Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы

900

Лабораторная работа №1,2,3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №12

ID: 215150
Дата закачки: 05 Января 2021
Продавец: IT-STUDHELP (Напишите, если есть вопросы)
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: СибГУТИ

Описание:
Вариант 12
Лабораторная работа №1

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ

1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы

Тема: Исследование полупроводниковых устройств

Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция №2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.

Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- физические процессы, определяющие одностороннюю проводимость электронно-дырочного перехода;
- энергетическую диаграмму р-n перехода;
- типы пробоя электронно-дырочного перехода и его вольтамперная характеристика (ВАХ);
- основные параметры, характеризующие выпрямительные диоды и стабилитроны.
3. Оформление заготовки для отчета (см. раздел 6).
4. Выполнение указаний разделов 4 и 5.

Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум
последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.

ДИОДЫ
Zelex
BAV70

Стабилитрон
motor 1n
1N5935B

3 Задание на выполнение лабораторной работы

3.1 Расчётная часть работы

1.  Выбрать диод, в соответствии с вариантом и записать значения следующих параметров диода:
- предельно-допустимый постоянный прямой ток ;
- предельно-допустимое обратное напряжение .
Значения и найти для соответствующего варианта, используя ресурсы Internet.

2. Построить прямую ветвь ВАХ диода. Для построения прямой ветви ВАХ использовать формулу 2.2.
3. Задать 6 значений прямого тока, которые вычисляются по выражениям во 2-м столбце таблицы 3.1. Полученные значения являются рекомендуемыми, их допускается округлять до ближайшего «удобного» числа.

Таблица 3.1 - Прямая ветвь ВАХ диода типа ...

4. Выбрать стабилитрон, в соответствии с вариантом и записать значения следующих параметров стабилитрона:
- минимальный ток стабилизации ;
- максимальный ток стабилизации ;
- номинальное напряжение стабилизации .
Значения , и найти для соответствующего варианта, используя ресурсы Internet.
5. Построить обратную ветвь ВАХ стабилитрона. Для построения обратной ветви ВАХ использовать формулу 2.4.
6. Задать 5 значений обратного тока, которые вычисляются по выражениям во 2-м столбце таблицы 3.2. Полученные значения являются рекомендуемыми, их допускается округлять до ближайшего «удобного» числа.

Таблица 3.2 - Обратная ВАХ стабилирона типа ...




Вариант 12
Лабораторная работа №2
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы

Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов

Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов (лекция 3)

Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- достоинства и недостатки полевых транзисторов;
- применение полевых транзисторов в элементарных схемах.

Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении.

3 Задание на выполнение лабораторной работы

3.1 Расчетная часть работы

1. Рассчитать основные параметры и построить сток – затворную и выходную (стоковую) характеристики полевого транзистора.
2. По графику сток-затворной характеристики определить дифференциальную крутизну S, по графику выходных (стоковых) ВАХ определить дифференциальное выходное сопротивление , используя методические указания раздела 2.

3.2 Экспериметальная часть работы

1. Исследовать семейства проходных (сток-затворных) и выходных (стоковых) ВАХ полевого транзистора (тип транзистора выбирается из Приложения А в соответствии с вариантом) используя измерительные схемы рисунков Б.6 и Б.7.(в зависимости от типа транзистора). Исследования проводить по методическим указаниям раздела 4.
2. По полученным данным построить графические характеристики в одних осях с характеристиками, полученными по расчетам (3.1).
3. Рассчитать крутизну характеристики и дифференциальное сопротивление.

Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
Motorola MMBF4391

Полевые транзисторы с индуцированным каналом
Philips
BF 909



Вариант 12
Лабораторная работа №3

ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ


1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы

Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах

Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.


Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).

Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.

3 Задание на выполнение лабораторной работы

В ходе выполнения лабораторной работы требуется:
1. Подобрать транзисторы и рассчитать параметры резисторов схем транзисторных ключей, приведенных на рисунках Б.6 и Б.27.
2. Собрав схемы, приведенные на рисунках рисунков Б.6 и Б.7 с рассчитанными элементами, убедиться в их работоспособности.
3. Пользуясь рекомендациями пунктов 4.3 и 4.4, исследовать передаточные характеристики рассчитанных ключевых схем.

Транзисторные ключи на n-p-n транзисторе
IКОМ = 6,7А
Е2 = 320В
E1MAX =4,4В

Транзисторные ключи на p-n-p транзисторе
IКОМ = 0,6А
Е2 = 148В



Комментарии: Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Элементная база телекоммуникационных систем
Вид работы: Лабораторная работа 1-3
Оценка: Зачет
Дата оценки: 05.01.2021
Рецензия: Уважаемый ,

Елистратова Ирина Борисовна

Помогу с вашим вариантом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com

Размер файла: 415,6 Кбайт
Фаил: Упакованные файлы (.rar)
-------------------
Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные!
Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку.
Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот.
-------------------

   Скачать

   Добавить в корзину


    Скачано: 6         Коментариев: 0


Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Опять не то? Мы можем помочь сделать!

Некоторые похожие работы:

Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №4
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №11
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №17
Лабораторные работы №1-2 по дисциплине: «Элементная база телекоммуникационных систем». Вариант №12.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №16
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №10
Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами.

Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! 

От 350 руб. за реферат, низкие цены. Просто заполни форму и всё.

Спеши, предложение ограничено !



Что бы написать комментарий, вам надо войти в аккаунт, либо зарегистрироваться.

Страницу Назад

  Cодержание / Элементная база телекоммуникационных систем / Лабораторная работа №1,2,3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №12
Вход в аккаунт:
Войти

Забыли ваш пароль?

Вы еще не зарегистрированы?

Создать новый Аккаунт


Способы оплаты:
UnionPay СБР Ю-Money qiwi Payeer Крипто-валюты Крипто-валюты


И еще более 50 способов оплаты...
Гарантии возврата денег

Как скачать и покупать?

Как скачивать и покупать в картинках


Сайт помощи студентам, без посредников!