзисторные ключи на n-p-n транзисторе
IКОМ = 6,7А
Е2 = 320В
E1MAX =4,4В

Транзисторные ключи на p-n-p транзисторе
IКОМ = 0,6А
Е2 = 148В

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Элементная база телекоммуникационных систем
Вид работы: Лабораторная работа 1-3
Оценка: Зачет
Дата оценки: 05.01.2021
Рецензия: Уважаемый ,

Елистратова Ирина Борисовна

Помогу с вашим вариантом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 12
Лабораторная работа №1 Разработка интегрального цифрового устройства ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС). ЗАДАНИЕ 1.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упро-щение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации. 1.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести список необходимых базовых элеме
User xtrail : 25 августа 2025
350 руб.
promo
Лабораторные работы №1 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем Вариант 12
Вариант 12 1. Выбрать диод, в соответствии с вариантом и записать значения следующих параметров диода: - предельно-допустимый постоянный прямой ток ; - предельно-допустимое обратное напряжение . Значения и найти для соответствующего варианта, используя ресурсы Internet. 2. Построить прямую ветвь ВАХ диода. Для построения прямой ветви ВАХ использовать формулу 2.2. 3. Задать 6 значений прямого тока, которые вычисляются по выражениям во 2-м столбце таблицы 3.1. Полученные значения являют
User Pashapasha : 10 августа 2022
170 руб.
Лабораторные работы №1 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем Вариант 12
Лабораторные работы №1-2 по дисциплине: «Элементная база телекоммуникационных систем». Вариант №12.
Лабораторная работа No1 по дисциплине: «Элементная база телекоммуникационных систем» РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА Разработка интегрального цифрового устройства ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС). ЗАДАНИЕ 1.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упро-щение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реал
User teacher-sib : 1 сентября 2023
800 руб.
promo
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №1
Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель работы: 1 Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция №2). 2 Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов. Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем: 1 Изучение темы и цели лабораторной работы. 2 При изучении теоретического материала в объ
User L0ki : 29 декабря 2020
195 руб.
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 17
Вариант 17 Лабораторная работа No1 ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ 1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2). 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов. Выполнению данн
User IT-STUDHELP : 16 мая 2022
900 руб.
promo
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 14
Лабораторная работа No1 Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2). 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов. 1. ВАХ диода Вариант 14, диод Zelex FMMD914 1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода Таблица 1.1 – Характеристики диода Параме
User IT-STUDHELP : 9 апреля 2022
900 руб.
promo
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 18
Лабораторная работа No1 ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ 1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2). 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов. Выполнению данной работы до
User IT-STUDHELP : 9 апреля 2022
900 руб.
promo
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 06
Лабораторная работа No1 Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона. 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов. 1. ВАХ диода 1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода Таблица 1.1 – Характеристики диода Параметр Единицы измерения Значение Тип диода пред
User IT-STUDHELP : 9 апреля 2022
900 руб.
promo
Реферат по дисциплине: Социология
Введение 3 1 Понятие социального института 4 2 Семья как важный социальный институт 5 2.1 Понятие семьи 5 2.2 Структура семьи 5 2.3 Формы семьи 6 2.4 Функции семьи 6 2.5 Жизненный цикл семьи
User vovanik : 18 мая 2014
70 руб.
Резервы улучшения использования основных фондов
Введение Безусловно, чтобы происходила нормальное функционирование предприятия, необходимо наличие определенных средств и источников. Основные производственные фонды, состоящие из зданий, сооружений, машин, оборудования и других средств труда, которые участвуют в процессе производства, являются самой главной основой деятельности фирмы. Без их наличия вряд ли могло что-либо осуществиться. Средства труда (машины, аппараты, оборудование, производственные здания, сооружения, силовые установки и т.
User evelin : 11 ноября 2013
15 руб.
Гидрогазодинамика ТИУ 2018 Задача 14 Вариант 4
Из большого резервуара А (рис. 13), в котором поддерживается постоянный уровень жидкости, по трубопроводу, состоящему из трёх труб, длина которых l1 и l2, диаметры d1 и d2, а эквивалентная шероховатость Δэ, жидкость Ж при температуре 20°С течёт в открытый резервуар Б. Разность уровней жидкости в резервуарах равна Н. Определить расход Q жидкости, протекающей в резервуар Б. В расчётах принимать, что местные потери напора составляют 20% от потери напора по длине.
User Z24 : 30 ноября 2025
300 руб.
Гидрогазодинамика ТИУ 2018 Задача 14 Вариант 4
Гайка М12 ГОСТ 5919-70
Гайка М12 ГОСТ 5919-70 Компас 16
User DiKey : 19 марта 2020
50 руб.
Гайка М12 ГОСТ 5919-70
up Наверх